一种在N‑极性GaN模板上生长极性交替的GaN结构的方法技术

一种在N‑极性GaN模板上生长极性交替的GaN结构的方法，属于半导体工艺和器件领域。以在蓝宝石衬底上MOCVD生长的N‑极性GaN作为模板，在所述模板上通过光刻工艺制作图案化的光刻胶作为掩膜层，在所述掩膜层上用T‑ALD方法选择性生长用于极性变换的AlN，T‑ALD方法可使工艺温度低于掩膜层的熔点，保证掩膜层不变形，能制备均匀性好、厚度可以精确控制的AlN薄膜，剥离掩膜层图案化AlN，省去了传统图案化工艺的刻蚀步骤，避免了刻蚀对器件结构的损害，最后在裸露的N‑极性GaN模板和图案化的AlN上使用HVPE方法进行厚膜GaN生长，有望得到厚度达1mm的极性交替的GaN结构，以满足高功率器件对厚膜交替极性GaN的要求。

A method of growing GaN structure of alternating polarity in N polar GaN template

A method of growing GaN structure of alternating polarity in N polar GaN template, which belongs to the field of semiconductor process and device. With the growth of MOCVD on sapphire substrate N polar GaN as template, by making a patterned photoresist lithography process on the template as a mask layer in the mask layer by using T ALD method for selective growth polar transform AlN, T ALD method can make the process of temperature under the mask the melting point, the mask layer can ensure no deformation, AlN films have good uniformity, the thickness can be controlled accurately, Peeling Mask patterned AlN etching step eliminates the traditional patterning process, to avoid the damage of etching on the device structure, then use HVPE method on bare N polar GaN template and patterning the AlN on the GaN thick film growth, is expected to be GaN structure of alternating polarity thickness up to 1mm, in order to meet the requirements of high power devices of the thick film alternating polarity GaN.

