一种LED显示屏的制备方法技术

本申请公开了一种LED显示屏的制备方法，对衬底基片上的LED外延片先进行面扫描，定位出LED外延片的缺陷的位置，在避开缺陷的区域对LED外延片和衬底基片一起进行切割，得到多个显示屏切片，将显示屏切片定位贴到临时透光基板上，在LED外延片上制作出LED像素点，将临时透光基板上的LED像素点与电路背板键合连接，最后去除临时透光基板和衬底基片，完成LED像素点的转移。该制备方法将LED外延片进行切割，得到多个不含缺陷的显示屏切片，将这些显示屏切片按照特定的位置重新组合定位贴到其它尺寸的临时透光基板上，制作好LED像素点后与电路背板键合连接，通过临时透光基板使LED外延片尺寸能够满足各产线的尺寸要求，且提高了产品良率。

Method for preparing LED display screen

The invention discloses a preparation method of a LED display, the LED epitaxial wafers for advanced substrate surface scanning, locate the defects of LED epitaxial wafer position in the region to avoid defects of LED epitaxial wafer and the substrate with cutting, multiple display section, the display section positioning attached to the temporary light transmissive substrate to produce LED pixels in LED epitaxial wafer, LED pixel temporary light transmissive substrate and circuit backplane bonding, finally removing the temporary substrate and the transparent substrate, the completion of the transfer of LED pixels. The preparation method of the LED epitaxial wafer cutting, multiple defect free display section, the display section according to the specific location of the re positioning of temporary affixed to the transparent substrate other sizes, making a good LED pixel circuit and backplane bonding connection, through the temporary transparent substrate LED epitaxial wafer the size of the production line to meet the size requirements, and improve the yield of product.

【技术实现步骤摘要】
一种LED显示屏的制备方法
本专利技术涉及半导体照明
，特别涉及一种LED显示屏的制备方法。
技术介绍
在LED显示屏工业生产中，需要用到LED外延片，LED外延片由气态物质InGaAlP利用有机金属化学气相沉积方法在一块加热至适当温度的衬底基片(主要有蓝宝石、SiC和Si)上沉积形成，LED外延片包括衬底基片和外延膜。现有的LED厂使用的是4英寸LED外延片的产线，生产得到的LED外延片的尺寸为4英寸，而主流的半导体生产厂(如MEMS产线、IC产线)都是8英寸或12英寸的LED外延片加工产线，这种产线无法加工4寸的LED外延片。并且LED外延片在外延过程中可能因为衬底缺陷、灰尘颗粒或设备波动造成LED外延片缺陷，且出现缺陷的位置是不确定的，如果缺陷出现在显示屏显示区域，则加工出的产品需要对该区域进行修补或直接报废该产品，因此，降低了生产良率，增大了生产成本。综上所述，如何解决LED显示屏生产过程中LED外延片尺寸不能满足加工产线的尺寸需求以及因LED外延片缺陷导致产品良率下降的问题，成为了本领域技术人员亟待解决的问题。
技术实现思路
有鉴于此，本专利技术的目的在于提供一种LED显示屏的制备方法，以使LED外延片尺寸能够满足各产线的尺寸要求，且提高产品良率。为达到上述目的，本专利技术提供以下技术方案：一种LED显示屏的制备方法，包括步骤：S100、对LED外延片的外延膜进行面扫描，定位出所述外延膜上的缺陷所在的位置；S200、在避开所述缺陷的区域对LED外延片进行切割，得到多个显示屏切片；S300、将所述显示屏切片定位贴到临时透光基板上，所述LED外延片的衬底基片一侧与所述透光基板贴合；S400、在所述临时透光基板上的LED外延片上制作出LED像素点，并制作P电极；S500、将所述临时透光基板上的LED像素点与设置有控制电路的电路背板键合连接，所述临时透光基板的尺寸大于等于所述电路背板的尺寸；S600、去除所述临时透光基板和所述衬底基片，完成单色LED像素点的转移。优选的，在上述的LED显示屏的制备方法中，在所述步骤S600之后，还包括步骤：S700、重复两次所述步骤S100至所述步骤S600，分别完成另外两个颜色LED像素点向同一所述电路背板的转移，得到包含三色LED像素点的电路背板。优选的，在上述的LED显示屏的制备方法中，在所述步骤S700之后，还包括步骤：S800、在三色LED像素点上制作N电极，在所述三色LED像素点外部设置保护层，得到多个LED显示屏。优选的，在上述的LED显示屏的制备方法中，在所述步骤S800之后还包括步骤：S900、对所述电路背板进行切割，得到单个LED显示屏。优选的，在上述的LED显示屏的制备方法中，在所述步骤S100中，对所述LED外延片的外延膜进行面扫描后，还包括定位出所述外延膜上的波长分布；在所述步骤S200中，在避开所述缺陷的区域根据所述波长分布确定符合产品要求的波长分布区域对所述LED外延片进行切割，得到多个显示屏切片。优选的，在上述的LED显示屏的制备方法中，在所述步骤S100中，切割得到的所述显示屏切片的尺寸具有至少1mm的加工余量。优选的，在上述的LED显示屏的制备方法中，在所述步骤S200中，在进行所述LED外延片和所述衬底基片的切割之前，对所述LED外延片的衬底基片一侧进行减薄抛光。优选的，在上述的LED显示屏的制备方法中，所述步骤S500中的将所述临时透光基板上的LED像素点与设置有控制电路的电路背板键合连接具体为：S501、在新的背板上制作用于控制所述LED像素点的亮与灭的控制电路，得到所述电路背板；S502、在所述电路背板上制作用于所述控制电路与所述LED像素点键合的金属凸起，以及用于键合操作的对准标记；S503、将所述临时透光基板上的LED像素点与所述电路背板的控制电路按照所述对准标记的位置通过所述金属凸起键合连接。优选的，在上述的LED显示屏的制备方法中，所述衬底基片为蓝宝石衬底。优选的，在上述的LED显示屏的制备方法中，在所述步骤S600中，去除所述衬底基片的方法为激光分离所述衬底基片和所述LED像素点。与现有技术相比，本专利技术的有益效果是：本专利技术提供的LED显示屏的制备方法中，对LED外延片的外延膜先进行面扫描，定位出外延膜的缺陷所在的位置，在避开缺陷的区域对LED外延片进行切割，得到多个显示屏切片，将显示屏切片定位贴到临时透光基板上，临时透光基板的尺寸大于等于电路背板的尺寸，在LED外延片上制作出LED像素点，将临时透光基板上的LED像素点与电路背板键合连接，最后去除临时透光基板和衬底基片，完成LED像素点的转移。可以看出，该制备方法将LED外延片进行切割，得到多个不包含缺陷的显示屏切片，将这些显示屏切片按照特定的位置重新组合定位贴到其它尺寸的临时透光基板上，再将临时透光基板上的LED外延片制作好LED像素点后与电路背板键合连接，通过临时透光基板将小尺寸的LED外延片应用到大尺寸的加工产线上，使LED外延片尺寸能够满足各产线的尺寸要求，且用于加工使用的LED外延片避开了缺陷，因此提高了产品良率。附图说明为了更清楚地说明本专利技术实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本专利技术的实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据提供的附图获得其他的附图。图1为本专利技术实施例提供的一种LED显示屏的制备方法的流程示意图；图2为本专利技术实施例提供的一种LED显示屏的制备方法中的切割LED外延片的示意图；图3为本专利技术实施例提供的一种LED显示屏的制备方法中的显示屏切片贴到临时透光基板的示意图；图4为图3的仰视图；图5为本专利技术实施例提供的一种LED显示屏的制备方法中的在LED外延片上制作LED像素点的示意图；图6为本专利技术实施例提供的一种LED显示屏的制备方法中的临时透光基板与电路背板键合连接的示意图；图7为本专利技术实施例提供的一种LED显示屏的制备方法中的去除临时透光基板和衬底基片的示意图。具体实施方式本专利技术的核心是提供了一种LED显示屏的制备方法，能够以使LED外延片尺寸能够满足各产线的尺寸要求，且提高了产品良率。下面将结合本专利技术实施例中的附图，对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本专利技术保护的范围。请参考图1-图7，本专利技术提供了一种LED显示屏的制备方法，包括以下步骤：步骤S100、对LED外延片1的外延膜进行面扫描，定位出外延膜上的缺陷101所在的位置。具体可通过激光从外延膜一侧照射，通过检测外延膜反射光线的强度和波长定位外延膜上的缺陷101，缺陷101处反射的光线的强度和波长不同于其他正常区域的强度和波长。步骤S200、如图2所示，在避开缺陷101的区域对LED外延片1进行切割，得到多个显示屏切片2，每个显示屏切片2均包括衬底基片202和外延膜，每个显示屏切片2用于制作一个LED显示屏。步骤S300、如图3和图4所示，将显示屏切片2定位粘贴到临时透光基板3上，LED外延本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种LED显示屏的制备方法，其特征在于，包括步骤：S100、对LED外延片的外延膜进行面扫描，定位出所述外延膜上的缺陷所在的位置；S200、在避开所述缺陷的区域对LED外延片进行切割，得到多个显示屏切片；S300、将所述显示屏切片定位贴到临时透光基板上，所述LED外延片的衬底基片一侧与所述透光基板贴合；S400、在所述临时透光基板上的LED外延片上制作出LED像素点，并制作P电极；S500、将所述临时透光基板上的LED像素点与设置有控制电路的电路背板键合连接，所述临时透光基板的尺寸大于等于所述电路背板的尺寸；S600、去除所述临时透光基板和所述衬底基片，完成单色LED像素点的转移。

