一种标准单元库的版图结构制造技术

本发明专利技术提供一种标准单元库的版图结构，属于集成电路技术领域，版图结构对应芯片版图设计中的有源器件，包括：左边界，左边界包括至少两个区段，左边界的至少一个区段与对应有源器件的电源线的电源线图形和/或对应有源器件的地线的地线图形重合；右边界，右边界包括至少两个区段，右边界的至少一个区段与对应有源器件的地线的地线图形和/或对应有源器件的电源线的电源线图形重合；复数个通孔图形，电源线图形上以及地线图形上分别设有至少一个通孔图形；电源线图形、地线图形以及通孔图形的宽度分别为电源器件实际电源线、实际地线以及实际通孔的宽度的二分之一。有益效果：有效减小版图面积的同时提升速度。

Layout structure of a standard cell library

The invention provides a layout structure of a standard cell library, which belongs to the technical field of integrated circuit, active devices, the corresponding chip layout structure layout design includes: the left boundary, the left boundary includes at least two wire power line section, the left edge of the at least one section and corresponding active devices of the power line and / or graphics the corresponding active device ground graphics overlap; the right boundary, the right boundary includes at least two sections, power line right boundary at least one section and corresponding active device grounding wire graphics and / or corresponding active devices of the power line graphics overlap; a plurality of through holes of graphics, graphics and graphics power line wire are respectively provided with at least one through hole pattern; power line graphics, graphics and graphics wire through hole width respectively the power device practical power line, the actual and practical ground 1/2 of the width of the through hole. The utility model has the advantages that the area of the layout is effectively reduced while the speed is increased.