【技术实现步骤摘要】
一种在N-极性GaN模板上生长极性交替的GaN结构的方法
本专利技术涉及到半导体工艺和器件领域，具体指一种在蓝宝石衬底上生长具有不同极性GaN结构的方法。
技术介绍
纤锌矿结构的GaN具有六方晶体结构，在C-轴方向的正负电荷不是中心对称的，具有本征极化效应，在N与Ga键合中，共价键电子偏向N，所以自发极化的方向是N到Ga，在+C(0001)方向是Ga到N，表现为Ga-极性，所以在-C(000-1)方向表现出N-极性，他们具有明显不同的特性，如化学活性、掺杂效率、极化方向、功函数、表面形态和内电场等。虽然六方的GaN半导体具有这种不同的极性，但目前的GaN基器件仍基本上采用单一极性或单一晶体取向。例如，在电子器件如发光二极管、半导体激光器以及微波大功率晶体管等中常采用的是Ga-极性GaN。近年来，为了把不同极性GaN的不同特征结合起来，研究者致力于在同一模板上生长具有交替Ga-极性和N-极性GaN结构的研究。具有交替极性GaN结构在光学和电学器件中有重要的应用领域。GaN具有大的二次非线性系数，如结合其高热导率、宽带隙和宽的透明窗口，是准相位匹配(quasi-phasematching)型频率转换的理想材料。在准相位匹配技术中，可使用晶体取向变换的周期排列来校正光通过晶体时的相对相位，这是目前非线性光学材料所无法满足的。目前，这种交替极性GaN结构的实现方法仍在不断发展，主要使用异质衬底(如蓝宝石衬底、SiC衬底)，通过使用不同的衬底取向和生长条件、掺杂水平以及缓冲层和成核层来控制外延层GaN的极性。例如，在晶格失配为3.4％的SiC(0001)衬底上使用MOCVD生长GaN时，可在Si极性面的SiC衬底上外延Ga-极性GaN，在C面上获得N-极性GaN。以前用于GaN-极性反转的技术主要是通过Mg掺杂诱导的反转，Mg重掺杂的P型层能将Ga-极性GaN变成N-极性GaN，但这个方法会导致薄膜内掺杂聚集，影响薄膜的质量和合成结构的性能。另外，单层Mg和MgxNy薄层也可将GaN的Ga-极转换为N-极性，虽然它们不会有掺杂聚集的问题出现，但是在N-极性和Ga-极性材料的界面处出现反演畴界。后来在不使用Mg诱导反转的情况下，采用一层薄的极性反转层AlN来控制Ga-极性GaN的生长，文献1(S.Mita.J.Cryst.Growth.311(2009)3044-3048)报道，在蓝宝石衬底上生长极性反转层AlN，再通过光刻和刻蚀工艺得到图案化AlN，然后使用MOCVD方法生长具有交替极性变换的GaN结构。该方法由于采用的是生长速率较慢的外延技术，对实现厚膜生长不利，且刻蚀步骤会对器件的结构造成部分损坏。考虑到GaN具有高的热导率和相对较低的激光阈值，这一特性可用于功率型的频率转换器件，目前的非线性光学材料不能满足要求。对这种高功率应用，需要厚度达1毫米左右的极性交替GaN结构。当前，虽然使用HVPE和氨热法制备GaN体材料日趋成熟，但GaN衬底成本仍居高不下，使用GaN衬底生长周期取向且较厚的GaN结构仍较难普及。
技术实现思路
为了解决上述问题，本专利技术提出在蓝宝石衬底上预先生长N-极性的GaN模板，在模板上通过图案化的掩膜层选择性生长用于极性变换的AlN，剥离掩膜层图案化AlN，最后在裸露的N-极性的GaN模板和图案化AlN上使用HVPE生长厚膜GaN，满足高功率器件需要厚度达1mm的极性交替的GaN要求。本专利技术是通过以下技术方案实现的：一种在蓝宝石衬底上生长具有不同极性GaN结构的方法，所述方法包括以下步骤：(1)在蓝宝石衬底上生长N-极性GaN，得蓝宝石衬底/N-极性GaN结构作为模板；代替了成本较高的GaN衬底，而且避免了直接用蓝宝石衬底时在异质衬底上因晶格失配和热失配产生的缺陷；(2)通过光刻工艺在所述模板上制作图案化的光刻胶作为掩膜层，得蓝宝石衬底/N-极性GaN/图案化光刻胶结构；所述图案化光刻胶是指按照一定的图案去除部分光刻胶保留剩余部分光刻胶同时使相应的位于所述去除部分光刻胶的下层的N-极性GaN裸露。(3)在所述掩膜层和裸露的N-极性GaN上选择性生长极性反转层AlN，得蓝宝石衬底/N-极性GaN/图案化光刻胶/AlN结构。(4)剥离掩膜层，得蓝宝石衬底/N-极性GaN/图案化AlN结构；省去了传统图案化工艺中的刻蚀步骤；图案化AlN是指去除图案化光刻胶同时使相应的位于所述去除部分光刻胶的下层的N-极性GaN裸露。(5)在所述蓝宝石衬底/N-极性GaN/图案化AlN结构上生长GaN，在所述剩余部分AlN上生长的GaN为Ga-极性，在所述裸露的N-极性GaN上生长的GaN为N-极性，得到在蓝宝石衬底上生长具有不同极性GaN结构。进一步地，所述步骤(1)采用C面蓝宝石作为衬底，包括生长N-极性GaN前对所述蓝宝石衬底进行氮化处理。进一步地，所述步骤(2)中所用的光刻胶是耐高温的正胶AZ6130。进一步地，所述步骤(2)中所述的光刻工艺包括匀胶、曝光、显影。进一步地，所述步骤(3)采用低温等离子体增强原子层沉积(PEALD)技术选择性生长AlN，相比传统的CVD技术，它可以直接通过图案化的光刻胶上选择性生长均匀性好、厚度可以精确控制的AlN薄膜；所述的低温为150℃；所述的PEALD制备AlN中Al源为TMA(三甲基铝)；N源为Ar、N2和H2的混合气体；所述混合气体中各气体体积比例为Ar：N2：H2＝1:3:6；所述的选择性生长是指只在裸露的N-极性GaN区域生长AlN,而掩膜层上很难生长AlN。进一步地，所述步骤(4)采用丙酮剥离掩膜层。进一步地，所述步骤(5)采用较快生长速率的氢化物气相外延(HVPE)方法生长极性交替的GaN结构，与生长速率较慢的MOCVD外延方法相比，更有望满足功率型频率转换器件所需厚度达1mm的极性交替的GaN要求。进一步地，所述步骤(5)具体为利用氮气将氯化氢携带到镓舟处与金属镓反应，生成氯化镓，将氨气和所述氯化镓分别引入生长区在所述蓝宝石衬底/N-极性GaN/图案化AlN结构表面生成GaN，可通过控制生长时间来控制GaN厚度；所述镓舟处的温度为800-850℃；所述生长区温度为1050-1070℃；所述氯化氢的流速为0.01slm；所述氨气的流速为0.6-1slm。进一步地，所述步骤(1)中N-极性GaN的厚度为1.5-2um。进一步地，所述步骤(2)中掩膜层的厚度为0.1-1um。进一步地，所述步骤(3)中极性反转层AlN的厚度为20-45nm。进一步地，所述步骤(2)中的图案为等宽、等间距的的条形结构。本专利技术的有益技术效果：(1)本专利技术是以在蓝宝石衬底上外延生长GaN层作为模板，代替了成本较高的GaN衬底，而且避免了直接用蓝宝石衬底时在异质衬底上因晶格失配和热失配产生的缺陷。(2)本专利技术使用PEALD技术直接在图案化掩膜层和裸露的模板上选择性生长极性反转层AlN，与MOCVD(约700℃)生长的AlN相比，该方法可以在低温至150℃条件下制备均匀、厚度可以精确控制的AlN薄膜，且保证掩膜层完好无损；选择性生长使得掩膜层上不会有AlN生成，剥离后即得到图案化AlN,省去了传统图案化工艺中的刻蚀步骤，避免了刻蚀对器件结构的损坏。(3)本专利技术使用较快生长速率的H本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种在N‑极性GaN模板上生长极性交替的GaN结构的方法，其特征在于，所述方法包括以下步骤：(1)在蓝宝石衬底上生长N‑极性GaN，得蓝宝石衬底/N‑极性GaN结构作为模板；(2)通过光刻工艺在所述模板上制作图案化的光刻胶作为掩膜层，得蓝宝石衬底/N‑极性GaN/图案化光刻胶结构；所述图案化光刻胶是指按照一定的图案去除部分光刻胶保留剩余部分光刻胶同时使相应的位于所述去除部分光刻胶的下层的N‑极性GaN裸露；(3)在所述掩膜层和裸露的N‑极性GaN上选择性生长极性反转层AlN，得蓝宝石衬底/N‑极性GaN/图案化光刻胶/AlN结构；(4)剥离掩膜层，得蓝宝石衬底/N‑极性GaN/图案化AlN结构；图案化AlN是指去除图案化光刻胶同时使相应的位于所述去除部分光刻胶的下层的N‑极性GaN裸露；(5)在所述蓝宝石衬底/N‑极性GaN/图案化AlN结构上生长GaN，在所述剩余部分AlN上生长的GaN为Ga‑极性，在所述裸露的N‑极性GaN上生长的GaN为N‑极性，得到在蓝宝石衬底上生长具有N‑极性GaN结构。

