基板处理设备的天线布置结构以及基板处理设备制造技术

提供一种基板处理设备的天线布置结构，基板处理设备通过使用等离子体而执行基板处理，其中，多个天线线圈包括第一天线线圈、第二天线线圈、第三天线线圈以及第四天线线圈，并且设置为使得：相对于从第一天线线圈的中心点的半径，第二天线线圈的半径设定为118％至123％，第三天线线圈的半径设定为139％至145％，并且第四天线线圈的半径设定为155％至170％。

Antenna arrangement structure for substrate processing apparatus and substrate processing apparatus

The invention provides a substrate processing device of the antenna arrangement structure, substrate processing apparatus and substrate processing execution, including through the use of plasma, multiple antenna coil includes a first antenna coil, second antenna coil, third coil antenna and fourth antenna coils, and arranged so that: compared to the central point from the first antenna coil radius, second antenna coil the radius is set to 118% to 123%, the third antenna coil radius is set to 139% to 145%, and the fourth antenna coil radius is set to 155% to 170%.

【技术实现步骤摘要】
基板处理设备的天线布置结构以及基板处理设备相关申请的交叉引用本申请分别要求于2015年11月20日和2016年7月6日向韩国知识产权局提交的韩国专利申请号10-2015-0163489和10-2016-0085397的优先权，其全部内容通过引用合并于此。
本专利技术涉及一种基板处理设备的天线布置结构以及一种具有所述天线布置结构的基板处理设备。更具体地，本专利技术涉及一种在通过产生等离子体而处理基板的基板处理设备中能够改进基板处理均匀性的天线布置结构以及一种具有所述天线布置结构的基板处理设备。
技术介绍
在制造半导体中，等离子体用于在基板上形成薄膜或处理所需图案。作为使用等离子体的基板处理的代表性实例，可以包括等离子体增强化学气相沉积(PECVD)处理和等离子体刻蚀处理。根据产生等离子体的方法，等离子体处理设备可以分成电容耦合等离子体(CCP)型和电感耦合等离子体(ICP)型。在CCP型等离子体处理设备的情况下，上电极设置在用于形成等离子体的处理室上，而下电极设置在基板支撑件或卡盘下方，基板或基板托盘装载在基板支撑件或卡盘上。相反，在ICP型等离子体处理设备的情况下，用于产生等离子体的天线结构设置在处理室的顶部上或周围。ICP型等离子体基板处理设备包括：处理室，其形成在其中通过使用等离子体处理基板的空间；基板支撑件，其设置在处理室中，并且基板装载在其上；天线，其设置在处理室的顶部上，并且在处理室中形成等离子体；匹配单元，其将射频(RF)电源供应给天线并执行阻抗匹配；等等。在使用等离子体的基板处理设备的基板处理中，处理室中的等离子体均匀性是很重要的。当等离子体在处理室中形成得不均匀时，基板的处理结果根据基板装载在基板支撑件上的位置而变化，以致产生缺陷。在ICP型等离子体基板处理设备的情况下，可以通过布置和形成用于产生等离子体的天线来改变室中的处理条件和状态。但是，在现有技术中的ICP型等离子体基板处理设备内，由于天线的布置特性，等离子体密度在支撑基板的基板支撑件的中心侧处高，并且等离子密度朝向边缘降低，因此，在处理室中没有实现均匀的等离子体密度。处理室中的等离子体密度的不均匀性降低了基板处理的一致性，并且基板的处理结果根据基板在基板支撑件上的位置而变化，以致引起缺陷。
技术实现思路
已经努力做出本专利技术以提供一种基板处理设备的天线布置结构以及一种具有所述天线布置结构的基板处理设备，所述基板处理设备能够在处理室中均匀地处理基板。本专利技术的示例性实施例提供一种基板处理设备的天线布置结构，基板处理设备通过使用等离子体而执行基板处理，天线布置结构包括：天线，其包括设置为基于中心点CP的同心圆的多个天线线圈；以及密度调整板，其调整多个天线线圈的半径，或至少部分地屏蔽在多个天线线圈中产生的感应磁场，以调整处理室中的等离子体密度。多个天线线圈可以包括第一天线线圈、第二天线线圈、第三天线线圈以及第四天线线圈，并且设置为使得：相对于从第一天线线圈的中心点的半径，第二天线线圈的半径设定为118％至123％，第三天线线圈的半径设定为139％至145％，而第四天线线圈的半径设定为155％至170％。相对于第一天线线圈的半径，第二天线线圈的半径可以设定为119％至122％，第三天线线圈的半径可以设定为130％至143％，而第四天线线圈的半径可以设定为159％至165％。第一天线线圈、第二天线线圈、第三天线线圈以及第四天线线圈中的每一个可以在预定位置处被切开，并且供电单元可以连接到一个端部，而地线可以连接到另一个端部。当设定从中心点沿半径方向延伸的标准线CL，并且第一转角是140°时，第二转角可以被设定为10°至50°，第一转角是从标准线沿顺时针方向至第一天线线圈被切开的第一端部的一个角，第二转角是从标准线沿顺时针方向至第二天线线圈被切开的第二端部的一个角。第三转角可以被设定为190°至230°，第三转角是从标准线沿顺时针方向至第三天线线圈被切开的第三端部的一个角。第四转角可以被设定为300°至310°，第四转角是从标准线沿顺时针方向至第四天线线圈被切开的第四端部的一个角。第一至第四天线线圈可以具有四边形的横截面，并且四边形形状的宽度和高度的尺寸可以是从第一天线线圈的中心点的半径的8％至14％。第一天线线圈可以设置在最高的平面上，而第二天线线圈、第三天线线圈以及第四天线线圈可以顺序地设置在较低的平面上。多个孔可以形成在密度调整板上。具有比密度调整板的直径小的直径的圆形空间可以形成在密度调整板的中心处。可以通过减小密度调整板的整体直径与圆形空间的直径的比而增加均匀性。即，当圆形空间的直径相同时，可以通过减小密度调整板的整体直径而增加均匀性。本专利技术的另一个示例性实施例提供一种基板处理设备，所述基板处理设备包括：处理室，其具有用于基板处理的空间；基板支撑件，其定位在处理室中，并且基板加载在其上；以及头单元，其覆盖处理室的顶部，其中，第一至第四天线线圈的布置结构包括在头单元中。根据本专利技术的示例性实施例，可以通过改进天线布置结构而改善处理室中的基板处理的均匀性。因此，可以降低缺陷率，并且提高基板处理效率。通过在用于产生等离子体的天线结构中安装密度调整板还有利于便于应用，以容易改变结构并能够良好地进行等离子体密度调整。上述
技术实现思路
仅是说明性的，而不意图以任何方式进行限制。除了上述的说明性的方面、实施例和特征之外，通过参考附图和以下的详细描述，其他方面、实施例和特征将变得显然。附图说明图1是根据本专利技术的示例性实施例的基板处理设备的截面图。图2是示出了根据本专利技术的示例性实施例的基板处理设备中的天线布置结构的平面图。图3是示出了根据本专利技术的示例性实施例的基板处理设备中的天线布置结构的截面图。图4是用于描绘根据本专利技术的示例性实施例的基板处理设备中的天线布置结构的示图。图5是示出了本专利技术的装载基板的基板托盘的示图。图6是示出了根据本专利技术的另一个示例性实施例的基板处理设备中的天线布置结构的示图。图7是示出了根据本专利技术的又一个示例性实施例的基板处理设备中的天线布置结构的示图。图8至图11是示出了包括在根据本专利技术的示例性实施例的基板处理设备的天线布置结构中的密度调整板的实例的示图。图12是示出了通过设置包括在根据本专利技术的示例性实施例的基板处理设备的天线布置结构中的密度调整板的一个实例执行等离子体刻蚀的结果的示图。图13是示出了通过设置包括在根据本专利技术的示例性实施例的基板处理设备的天线布置结构中的密度调整板的另一实例执行等离子体刻蚀的结果的示图。应当理解的是，附图不一定是按比例的，而是呈现本专利技术的基本原理的各种特征说明的稍作简化的表示。如本文所公开的本专利技术的具体设计特征(包括诸如具体的尺寸、方向、位置和形状)将部分地由特定的预定应用和使用环境来确定在图中，附图标记在附图的全部几个图中表示本专利技术的相同或等同部件。具体实施方式下文将参考附图详细描述本专利技术的示例性实施例。首先，在表示相应图的构成元件的附图标记中，尽管相同的元件在不同的图中被示出，但它们将由相同的附图标记来表示。另外，在以下描述中，可以省略已知的现有技术的详细解释，以避免不必要地模糊本专利技术的主题。另外，在下文中，将描述本专利技术的示例性实施例。但是，应当理解的是，本专利技术的技术主旨不限于具体实施例，而是可以被本本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种基板处理设备的天线布置结构，基板处理设备通过使用等离子体而执行基板处理，天线布置结构包括：天线，其包括设置为基于中心点CP的同心圆的多个天线线圈；以及密度调整板，其调整多个天线线圈的半径，或者至少部分地屏蔽在多个天线线圈中产生的感应磁场，以调整处理室中的等离子体密度。

