一种电阻子电路噪声模型结构及其建模方法技术

一种电阻子电路噪声模型结构及其建模方法，其包括电阻子电路和并联到所述电阻子电路的两端的噪声源，用于将电阻子电路的噪声特性加入到电阻子电路模型中；其中，电阻子电路是根据电阻器件模型建模时所需要满足的电阻精度要求形成；噪声源噪声值的大小和电阻子电路的长宽和流经电阻子电路的电流与所述电阻子电路两端所加的电压频率相关。因此，本发明专利技术是将在电阻子电路中加入精确的电阻噪声模型，使电阻电子模型更加完善，使噪声拟合的很好，且使电阻电子模型的仿真结果更接近实际测量数据，从而提高了电阻子电路模型的仿真结果的可信度。

Noise model structure of resistor sub circuit and modeling method thereof

A sub circuit resistance noise model and modeling method, which includes resistance sub circuits and parallel to the noise source resistance circuit, for noise resistance into sub circuit resistance sub circuit model; the resistance is based on the sub circuit resistance device modeling to meet resistance accuracy the size and frequency dependent formation; voltage resistance sub circuit noise source and the noise value of the width and length of the sub circuit current through the resistor and the resistor at both ends of the sub circuit. Therefore, the invention is added to the precise model of the noise resistance in the circuit resistance, the resistance model is more perfect, make noise fit very well, and the simulation model of the electronic resistance results closer to the actual measurement data, so as to improve the simulation result and the credibility of the sub circuit model of resistance.