【技术实现步骤摘要】
一种标准单元库的版图结构
本专利技术涉及集成电路
，尤其涉及一种标准单元库的版图结构。
技术介绍
标准单元库是用全定制方法设计好各种单元电路的版图，然后把这些经过优化设计并验证通过的单元版图存入数据库。设计时将所需单元从单元库中调出，将其排列成若干行，行间留有布线通道。然后根据电路要求将各单元用连线联接起来，同时把相应的输入/输出单元和压焊块联接起来，得到所要求的芯片版图。由于单元库中各个单元的高度相等，宽度不限，单元中的电源、地线及输入输出端口位置都有特殊的规定，使得单元与单元连接时变得简单、有条理，布局也有规律，为以后的高层次的系统设计带来的很大的方便，使得本来很复杂、工作量很大的系统设计变得相对简单、容易，并且带有很强的规律性。图1为标准单元库中，反相器的常规版图结构。电源总线VDD与金属线m201和金属线m202连接，金属线m201通过通孔ct201和通孔ct202连接到P型注入有源区aa201，形成晶体管的左侧源端，金属线m202通过通孔ct203和通孔ct204连接到P型注入有源区aa201，形成晶体管的右侧源端，所述电源总线VDD通过金属线m201和金属线m202连接到所述P型注入有源区aa201。同样的，地总线VSS与金属线m203和金属线m204连接，金属线m203通过通孔ct105和通孔ct106连接到N型注入有源区aa202，形成晶体管的左侧源端，金属线m204通过通孔ct107和通孔ct108连接到N型注入有源区aa202，形成晶体管的右侧源端，地总线VSS通过金属线m203和金属线m204连接到所述N型注入有源区aa202。A为反相器输入端，Y为反相器输出端。其中，金属线m201与金属丝m202、金属丝m203与金属丝m204、通孔ct101与通孔ct103、通孔ct102与通孔ct104、通孔ct105与通孔ct107、通孔ct106与通孔ct108之间分别关于单元中心的纵轴对称，并且，金属线m201、与金属丝m202、金属丝m203、金属丝m203、通孔ct101、通孔ct103、通孔ct102、通孔ct104、通孔ct105、通孔ct107、通孔ct106、通孔ct108的宽度均与有源器件的实际金属线和实际通孔宽度相同。电源总线VDD的中线到地总线VSS的中线之间的距离为标准单元库的单元高度，按照“等高不等宽”原则，单元库中的不同单元的高度相同，宽度根据设计需要改变，在用工具进行布局布线时，不同单元将按照边框pr201进行拼接，相邻单元的电源总线VDD相连，相邻单元的地总线VSS相连，两个单元拼接后，由于根据设计规则，两个单元之间存在一个最小间距，因此两个单元的有源区不能合并。标准单元库根据设计的需要，通常分为高密度(highdensity)，高速(highspeed)，超高速(veryhighspeed)。高密度标准单元库高度通常为6T(track，高度单位)，高速为9T，超高速为12T。在宽度不变的情况下，高度增加意味着面积的增加，当设计更关心面积因素时，采用高密度的标准单元库，更关心速度因素时，采用超高速的标准单元库，因为超高速单元库具有更大的驱动能力，折中考虑面积和速度因素时，则采用高速标准单元库。对标准单元库的设计，在考虑版图面积因素时，往往要牺牲速度，在考虑速度因素时，则需要牺牲版图面积。
技术实现思路
针对现有技术中存在的问题，本专利技术提供了一种在有效减小版图面积的同时，提升速度的标准单元库的版图结构。本专利技术采用如下技术方案：一种标准单元库的版图结构，所述版图结构对应芯片版图设计中的有源器件，其特征在于，所述版图结构包括：左边界，所述左边界包括至少两个区段，所述左边界的至少一个区段与对应所述有源器件的电源线的电源线图形和/或对应所述有源器件的地线的地线图形重合；右边界，所述右边界包括至少两个区段，所述右边界的至少一个区段与对应所述有源器件的地线的地线图形和/或对应所述有源器件的电源线的电源线图形重合；复数个通孔图形，所述电源线图形上以及所述地线图形上设有分别设有至少一个所述通孔图形，每个所述通孔图形分别用于所述有源器件与所述电源线/所述地线连接；所述电源线图形的宽度为所述有源器件实际电源线宽度的二分之一；所述地线图形的宽度为所述有源器件实际地线宽度的二分之一；所述通孔图形的宽度为所述有源器件实际通孔宽度的二分之一。优选的，所述版图结构还包括：电源总线图形，所述电源总线图形对应电源总线，所述电源总线图形与所述版图结构的上边界重合；地总线图形，所述地总线图形对应地总线，所述地总线图形与所述版图结构的下边界重合，所述电源总线图形与所述地总线图形平行。优选的，所述有源器件包括两个所述电源线、P型有源区、栅极、输入端以及输出端；所述版图结构包括：两个电源线图形，每个所述电源线图形分别对应所述电源线，每个所述电源线图形分别与所述电源总线图形垂直且连接；P型有源区图形，所述P型有源区图形对应所述P型有源区，所述电源总线图形通过所述电源线图形与所述P型有源区图形连接；栅极图形，所述栅极图形对应所述栅极，所述栅极图形与所述P型有源区图形连接；输入端图形，所述输入端图形对应所述输入端，所述输入端图形与所述栅极图形连接；输出端图形，所述输出端图形对应所述输出端，所述输出端图形与所述P型有源区图形中对应所述P型有源区的漏极区域连接。优选的，所述有源器件包括第一通孔；所述版图结构包括：第一通孔图形，所述第一通孔图形的位置对应所述电源线与所述P型有源区的连接点。优选的，所述有源器件包括两个所述地线、N型有源区、栅极、输入端以及输出端；两个地线图形，每个所述地线图形分别对应所述地线，每个所述地线图形分别与所述地总线图形垂直且连接；N型有源区图形，所述N型有源区图形对应所述N型有源区，所述地总线图形通过所述地线图形与所述N型有源区图形连接；栅极图形，所述栅极图形对应所述栅极，所述栅极图形与所述N型有源区图形连接；输入端图形，所述输入端图形对应所述输入端，所述输入端图形与所述栅极图形连接；输出端图形，所述输出端图形对应所述输出端，所述输出端图形与所述N型有源区图形中对应所述N型有源区的漏极区域连接。优选的，所述有源器件包括第二通孔；所述版图结构包括：第二通孔图形，所述第二通孔的位置对应所述地线与所述N型有源区的连接点。优选的，所述有源器件包括两个所述电源线、两个所述地线、P型有源区、N型有源区、栅极、输入端以及输出端；所述版图结构包括：两个电源线图形，每个所述电源线图形分别对应所述电源线，每个所述电源线图形分别与所述电源总线图形垂直且连接；两个地线图形，每个所述地线图形分别对应所述地线，每个所述地线图形分别与所述地总线图形垂直且连接；P型有源区图形，所述P型有源区图形对应所述P型有源区，所述电源总线图形通过所述电源线图形与所述P型有源区图形连接；N型有源区图形，所述N型有源区图形对应所述N型有源区，所述地总线图形通过所述地线图形与所述N型有源区图形连接；栅极图形，所述栅极图形对应所述栅极，所述栅极图形与所述P型有源区图形以及所述N型有源区图形连接；输入端图形，所述输入端图形对应所述输入端，所述输入端图形与所述栅极图形连接；输出端图形，所述输出端图形对应所述输出端，所述输出端图形分本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种标准单元库的版图结构，所述版图结构对应芯片版图设计中的有源器件，其特征在于，所述版图结构包括：左边界，所述左边界包括至少两个区段，所述左边界的至少一个区段与对应所述有源器件的电源线的电源线图形和/或对应所述有源器件的地线的地线图形重合；右边界，所述右边界包括至少两个区段，所述右边界的至少一个区段与对应所述有源器件的地线的地线图形和/或对应所述有源器件的电源线的电源线图形重合；复数个通孔图形，所述电源线图形上以及所述地线图形上设有分别设有至少一个所述通孔图形，每个所述通孔图形分别用于所述有源器件与所述电源线/所述地线连接；所述电源线图形的宽度为所述有源器件实际电源线宽度的二分之一；所述地线图形的宽度为所述有源器件实际地线宽度的二分之一；所述通孔图形的宽度为所述有源器件实际通孔宽度的二分之一。

