防伪材料及其制备方法技术

本发明专利技术公开了一种防伪材料及其制备方法，该防伪材料的制备方法包括以下步骤：(1)制备混合物一：混合B、N、Mo、C和S粉末并进行高温加压处理，得到液相的混合物一；(2)制备混合物二：混合Si粉末和H

【技术实现步骤摘要】
防伪材料及其制备方法
本专利技术涉及防伪材料领域，尤其涉及一种防伪材料及其制备方法。
技术介绍
目前市场上的防伪材料多以微观颗粒的物理随机排列作为识别被标识物的真伪，通过光刻或者蚀刻的方式得到这些微观颗粒活着符号。生产工艺复杂，对原材料的要求极高，生产效率低下，并且现有的微观颗粒防伪技术无法直观存储被标识物信息，如生产品类、生产厂家、生产批次等，现有技术只能通过防伪颗粒同其他电子技术进行绑定后完成信息的存储和溯源，同时，物理识别的方式仍然有一定的被仿冒的风险。
技术实现思路
本专利技术的主要目的在于解决防伪材料制备工艺复杂、容易被仿冒的技术问题。为实现上述目的，本专利技术提供的一种防伪材料的制备方法，包括以下步骤：(1)制备混合物一：混合B、N、Mo、C和S粉末，对混合后的B、N、Mo、C和S粉末进行高温加压处理，得到液相的混合物一；(2)制备混合物二：混合Si粉末和H2，对Si粉末和H2进行高温加压处理，得到气液混合状的混合物二；(3)导入培养基：混合所述混合物一和所述混合物二，并进行超声波处理，将经过超声波处理的混合物一和混合物二导入固定形态的培养基；(4)生成二维纳米片：对导入到固定形态的培养基的混合物一和混合物二进行高频磁力电极反应处理，于所述固定形态的培养基生成至少一层二维纳米片；(5)剥离：对所述二维纳米片进行剥离处理，将所述至少一层二维纳米片与所述固定形态的培养基剥离，获得所述防伪材料。优选的，所述固定形态的培养基设有牺牲层，在步骤(3)中，将经过超声波处理的混合物一和混合物二导入固定形态的培养基，混合物一和混合物二覆盖所述牺牲层和所述固定形态的培养基未设有牺牲层的区域；在步骤(4)中，于所述牺牲层和所述固定形态的培养基未设有牺牲层的区域生成至少一层二维纳米片；在步骤(5)中，对所述二维纳米片进行剥离处理，将牺牲层和位于所述牺牲层上的至少一层二维纳米片与所述固定形态的培养基进行剥离，获得所述防伪材料，所述防伪材料包括牺牲层和位于所述牺牲层的至少一层二维纳米片。优选的，所述混合物二与所述混合物一的质量比大于3倍。优选的，所述步骤(1)中，B、N、Mo、C和S粉末的摩尔比为4～13:4～13:0～5:7～17:5～15。优选的，所述步骤(1)中，对B、N、Mo、C和S粉末在离心混合筛中进行混合，混合的时间为10～18个小时，对混合后的B、N、Mo、C和S粉末进行高温加压处理，所述高温加压处理是在热压炉进行，所述高温加压处理的条件为：在保护气体作用下，真空度为2.5～7个大气压，温度为1000～1800度，压力为30～40Mpa。优选的，所述步骤(2)中，H2和Si粉末的摩尔比为1～5:0.5～3。优选的，所述步骤(2)中，高温加压处理的条件为：压力为26～29Mpa，温度为1500～1700度，反应时间为30～45小时。优选的，所述步骤(5)中，所述剥离处理为：对所述二维纳米片依次进行强溶剂处理和弱溶剂处理，所述强溶剂处理为：将二维纳米片浸泡于强碱性溶液中3～5分钟；所述弱溶剂处理为：将二维纳米片浸泡于酒精和去离子水的混合溶液中3～5分钟。本专利技术还提供一种防伪材料，所述防伪材料包括至少一层二维纳米片，所述二维纳米片包括B、N、Mo、C、S、Si及H元素，所述防伪材料的厚度为0.1mm～3mm。优选的，所述防伪材料包括牺牲层和位于所述牺牲层的至少一层二维纳米片。本专利技术通过在固定形态的培养基上导入混合物一和混合物二，对导入到所述固定形态的培养基的混合物一和所述混合物二进行高频磁力电极反应处理，于所述固定形态的培养基生成至少一层二维纳米片，将至少一层二维纳米片进行剥离处理后，形成于固定形态的培养基上的至少一层二维纳米片被剥离，剥离的至少一层二维纳米片具有与所述固定形态的培养基相匹配的形状，如文字、图形或颜色等。由于二维纳米片本身具有的光电特性，携带有被标记物的光谱信息，该防伪材料的制备工艺简单，工序形成后无法仿造，可识别性更强，不易被仿冒。附图说明图1为本专利技术一实施例防伪材料的制备流程示意图；图2为本专利技术一实施例防伪材料的剥离原理示意图；图3为本专利技术一实施例防伪材料的制备原理示意图；图4为本专利技术一实施例防伪材料成型的示意图。本专利技术目的的实现、功能特点及优点将结合实施例，参照附图做进一步说明。具体实施方式应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本专利技术，并不用于限定本专利技术。本专利技术提供一种防伪材料的制备方法。参照图1至图4，图1为本专利技术一实施例防伪材料的制备流程示意图；图2为本专利技术一实施例防伪材料的剥离原理示意图；图中A为混合物一的制备过程中状态变化示意图，B为混合物二的制备过程中状态变化示意图，C为剥离过程中混合物一和混合物二的状态变化示意图。图3为本专利技术一实施例防伪材料的制备原理示意图；图中防伪材料通过磁力电子泵后形成的防伪材料示意图。图4为本专利技术一实施例防伪材料成型的示意图，其中正字的防伪图文信息为正字和圆圈，还可以导入颜色信息，光谱信息对应被标志物的生产信息和/或产品信息。所谓“表面牺牲层”技术，即在形成微机械结构的空腔或可活动的微结构过程中，先在下层薄膜上用结构材料淀积所需的各种特殊结构件，再用化学刻蚀剂将此层薄膜腐蚀掉，但不损伤微结构件，然后得到上层薄膜结构(空腔或微结构件)。由于被去掉的下层薄膜只起分离层作用，故称其为牺牲层(厚度约1～2μm)。常用的结构材料有多晶硅、单晶硅、氮化硅、氧化硅和金属等，常用牺牲层材料主要有氧化硅、多晶硅、光刻胶。所述防伪材料的制备方法，包括以下步骤：S101：(1)制备混合物一：混合B、N、Mo、C和S粉末，对混合后的B、N、Mo、C和S粉末进行高温加压处理，得到液相的混合物一；S102：(2)制备混合物二：混合Si粉末和H2，对Si粉末和H2进行高温加压处理，得到气液混合状的混合物二；S103：(3)导入培养基：混合所述混合物一和所述混合物二，并进行超声波处理，将经过超声波处理的混合物一和混合物二导入固定形态的培养基；S104：(4)生成二维纳米片：对导入到固定形态的培养基的混合物一和混合物二进行高频磁力电极反应处理，于所述固定形态的培养基生成至少一层二维纳米片；S105：(5)剥离：对所述二维纳米片进行剥离处理，将所述至少一层二维纳米片与所述固定形态的培养基剥离，获得所述防伪材料。通过步骤一得到的混合物一包括液相的B、N、Mo、C和S，混合物一作为二维纳米片的基体材料，通过步骤二得到的混合物二包括液相的Si和气相的H2，作为混合物一的外延生长载体，该载体主要通过Si和H之间的电荷以及电位作用，作为液相B、N、Mo、C和S混合物的载流子疏导底料，混合所述混合物一和所述混合物二，并进行超声波处理，混合物一和混合物二之间经过反复3～10次的堆积，即B、N、Mo、C和S原子与H原子通过范德华力结合，或B、N、Mo、C和S原子与Si原子通过范德华力结合，或是B、N、Mo、C和S原子与H-Si原子通过范德华力结合，将经过超声波处理后的混合物一和混合物二导入固定形态的培养基，以此改变混合物一和混合物二的排布形状，并经过高频磁力电极反应处理，生成二维纳米片，对导入到固定形态的培养基的混合物一和混合物二的进行高频磁力电极反应处理，生成至少一层二维纳米片，对所述二维纳米片本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种防伪材料的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：(1)制备混合物一：混合B、N、Mo、C和S粉末，对混合后的B、N、Mo、C和S粉末进行高温加压处理，得到液相的混合物一；(2)制备混合物二：混合Si粉末和H