【技术实现步骤摘要】
一种电阻子电路噪声模型结构及其建模方法
本专利技术涉及集成电路设计领域，尤其涉及一种优化的电阻子电路噪声模型结构及其建模方法。
技术介绍
以硅基器件为代表的半导体器件在电子信息技术及产业中的应用使社会进入到了信息化和网络化的时代。半导体器件的持续改进、完善以及不断涌现的新器件促使电子工业加速发展，但激烈的竞争也让半导体行业倍感压力。由于技术更新快，设备和原材料的投入相当巨大，时间是成本的一大组成，如何更早地将产品推向市场，是决定生存和发展的关键。为了缩短开发周期，半导体器件的设计需要一种快速而有效的设计工具，采用半导体器件计算机仿真方法，在参数提取、互连建模、模拟、数字和射频电路设计等半导体仿真设计领域获得了广泛应用。MOSFET是超大规模集成电路芯片(CPU和RAM等)中的主要器件，电阻子电路是CPU和RAM等中的重要部件。然而，在目前的半导体器件计算机仿真过程中，即在电阻器件模型建模时，为了满足精度的需要，电阻器件模型会完全写成电子子电路的形式，该子电路的形式不会再调用原来的电阻固定(compact)模型，原来的电阻固定模型具有的噪声特性也随之去掉，导致电阻子电路模型没有噪声特性，电路设计者无法对电阻的噪声特性进行仿真。以40纳米P型SAB多晶硅电阻模型为例，请参阅图1，图1为现有技术中采用的电阻子电路模型(没有调用原来的电阻固定模型)后，即没有噪声特性的仿真结果示意图；其中，折线为不同电流下噪声对频率的测量数据，直线为相应仿真值。如图所示，该模型常用的电阻子电路模型，在加电压进行仿真模拟后，虽然直流特性准确，但是没有电阻噪声特性，造成频率特性与设计数据不符，不能模拟噪声数据；这使电阻子电路模型的仿真结果的可信性大打折扣。
技术实现思路
为了克服以上问题，本专利技术旨在提供一种改进的电阻子电路噪声模型结构及其建模方法，其目的是把电阻的噪声特性加入到电阻子电路模型中，使其具备噪声特性，满足电路设计者对电阻进行噪声仿真的需要。为实现上述目的，本专利技术的技术方案如下：一种电阻子电路噪声模型结构，其包括电阻子电路和并联到所述电阻子电路的两端的噪声源，用于将电阻子电路的噪声特性加入到电阻子电路模型中；其中，所述电阻子电路是根据电阻器件模型建模时所需要满足的电阻精度要求形成；所述噪声源噪声值的大小和所述电阻子电路的长宽和流经所述电阻子电路的电流与所述电阻子电路两端所加的电压频率相关。所述噪声源噪声的大小的公式如下：其中，kf，af，lf，wf，ef是可以根据所述噪声源噪声值的大小进行调整的参数，weff是所述电阻子电路的有效宽度，leff是电阻的有效长度，i(r1)是流经所述电阻子电路的电流，hertz为所述电阻子电路上的两端所加的电压频率值。为实现上述目的，本专利技术还提供另一种技术方案如下：一种电阻子电路噪声模型结构的建模方法，其包括：步骤S1：根据电阻器件模型建模时所需要满足的电阻精度要求，将所述电阻器件模型转换成电阻子电路的形式；步骤S2：将电阻子电路的噪声特性加入到电阻子电路模型中；即将所述电阻子电路的两端并一个噪声源；其中，所述噪声源噪声值的大小和所述电阻子电路的长宽和流经所述电阻子电路的电流与所述电阻子电路两端所加的电压频率相关；步骤S3：将具有预定电压频率值的电压加载到所述电阻子电路上的两端进行仿真运算。从上述技术方案可以看出，本专利技术是将在电阻子电路中加入精确的电阻噪声模型，使电阻电子模型更加完善，使噪声拟合的很好，且使电阻电子模型的仿真结果更接近实际测量数据，从而提高了电阻子电路模型的仿真结果的可信度。附图说明图1为现有技术中采用的电阻子电路模型(没有调用原来的电阻固定模型)后，即没有噪声特性的仿真结果示意图；其中，折线为不同电流下噪声对频率的测量数据，直线为相应仿真值图2为本专利技术实施例中电阻子电路噪声模型结构具有噪声特性的电阻子电路的示意图，其中，噪声源并联到电阻两端图3为本专利技术实施例中电阻子电路噪声模型结构的建模方法流程示意图图4为本专利技术实施例中采用带有噪声源的电阻子电路模型后的仿真结果示意图，该电阻子电路模型噪声特性和仿真测量数据拟合很好；其中，折线为不同电流下噪声对频率的测量数据，直线为相应仿真值具体实施方式体现本专利技术特征与优点的实施例将在后段的说明中详细叙述。应理解的是本专利技术能够在不同的示例上具有各种的变化，其皆不脱离本专利技术的范围，且其中的说明及图示在本质上当作说明之用，而非用以限制本专利技术。以下结合附图，通过具体实施例对本专利技术的电阻子电路噪声模型结构及其建模方法作进一步详细说明。由于现有技术中设计人员仅根据电阻器件模型建模时所需要满足的电阻精度要求，将电阻器件模型转换成电阻子电路的模型，没有考虑电阻噪声，虽然直流特性准确，造成频率特性与实际测试数据不符的缺陷。在本专利技术的实施例中，本专利技术设计一种改进的电阻子电路噪声模型结构，在电阻子电路中加入精确的电阻噪声模型，使电阻模型更加完善，设计者电路仿真更接近实际测量数据。请参阅图2，图2为本专利技术实施例中电阻子电路噪声模型结构具有噪声特性的电阻子电路的示意图。如图所示，该电阻子电路噪声模型结构包括电阻子电路和并联到电阻子电路的两端的噪声源，用于将电阻子电路的噪声特性加入到电阻子电路模型中；其中，电阻子电路是根据电阻器件模型建模时所需要满足的电阻精度要求形成；噪声源噪声值的大小和电阻子电路的长宽和流经电阻子电路的电流与电阻子电路两端所加的电压频率相关。请参阅图3，图3为本专利技术实施例中电阻子电路噪声模型结构的建模方法流程示意图。如图所示，该电阻子电路噪声模型结构的建模方法，其包括：步骤S1：根据电阻器件模型建模时所需要满足的电阻精度要求，将电阻器件模型转换成电阻子电路的形式。步骤S2：将电阻子电路的噪声特性加入到电阻子电路模型中；即将电阻子电路的两端并一个噪声源；其中，噪声源噪声值的大小和电阻子电路的长宽和流经电阻子电路的电流与电阻子电路两端所加的电压频率相关。在本专利技术的实施例中，噪声源噪声的大小公式如下：其中，kf，af，lf，wf，ef是可以根据噪声源噪声值的大小进行调整的参数，weff是电阻子电路的有效宽度，leff是电阻的有效长度，i(r1)是流经电阻子电路的电流，hertz为电阻子电路上的两端所加的电压频率值。具体地，将上述噪声源并联到电阻的两端，其大小用上述公式表示。以40纳米P型SAB多晶硅电阻模型为例，把上述噪声源噪声大小公式转换成模型识别的格式：noise＝'kf*pwr(abs(i(r1)),af)/(pwr(leff,lf)*pwr(weff,wf)*pwr(hertz,ef))'那么整个改进后的电阻子电路模型的代码表示可以如下：有了上述电阻子电路模型后，就可以执行仿真操作了，即执行步骤S3：将具有预定电压频率值的电压加载到电阻子电路上的两端进行仿真运算。请参阅图4，图4为本专利技术实施例中采用带有噪声源的电阻子电路模型后的仿真结果示意图，该电阻子电路模型噪声特性和仿真测量数据拟合很好；其中，折线为不同电流下噪声对频率的测量数据，直线为相应仿真值。以上的仅为本专利技术的实施例，实施例并非用以限制本专利技术的专利保护范围，因此凡是运用本专利技术的说明书及附图内容所作的等同结构变化，同理均应包含在本专利技术的保护范围内。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种电阻子电路噪声模型结构，其特征在于，包括电阻子电路和并联到所述电阻子电路的两端的噪声源，用于将电阻子电路的噪声特性加入到电阻子电路模型中；其中，所述电阻子电路是根据电阻器件模型建模时所需要满足的电阻精度要求形成；所述噪声源噪声值的大小和所述电阻子电路的长宽和流经所述电阻子电路的电流与所述电阻子电路两端所加的电压频率相关。

【技术特征摘要】
1.一种电阻子电路噪声模型结构，其特征在于，包括电阻子电路和并联到所述电阻子电路的两端的噪声源，用于将电阻子电路的噪声特性加入到电阻子电路模型中；其中，所述电阻子电路是根据电阻器件模型建模时所需要满足的电阻精度要求形成；所述噪声源噪声值的大小和所述电阻子电路的长宽和流经所述电阻子电路的电流与所述电阻子电路两端所加的电压频率相关。2.根据权利要求1所述的电阻子电路噪声模型结构，其特征在于，所述噪声源噪声的大小的公式如下：其中，kf，af，lf，wf，ef是可以根据所述噪声源噪声值的大小进行调整的参数，weff是所述电阻子电路的有效宽度，leff是电阻的有效长度，i(r1)是流经所述电阻子电路的电流，hertz为所述电阻子电路上的两端所加的电压频率值。3.一种权利要求1中所述电阻子电路噪声模型结构的建模方法，其特征在于，包...

【专利技术属性】
技术研发人员：彭兴伟，王伟，
申请(专利权)人：上海华力微电子有限公司，
类型：发明
国别省市：上海,31