【技术特征摘要】
1.一种标准单元库的版图结构，所述版图结构对应芯片版图设计中的有源器件，其特征在于，所述版图结构包括：左边界，所述左边界包括至少两个区段，所述左边界的至少一个区段与对应所述有源器件的电源线的电源线图形和/或对应所述有源器件的地线的地线图形重合；右边界，所述右边界包括至少两个区段，所述右边界的至少一个区段与对应所述有源器件的地线的地线图形和/或对应所述有源器件的电源线的电源线图形重合；复数个通孔图形，所述电源线图形上以及所述地线图形上设有分别设有至少一个所述通孔图形，每个所述通孔图形分别用于所述有源器件与所述电源线/所述地线连接；所述电源线图形的宽度为所述有源器件实际电源线宽度的二分之一；所述地线图形的宽度为所述有源器件实际地线宽度的二分之一；所述通孔图形的宽度为所述有源器件实际通孔宽度的二分之一。2.如权利要求1所述标准单元库的版图结构，其特征在于，所述版图结构还包括：电源总线图形，所述电源总线图形对应电源总线，所述电源总线图形与所述版图结构的上边界重合；地总线图形，所述地总线图形对应地总线，所述地总线图形与所述版图结构的下边界重合，所述电源总线图形与所述地总线图形平行。3.如权利要求2所述标准单元库的版图结构，其特征在于，所述有源器件包括两个所述电源线、P型有源区、栅极、输入端以及输出端；所述版图结构包括：两个电源线图形，每个所述电源线图形分别对应所述电源线，每个所述电源线图形分别与所述电源总线图形垂直且连接；P型有源区图形，所述P型有源区图形对应所述P型有源区，所述电源总线图形通过所述电源线图形与所述P型有源区图形连接；栅极图形，所述栅极图形对应所述栅极，所述栅极图形与所述P型有源区图形连接；输入端图形，所述输入端图形对应所述输入端，所述输入端图形与所述栅极图形连接；输出端图形，所述输出端图形对应所述输出端，所述输出端图形与所述P型有源区图形中对应所述P型有源区的漏极区域连接。4.如权利要求3所述标准单元库的版图结构，其特征在于，所述有源器件包括第一通孔；所述版图结构包括：第一通孔图形，所述第一通孔图形的位置对应所述电源线与所述P型有源区的连接点。5.如权利要求2所述标准单元库的版图结构，其特征在于，所述有源器件包括两个所述地线、N型有源区、栅极、输入端以及输出端...

【专利技术属性】
技术研发人员：廖春和，何洪楷，朱敏，
申请(专利权)人：武汉新芯集成电路制造有限公司，
类型：发明
国别省市：湖北,42