【技术特征摘要】
1.一种防伪材料的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：(1)制备混合物一：混合B、N、Mo、C和S粉末，对混合后的B、N、Mo、C和S粉末进行高温加压处理，得到液相的混合物一；(2)制备混合物二：混合Si粉末和H2，对Si粉末和H2进行高温加压处理，得到气液混合状的混合物二；(3)导入培养基：混合所述混合物一和所述混合物二，并进行超声波处理，将经过超声波处理的混合物一和混合物二导入固定形态的培养基；(4)生成二维纳米片：对导入到固定形态的培养基的混合物一和混合物二进行高频磁力电极反应处理，于所述固定形态的培养基生成至少一层二维纳米片；(5)剥离：对所述二维纳米片进行剥离处理，将所述至少一层二维纳米片与所述固定形态的培养基剥离，获得所述防伪材料。2.如权利要求1所述的防伪材料的制备方法，其特征在于，所述固定形态的培养基设有牺牲层，在步骤(3)中，将经过超声波处理的混合物一和混合物二导入固定形态的培养基，混合物一和混合物二覆盖所述牺牲层和所述固定形态的培养基未设有牺牲层的区域；在步骤(4)中，于所述牺牲层和所述固定形态的培养基未设有牺牲层的区域生成至少一层二维纳米片；在步骤(5)中，对所述二维纳米片进行剥离处理，将牺牲层和位于所述牺牲层上的至少一层二维纳米片与所述固定形态的培养基进行剥离，获得所述防伪材料，所述防伪材料包括牺牲层和位于所述牺牲层的至少一层二维纳米片。3.如权利要求1所述的防伪材料的制备方法，其特征在于，所述混合物二与所述混合物一的质量比大于3倍。4.如权利要求1...

【专利技术属性】
技术研发人员：郑国义，郑杰思，张瑞，
申请(专利权)人：深圳市循真科技有限公司，
类型：发明
国别省市：广东,44