一种超低电阻半导电缓冲阻水带制造技术

本发明专利技术公开了一种超低电阻半导电缓冲阻水带，该半导电缓冲阻水带包括半导电无纺布Ⅰ(10)、半导电无纺布Ⅱ(20)、半导电无纺布Ⅰ(10)和半导电无纺布Ⅱ(20)内侧分别涂覆胶黏剂而形成的粘结层Ⅰ(11)和粘结层Ⅱ(21)、以及粘结层Ⅰ(11)和粘结层Ⅱ(21)之间铺设吸水材料形成的阻水层(30)，粘结层Ⅰ(11)和阻水层(30)通过相互浸润和/或渗透形成过渡层Ⅰ(111)，粘结层Ⅱ(21)和阻水层(30)通过相互浸润和/或渗透形成过渡层Ⅱ(211)。本发明专利技术中半导电缓冲阻水带结构简单，表面电阻和体积电阻率远低于当前产品，可适用于超高压电缆的缓冲层。

An ultra-low resistance semi conductive buffer hose

The invention discloses an ultra low resistance semi conductive buffer water blocking, the semi conductive water blocking buffer including semi conductive non-woven 1 (10), semi conductive non-woven II (20), semi conductive non-woven 1 (10) and II (20) semi conductive non-woven adhesive layer of adhesive coated inside were formed (11) and II (21), adhesive layer and adhesive layer of the bonding layer (11) and II (21) between laying resistance water absorbent material formed by the bonding layer (30), 1 (11) and layer (30) through mutual infiltration and / or penetrate the formation of transition layer 1 (111). The bonding layer II (21) and layer (30) through mutual infiltration and / or penetrate the formation of transition layer II (211). The semi conductive buffer water band is simple in structure, the surface resistance and volume resistivity are much lower than the current product, and can be applied to the buffer layer of EHV cables.