【技术特征摘要】
1.一种LED显示屏的制备方法，其特征在于，包括步骤：S100、对LED外延片的外延膜进行面扫描，定位出所述外延膜上的缺陷所在的位置；S200、在避开所述缺陷的区域对LED外延片进行切割，得到多个显示屏切片；S300、将所述显示屏切片定位贴到临时透光基板上，所述LED外延片的衬底基片一侧与所述透光基板贴合；S400、在所述临时透光基板上的LED外延片上制作出LED像素点，并制作P电极；S500、将所述临时透光基板上的LED像素点与设置有控制电路的电路背板键合连接，所述临时透光基板的尺寸大于等于所述电路背板的尺寸；S600、去除所述临时透光基板和所述衬底基片，完成单色LED像素点的转移。2.根据权利要求1所述的LED显示屏的制备方法，其特征在于，在所述步骤S600之后，还包括步骤：S700、重复两次所述步骤S100至所述步骤S600，分别完成另外两个颜色LED像素点向同一所述电路背板的转移，得到包含三色LED像素点的电路背板。3.根据权利要求2所述的LED显示屏的制备方法，其特征在于，在所述步骤S700之后，还包括步骤：S800、在三色LED像素点上制作N电极，在所述三色LED像素点外部设置保护层，得到多个LED显示屏。4.根据权利要求3所述的LED显示屏的制备方法，其特征在于，在所述步骤S800之后还包括步骤：S900、对所述电路背板进行切割，得到单个LED显示屏。5.根据权利要求1所述的LED显示屏的制备方法，其特征在于，在所述步骤S100中，对所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：冯向旭，邹泉波，陈培炫，甘桃，
申请(专利权)人：歌尔股份有限公司，
类型：发明
国别省市：山东,37