【技术特征摘要】
2015.11.20 KR 10-2015-0163489;2016.07.06 KR 10-2011.一种基板处理设备的天线布置结构，基板处理设备通过使用等离子体而执行基板处理，天线布置结构包括：天线，其包括设置为基于中心点CP的同心圆的多个天线线圈；以及密度调整板，其调整多个天线线圈的半径，或者至少部分地屏蔽在多个天线线圈中产生的感应磁场，以调整处理室中的等离子体密度。2.如权利要求1所述的天线布置结构，其中，多个天线线圈包括第一天线线圈、第二天线线圈、第三天线线圈以及第四天线线圈，并且设置为使得：相对于从第一天线线圈的中心点的半径，第二天线线圈的半径设定为118％至123％，第三天线线圈的半径设定为139％至145％，而第四天线线圈的半径设定为155％至170％。3.如权利要求2所述的天线布置结构，其中，相对于第一天线线圈的半径，第二天线线圈的半径设定为119％至122％，第三天线线圈的半径设定为130％至143％，而第四天线线圈的半径设定为159％至165％。4.如权利要求2所述的天线布置结构，其中，第一天线线圈、第二天线线圈、第三天线线圈以及第四天线线圈中的每一个在预定位置处被切开，并且供电单元连接到一个端部，而地线连接到另一个端部。5.如权利要求4所述的天线布置结构，其中，当设定从中心点沿半径方向延伸的标准线CL，并且第一转角是140°时，第二转角被设定为10°至50°，第一转角是从标准线沿顺时针方向至第一天线线圈被切开的第一端部的一个角，第二转角是从标准线沿顺时针方向至...

【专利技术属性】
技术研发人员：赵源埈，朴钟赞，金星中，金斗式，明珠，洪思仁，李基洙，柳钟贤，
申请(专利权)人：塔工程有限公司，
类型：发明
国别省市：韩国,KR