【技术特征摘要】
1.一种在N-极性GaN模板上生长极性交替的GaN结构的方法，其特征在于，所述方法包括以下步骤：(1)在蓝宝石衬底上生长N-极性GaN，得蓝宝石衬底/N-极性GaN结构作为模板；(2)通过光刻工艺在所述模板上制作图案化的光刻胶作为掩膜层，得蓝宝石衬底/N-极性GaN/图案化光刻胶结构；所述图案化光刻胶是指按照一定的图案去除部分光刻胶保留剩余部分光刻胶同时使相应的位于所述去除部分光刻胶的下层的N-极性GaN裸露；(3)在所述掩膜层和裸露的N-极性GaN上选择性生长极性反转层AlN，得蓝宝石衬底/N-极性GaN/图案化光刻胶/AlN结构；(4)剥离掩膜层，得蓝宝石衬底/N-极性GaN/图案化AlN结构；图案化AlN是指去除图案化光刻胶同时使相应的位于所述去除部分光刻胶的下层的N-极性GaN裸露；(5)在所述蓝宝石衬底/N-极性GaN/图案化AlN结构上生长GaN，在所述剩余部分AlN上生长的GaN为Ga-极性，在所述裸露的N-极性GaN上生长的GaN为N-极性，得到在蓝宝石衬底上生长具有N-极性GaN结构。2.如权利要求1所述一种在N-极性GaN模板上生长极性交替的GaN结构的方法，其特征在于，所述步骤(1)采用c面蓝宝石作为衬底；包括生长N-极性GaN前对所述蓝宝石衬底进行氮化处理。3.如权利要求1所述一种在N-极性GaN模板上生长极性交替的GaN结构的方法，其特征在于，所述步骤(2)中所用的胶是耐高温的正胶AZ6130；所述的光刻工艺包括匀胶、曝光、显影。4.如权利要求1所述一种在N-极性GaN模板上生长极性交替的GaN结构的方法，其特征在于，所述步骤(3)采用PEALD技术选择性生长AlN；...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘三姐，郑新和，彭铭曾，侯彩霞，王瑾，何荧峰，李美玲，
申请(专利权)人：北京科技大学，
类型：发明
国别省市：北京,11