一种硅基遂穿场效应晶体管结构制造技术
Silicon based field effect transistor structure
The invention provides a silicon tunneling field effect transistor structure, which comprises: semi insulating silicon substrate, a silicon semiconductor layer N doped silicon germanium semiconductor layer, a P type doping, a silicon oxide insulating layer, a gate dielectric layer between the silicon semiconductor layer and P type silicon germanium layer in N a type of doped tungsten alloy silicon gate metal electrode, a silicon semiconductor layer in N doped drain formed on the metal electrode, the source electrode is formed in a metal silicon germanium doped semiconductor layer on P.
【技术实现步骤摘要】
一种硅基遂穿场效应晶体管结构
本专利技术总体涉及半导体器件，更具体地，涉及硅基遂穿场效应晶体管的器件结构
技术介绍
基于硅基CMOS技术的现代集成电路随着CMOS器件的特征尺寸的不断缩小，在集成度、功耗和器件特性方面不断进步。在CMOS技术节点进入10纳米以后，面临着工艺与物理特性两方面的挑战。利用PN结遂穿效应研制的遂穿场效应晶体管(TFET)，以其低功耗、低亚阈值摆副的特点成为存储器单元应用器件的重要研究方向，但是由于硅基TFET器件的遂穿效率低，开态电流密度比较低。在此背景下，将硅锗或者锗材料用于提高硅基遂穿场效应晶体管特性的研究备受关注，成为提高遂穿场效应晶体管器件性能的重要技术突破方向。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提出一种硅基异质结沟道的场效应晶体管结构，以提供硅基TFET器件无法达到的最大饱和电流，同时降低工艺难度，提高器件集成度。一种硅基遂穿场效应晶体管器件结构，其包括如下：一半绝缘硅衬底片；一N型掺杂的硅半导体层；一P型掺杂的硅锗半导体层；一氧化硅绝缘层；一位于N型掺杂的硅半导体层和P型硅锗层之间的栅介质层；一在栅介质层上，依托氧化硅绝缘层，采用侧墙工艺形成的钨硅合金栅金属电极；一在N型掺杂的硅半导体层上形成的漏端金属电极；一在P型掺杂的硅锗半导体层上形成的源端金属电极。根据方案中所述的一种硅基遂穿场效应晶体管结构，其特征在于N型掺杂的硅半导体层的厚度为15纳米，掺杂浓度为5×1019cm-3。根据方案中所述的一种硅基遂穿场效应晶体管结构，其特征在于P型掺杂的硅锗半导体层是采用外延的方式形成，硅锗材料为Si0.8Ge0.2，掺杂浓度为1...
【技术保护点】
一种硅基遂穿场效应晶体管器件结构，其包括如下：一半绝缘硅衬底片；一N型掺杂的硅半导体层；一P型掺杂的硅锗半导体层；一氧化硅绝缘层；一位于N型掺杂的硅半导体层和P型硅锗层之间的栅介质层；一在栅介质层上，依托氧化硅绝缘层，采用侧墙工艺形成的钨硅合金栅金属电极；一在N型掺杂的硅半导体层上形成的漏端金属电极；一在P型掺杂的硅锗半导体层上形成的源端金属电极。
【技术特征摘要】
1.一种硅基遂穿场效应晶体管器件结构，其包括如下：一半绝缘硅衬底片；一N型掺杂的硅半导体层；一P型掺杂的硅锗半导体层；一氧化硅绝缘层；一位于N型掺杂的硅半导体层和P型硅锗层之间的栅介质层；一在栅介质层上，依托氧化硅绝缘层，采用侧墙工艺形成的钨硅合金栅金属电极；一在N型掺杂的硅半导体层上形成的漏端金属电极；一在P型掺杂的硅锗半导体层上形成的源端金属电极。2.根据权利要求1所述的一种硅基遂穿场效应晶体管结构，其特征在于N型掺杂的硅半导体层的厚度为15...
【专利技术属性】
技术研发人员：刘丽蓉，王勇，丁超，
申请(专利权)人：东莞市广信知识产权服务有限公司，东莞华南设计创新院，
类型：发明
国别省市：广东,44
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