高介电聚合复合物膜组合物、电容膜及其制备方法与封装方法技术

本发明专利技术为一种高介电聚合复合物膜组合物，其可作为高分子介电电容膜，用于封装电子组件。本发明专利技术之高介电聚合复合物膜组合物包含硅氧烷化合物改质之高介电材料粉末，其可提供形成之膜层具有高介电。本发明专利技术之高分子介电电容膜包含一离形片、一高介电聚合复合物膜层、一感压黏着层及一基膜层，封装后可直接进行切割，无须额外黏附切割胶带，使封装制程更为简便及快速。

High dielectric composite film composition, capacitor film, method for producing the same, and packaging method

The invention relates to a high dielectric composite composite membrane composition, which can be used as a high polymer dielectric capacitor film for encapsulating an electronic component. The high dielectric composite membrane composition of the present invention comprises a high dielectric material powder modified by a siloxane compound, which provides a formed layer with high dielectric properties. The invention of the polymer dielectric film includes a capacitor from a high dielectric sheet, polymeric composite film, a pressure sensitive adhesive layer and a basal layer, the package can be directly carried out after cutting, no additional adhesive tape cutting, the packaging process is more convenient and fast.

【技术实现步骤摘要】
高介电聚合复合物膜组合物、电容膜及其制备方法与封装方法
本专利技术系关于一种高介电聚合复合物膜组合物，其可做为高分子介电电容膜，用于封装电子产品，特别系半导体芯片及指纹辨识芯片。
技术介绍
随着电子产品日趋薄型，如何藉由封装减少电子产品的体积及使用效能，系为目前所积极发展之技术。良好的封装材料必须提供高机械强度、耐温度变化、耐冲击、抗腐蚀及氧化等多种特性，以保护电子组件。惯用封装材料为高分子复合材料，主要成分为塑料材质，例如环氧树脂，其可并搭配其他材料，例如陶瓷或金属等成分，以调整封装材料之性能的特性。而适于封装电子组件之材料通常为高介电，具有较高的电容量。常见的封装方法包含有真空热压成型及网版印刷成型。真空热压成型系将芯片置入压模具中，并使用粉状、粒状、片状、或团粒状的塑料或金属涂积在芯片上，在真空下经高温高压成型以封装芯片。网版印刷系将在芯片上覆盖网版后，将液状封装材料倒入该网版中，使封装材料硬化后即可封装芯片。封装制程中，封装芯片会使用切割胶带以利于分切割电子组件，良好的切割胶带必须与其他封装用的积层膜紧密黏合，使切割时不易有切割边翘起及容易破裂等问题。然而，目前惯用的封装方法之制程多为繁琐耗时；真空热压成型之封装方法必须得先将芯片置入压模具中，并使用粉状、粒状、片状、或团粒状的塑料或金属涂积在芯片上，在真空下经高温高压成型以封装芯片。而网版印刷之封装方法则需将在芯片上覆盖网版后，将液状封装材料倒入该网版中，使封装材料硬化后才可封装芯片。此外，由于封装过程过于复杂，若有一步骤执行不全，便会造成封装效果不佳。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提升封装制程速度及封装效果，提供了一种高分子介电电容膜，其可直接黏附于电子组件进行封装，且由于已附有切割胶带，因此无须额外步骤积层切割胶带，即封装后便可直接进行切割，以提升制程效率。另外，本专利技术之高分子介电电容膜包含高介电聚合复合物膜层，其具有高介电之特性，可有效提升电子组件的电容性。本专利技术采用以下技术方案：一种用于制备高介电聚合复合物膜之组成物，其包含热固性树脂、紫外光硬化树脂、硅氧烷化合物改质之高介电材料粉末。于较佳实施例中，该高介电材料粉末系选自由氧化铝、钛酸钡、氧化锆或二氧化钛所组成之群组。于较佳实施例中，该硅氧烷化合物为N-苯基-3-氨基丙基三甲氧基硅烷。