【技术实现步骤摘要】
一种超低电阻半导电缓冲阻水带
本专利技术涉及电力电缆领域，尤其涉及一种超低电阻半导电缓冲阻水带。
技术介绍
(超)高压绝缘电缆由核心向外依次包括导体、导体屏蔽层、绝缘层、绝缘屏蔽层、缓冲层、金属套、防腐层、外护套。(超)高压绝缘电缆的缓冲层常为半导电缓冲阻水带材料绕包而成，缓冲层具有半导电特性，起缓冲、弱化电场强度的作用。半导电缓冲阻水带能阻止水分沿电缆纵向进一步扩散，起到电缆纵向阻水功能。然而目前的半导电缓冲阻水带表面电阻和体积电阻率均较大，由于超高压电缆(如500kV超高压电缆)对半导电缓冲阻水带的表面电阻值、体积电阻率值有愈加严格的要求，现有的产品已经不能满足用户要求。因此，由于上述问题的存在，本专利技术人对现有的缓冲层材料进行研究和改进，以期研制出一种超低电阻半导电缓冲阻水带以满足超高压电缆的要求。
技术实现思路
为了解决上述技术问题，本专利技术人进行了锐意研究，通过改变半导电缓冲阻水带的层结构，解决了半导电缓冲阻水带高电阻的问题，从而完成本专利技术。本专利技术目的在于提供以下技术方案：1.一种半导电缓冲阻水带，所述半导电缓冲阻水带包括半导电无纺布Ⅰ10和半导电无纺布Ⅱ20，半导电无纺布Ⅰ10和半导电无纺布Ⅱ20内侧分别设有粘结层Ⅰ11和粘结层Ⅱ21，优选通过在半导电无纺布Ⅰ10和半导电无纺布Ⅱ20内侧分别涂覆胶黏剂而形成，更优选在粘结层Ⅰ11和粘结层Ⅱ21之间设有阻水层30，优选通过在所述粘结层Ⅰ11和粘结层Ⅱ21之间铺设吸水材料形成的，其中，粘结层Ⅰ11和阻水层30通过相互浸润和/或渗透形成过渡层Ⅰ111，并且，粘结层Ⅱ21和阻水层30通过相互浸润和/或渗透形成过渡层Ⅱ211。根据本专利技术提供的一种超低电阻半导电缓冲阻水带，具有如下有益效果：(1)本专利技术中对无纺布Ⅰ和无纺布Ⅱ中至少一种基材进行两次或两次以上的半导电化处理；和/或在不导电吸水树脂中添加大粒径的半导电吸水树脂，极大降低了半导电缓冲阻水带的表面电阻和体积电阻率；(2)由于半导电吸水树脂的粒径大于不导电吸水树脂，过渡层Ⅰ和过渡层Ⅱ中吸水材料主要是半导电吸水树脂与粘结层Ⅰ和粘结层Ⅱ相连，如此，半导电材料在半导电缓冲阻水带的厚度方向上分布范围更大，降低了产品的电阻；(3)本专利技术中半导电缓冲阻水带结构简单，降低了加工难度，便于生产和推广。附图说明图1示出根据本专利技术中半导电缓冲阻水带的结构示意图。附图标号说明10-半导电无纺布Ⅰ；11-粘结层Ⅰ；111-过渡层Ⅰ20-半导电无纺布Ⅱ；21-粘结层Ⅱ；211-过渡层Ⅱ；30-阻水层。具体实施方式下面通过对本专利技术进行详细说明，本专利技术的特点和优点将随着这些说明而变得更为清楚、明确。尽管在附图中示出了实施例的各种方面，但是除非特别指出，不必按比例绘制附图。在本专利技术的描述中，需要说明的是，术语“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于本专利技术工作状态下的方位或位置关系，仅是为了便于描述本专利技术和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本专利技术的限制。本专利技术公开的是一种超低电阻半导电缓冲阻水带，如图1所示，所述半导电缓冲阻水带包括半导电无纺布Ⅰ10和半导电无纺布Ⅱ20，在所述半导电无纺布Ⅰ10和半导电无纺布Ⅱ20内侧分别设有粘结层Ⅰ11和粘结层Ⅱ21，优选通过在半导电无纺布Ⅰ10和半导电无纺布Ⅱ20内侧分别涂覆胶黏剂而形成，进一步地，在粘结层Ⅰ11和粘结层Ⅱ21之间设有阻水层30，优选通过在粘结层Ⅰ11和粘结层Ⅱ21之间铺设吸水材料而形成，其中，粘结层Ⅰ11和阻水层30通过相互浸润和/或渗透形成过渡层Ⅰ111，并且，粘结层Ⅱ21和阻水层30通过相互浸润和/或渗透形成过渡层Ⅱ211。在一种优选的实施方式中，所述半导电无纺布Ⅰ10选自半导电热轧布或半导电粘合布中任意一种。其中，热轧布或粘合布为涤纶布(聚对苯二甲酸乙二醇酯)、锦纶布(聚酰胺纤维)或聚丙烯纤维布(聚丙烯纤维)等材料。热轧布和粘合布的纵向抗张强度和断裂伸长率均较大，在半导电缓冲阻水带抗张强度和断裂伸长率方面其促进作用。半导电无纺布Ⅰ10通过对无纺布Ⅰ(热轧布或粘合布)进行至少一次浸胶或涂胶工序制备得到。所述浸胶是指将无纺布通过导辊浸入盛有半导电胶液的胶槽中的过程；所述涂胶是指通过喷涂设备或刮涂设备将半导电胶液涂覆到无纺布的过程。在进一步优选的实施方式中，半导电缓冲阻水带中半导电无纺布Ⅰ10的厚度为0.10～0.20mm，优选为0.12～0.15mm。在一种优选的实施方式中，所述半导电无纺布Ⅱ20选自半导电蓬松针刺棉。所述半导电无纺布Ⅱ20通过对无纺布Ⅱ(蓬松针刺棉)进行至少一次浸胶或涂胶工序制备。蓬松针刺棉相对于热轧布和粘合布具有较高的厚度和弹性，其能有效缓冲绝缘层和金属层，防止损伤绝缘层。在本专利技术中，无纺布Ⅰ和无纺布Ⅱ中至少有一种进行两次或两次以上的半导电化处理工序。在进一步优选的实施方式中，半导电缓冲阻水带中半导电无纺布Ⅱ20的厚度为0.8～1.6mm，优选为1.0～1.4mm。在一种优选的实施方式中，粘结层Ⅰ11由胶黏剂涂覆而成，所述胶黏剂为有机溶剂型或水性胶黏剂，优选为水性胶黏剂，更优选为丙烯酸乳液、醋酸乙烯酯乳液、苯丙乳液或聚丙烯酰胺乳液中任意一种或其组合。其中，有机溶剂型半导电胶液是指以有机溶剂作为溶剂的半导电胶液；水性半导电胶液是指以水作为溶剂的半导电胶液。粘结层Ⅱ21中胶黏剂为有机溶剂型或水性型胶黏剂，优选为水性胶黏剂，更优选为丙烯酸乳液、醋酸乙烯酯乳液、苯丙乳液或聚丙烯酰胺乳液中任意一种或其组合。粘结层Ⅰ11和粘结层Ⅱ21中粘结剂的组分可相同或不同。在一种优选的实施方式中，吸水材料铺设于粘结层Ⅰ11和粘结层Ⅱ21之间形成阻水层30，所述吸水材料包括不导电吸水树脂(即普通吸水树脂，不具备导电性能)，不导电吸水树脂的粒径为100～120μm。在进一步优选的实施方式中，所述不导电吸水树脂中还掺有半导电吸水树脂，所述半导电吸水树脂的粒径为150～380μm。半导电吸水树脂在吸水材料中的比例为10％～30％(体积比)。所述半导电吸水树脂通过将不导电吸水树脂与水性半导电胶液混合，然后经烘干、打磨、粒径筛选等工序制备而成，其中，半导电吸水树脂的吸水量控制在其最大吸水量的1/10。其中，所述水性半导电胶液是指以水作为溶剂的半导电胶液。在一种优选的实施方式中，过渡层Ⅰ111和过渡层Ⅱ211是粘结层Ⅰ11和粘结层Ⅱ21与阻水层30在一定压力下压制时相互浸润和/或渗透而形成的混合材料层。过渡层中吸水材料和胶黏剂紧密结合，增加了位于半导电缓冲阻水带中部的吸水材料的固定程度。优选地，胶黏剂为水性胶黏剂，此时不导电吸水树脂(和/或半导电吸水树脂)吸收胶黏剂中的水，进一步增加了粘合程度。在进一步优选的实施方式中，所述过渡层Ⅰ111、过渡层Ⅱ211和阻水层30的总厚度为0.2～0.5mm。其中，由于半导电吸水树脂的粒径大于不导电吸水树脂，过渡层Ⅰ111和过渡层Ⅱ211中吸水材料主要是半导电吸水树脂与粘结层Ⅰ11和粘结层Ⅱ21相连，如此，半导电材料在半导电缓冲阻水带的厚度方向上分布范围更大，降低了产品的电阻。本专利技术中通过将无纺布进行至少一次浸胶工艺和/或选用含有半导电吸水树脂的吸水材料，可极大降低生产得到的半导电缓冲本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导电缓冲阻水带，包括半导电无纺布Ⅰ(10)和半导电无纺布Ⅱ(20)，其特征在于，在所述半导电无纺布Ⅰ(10)和半导电无纺布Ⅱ(20)内侧分别设有粘结层Ⅰ(11)和粘结层Ⅱ(21)，优选通过在半导电无纺布Ⅰ(10)和半导电无纺布Ⅱ(20)内侧分别涂覆胶黏剂而形成，更优选在所述粘结层Ⅰ(11)和粘结层Ⅱ(21)之间设有阻水层(30)，优选通过在所述粘结层Ⅰ(11)和粘结层Ⅱ(21)之间铺设吸水材料而形成，其中，粘结层Ⅰ(11)和阻水层(30)通过相互浸润和/或渗透形成过渡层Ⅰ(111)，并且，粘结层Ⅱ(21)和阻水层(30)通过相互浸润和/或渗透形成过渡层Ⅱ(211)。