本专利技术提供了一种高分子介电电容膜，依序包括一离形片、一高介电聚合复合物膜层、一感压黏着层及一基膜层；其中该高介电聚合复合物膜层系形成于该离形片之可剥离面上，且包含上述之任一项之组成物。于较佳实施例中，该高介电聚合复合物膜层与该感压黏着层之间的黏着力为10～60cN/25mm。于较佳实施例中，该高分子介电电容膜系用于指纹辨识芯片或半导体封装之用途。本专利技术提供了一种上述之任一项之高分子介电电容膜之制备方法，其包含：(a)提供一离形片及一切割胶带，该切割胶带包含一感压黏着层及一基膜层；(b)混合热固性树脂、紫外光硬化树脂及硅氧烷化合物改质之高介电材料粉末，获得一高介电聚合复合物浆液；(c)将该高介电聚合复合物浆液涂覆于该离形片之可剥离面上，形成一湿膜，并烘烤形成一高介电聚合复合物膜层；(d)将该高介电聚合复合物膜层置于该切割胶带之感压黏着层之上，并加热加压贴合，获得该高分子介电电容膜。本专利技术提供了一种半导体芯片之封装方法，该方法包含剥离上述之任一项之高分子介电电容膜之离形片后，将该高介电聚合复合物膜层黏着于一表面具有电路之半导体切割基板任意面。本专利技术提供了一种指纹辨识芯片之封装方法，该方法包含：(a)提供一基板，该基板具有一对表面以及多个接垫，该对表面分别位于该基板的两侧，而该些接垫裸露于其中一该表面；(b)设置一指纹辨识芯片于该基板上；将至少一导线利用反向打线的方式电性连接其中至少一该接垫以及该指纹辨识芯片；(c)完成打线之后，剥离上述之任一项之高分子介电电容膜之离形片，将该高介电聚合复合物膜层积层于该基板上，该高介电聚合复合物膜层覆盖该指纹辨识芯片以及该导线。于较佳实施例中，上述之封装方法中，该高介电聚合复合物膜层与半导体切割基板任意面或该指纹辨识芯片之基板的黏着力为850～1300cN/25mm；且当该高介电聚合复合物膜层与该感压黏着层之间的黏着力为a，该高介电聚合复合物膜层与半导体切割基板任意面或该指纹辨识芯片之基板的黏着力为b时，b/a为0.5～50，a<b。附图说明图1为本专利技术之高分子介电电容膜之示意图。图2为本专利技术之高分子介电电容膜之制造方法示意图。图3为本专利技术之半导体芯片之封装方法示意图。图4为其他通用之半导体芯片之封装方法示意图。图5为本专利技术之指纹辨识芯片之封装方法示意图。上述图中的附图标记说明如下：1高介电聚合复合物膜层1.1高介电聚合复合物浆液1’电容膜3离形片5压感黏着层7基膜层9半导体切割基板11电路13接垫14基板15导线17指纹辨识芯片具体实施方式本专利技术之用于制备高介电聚合复合物膜之组成物，其包含热固性树脂、紫外光硬化树脂、硅氧烷化合物改质之高介电材料粉末。上述之热固性树脂、紫外光硬化树脂及硅氧烷化合物改质之高介电材料粉末之比例为20～40wt％:5～15wt％:45～75wt％，例如：20wt％:5wt％:75wt％、25wt％:5wt％:70wt％、30wt％:5wt％:65wt％、35wt％:5wt％:60wt％、40wt％:5wt％:55wt％、20wt％:10wt％:70wt％、20wt％:15wt％:65wt％、25wt％:10wt％:65wt％、25wt％:15wt％:60wt％、30wt％:5wt％:65wt％、30wt％:10wt％:60wt％、30wt％:15wt％:55wt％、35wt％:5wt％:60wt％、35wt％:10wt％:55wt％、35wt％:15wt％:50wt％、40wt％:5wt％:55wt％、40wt％:10wt％:50wt％或40wt％:15wt％:45wt％。上述之热固性树脂系选自聚苯醚树脂、聚亚酰胺树脂、聚酰胺树脂、聚乙烯醇树脂、聚乙烯酚树脂、聚丙烯酸酯树脂、环氧树脂、聚胺基甲酸酯树脂、含氟高分子树脂、聚硅氧烷树脂、聚酯树脂、聚丙烯腈树脂、聚苯乙烯树脂或聚乙烯树脂所组成之群组。且，上述之树脂可进一步具有反应性官能基团，例如羟基、羧基、烯基、胺基、酸酐基、马来酸酐基等。其中，具有反应性官能基的聚苯醚树脂包含具有丙烯酸基的聚苯醚树脂、具有乙烯基的聚苯醚树脂及具有羟基的聚苯醚树脂等；具有反应性官能基的苯乙烯共聚物或寡聚物包含苯乙烯-马来酸酐共聚物；具有反应性官能基的丁二烯共聚物或寡聚物包含聚丁二烯及丁二烯-苯乙烯等；环氧树脂包含双酚A型环氧树脂、溴化环氧树脂、酚醛清漆型环氧树脂、双酚F型环氧树脂、氢化双酚A型环氧树脂、缩水甘油基胺型环氧树脂、乙内酰脲型环氧树脂、脂环式环氧树脂、三羟基苯基甲烷型环氧树脂、双-二甲酚型或双酚型环氧树脂或该些之混合物、双酚S型环氧树脂、双酚A酚醛清漆型环氧树脂、四苯基酚醇(PHENYLOL)乙烷型环氧树脂、杂环式环氧树脂、二缩水甘油基苯甲酸脂树脂、四缩水甘油基二甲酚基乙烷树脂、含有萘基之环氧树脂、含氮之环氧树脂、具有二环戊二烯骨架之环氧树脂、缩水甘油基甲基丙烯酸酯共聚合系环氧树脂、环己基马来酰亚本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种用于制备高介电聚合复合物膜之组成物，其特征在于：包含热固性树脂、紫外光硬化树脂、硅氧烷化合物改质之高介电材料粉末。

【技术特征摘要】
1.一种用于制备高介电聚合复合物膜之组成物，其特征在于：包含热固性树脂、紫外光硬化树脂、硅氧烷化合物改质之高介电材料粉末。2.根据权利要求1所述用于制备高介电聚合复合物膜之组成物，其特征在于：该高介电材料粉末系选自由氧化铝、钛酸钡、氧化锆或二氧化钛所组成之群组。3.根据权利要求2所述用于制备高介电聚合复合物膜之组成物，其特征在于：该硅氧烷化合物为N-苯基-3-氨基丙基三甲氧基硅烷。4.一种高分子介电电容膜，其特征在于：依序包括一离形片、一高介电聚合复合物膜层、一感压黏着层及一基膜层；其中该高介电聚合复合物膜系形成于该离形片之可剥离面上，且包含如权利要求1至3任一项之组成物。5.根据权利要求4所述的高分子介电电容膜，其特征在于：该高介电聚合复合物膜层与该感压黏着层间的黏着力为10～60cN/25mm。6.根据权利要求4或5所述的高分子介电电容膜，其特征在于：其系用于指纹辨识芯片或半导体封装之用途。7.一种根据权利要求4至6任一项所述的高分子介电电容膜之制备方法，其特征在于：包含：(a)提供一离形片及一切割胶带，该切割胶带包含一感压黏着层及一基膜层；(b)混合热固性树脂、紫外光硬化树脂及硅氧烷化合物改质之高介电材料粉末，获得一高介电聚合复合物浆液；(c)将该高介电聚合复合物浆液涂覆于该离形片之可剥离面...

【专利技术属性】
技术研发人员：郑宪徽，伍得，颜铭佑，
申请(专利权)人：武汉市三选科技有限公司，
类型：发明
国别省市：湖北,42