【技术特征摘要】
1.一种半导电缓冲阻水带，包括半导电无纺布Ⅰ(10)和半导电无纺布Ⅱ(20)，其特征在于，在所述半导电无纺布Ⅰ(10)和半导电无纺布Ⅱ(20)内侧分别设有粘结层Ⅰ(11)和粘结层Ⅱ(21)，优选通过在半导电无纺布Ⅰ(10)和半导电无纺布Ⅱ(20)内侧分别涂覆胶黏剂而形成，更优选在所述粘结层Ⅰ(11)和粘结层Ⅱ(21)之间设有阻水层(30)，优选通过在所述粘结层Ⅰ(11)和粘结层Ⅱ(21)之间铺设吸水材料而形成，其中，粘结层Ⅰ(11)和阻水层(30)通过相互浸润和/或渗透形成过渡层Ⅰ(111)，并且，粘结层Ⅱ(21)和阻水层(30)通过相互浸润和/或渗透形成过渡层Ⅱ(211)。2.根据权利要求1所述的半导电缓冲阻水带，其特征在于，所述半导电无纺布Ⅰ(10)选自半导电热轧布或半导电粘合布，半导电无纺布Ⅰ(10)的厚度为0.10～0.20mm。3.根据权利要求1或2所述的半导电缓冲阻水带，其特征在于，半导电无纺布Ⅰ(10)的厚度为0.12～0.15mm。4.根据权利要求1至3之一所述的半导电缓冲阻水带，其特征在于，所述半导电无纺布Ⅱ(20)优选为半导电蓬松针刺棉，半导电无纺布Ⅱ(...

【专利技术属性】
技术研发人员：李鑫鑫，王巍，
申请(专利权)人：沈阳东铄电材有限公司，
类型：发明
国别省市：辽宁,21