多层电磁屏蔽膜及其制备方法技术

本发明专利技术公开了多层电磁屏蔽膜及其制备方法，该电磁屏蔽膜从最外层至次底层为屏蔽层，底层为树脂绝缘层；树脂绝缘层为纯树脂层；每一屏蔽层为在基体树脂中加入导电填料形成的层状结构，导电填料包括镍粉、银粉、碳纳米管、石墨烯中一种或多种；在相邻两层屏蔽层中，下层屏蔽层的导电填料添加量大于上层屏蔽层的导电填料添加量。本发明专利技术所制备的多层电磁屏蔽膜的电磁屏蔽性能优异，力学强度和韧性良好；同时，生产工艺简单、成本低，可实现完全连续规模化生产。

【技术实现步骤摘要】
多层电磁屏蔽膜及其制备方法
本专利技术涉及一种电磁屏蔽膜，尤其涉及一种具有多层结构的电磁屏蔽膜，以及一种用流延机通过连续多次流延来制备的多层电磁屏蔽膜。
技术介绍
电磁屏蔽薄膜主要是靠具有导电性能的材料制成的薄膜，以抑制电磁干扰。现有的电磁屏蔽膜结构单一，屏蔽效果不理想，为达到优异的电磁屏蔽性能，往往是向多层结构发展，但是多层结构仅仅处在实验室研究阶段，不能规模化连续生产，生产过程耗时耗力，成本较高。基于这种情况，亟需一种方法简单、可以规模化来制备电磁屏蔽性能优异的多层电磁屏蔽膜。
技术实现思路
针对上述问题中存在的不足之处，本专利技术提供多层电磁屏蔽膜及其制备方法。为实现上述目的，本专利技术提供一种多层电磁屏蔽膜，该电磁屏蔽膜从最外层至次底层为屏蔽层，底层为树脂绝缘层；所述树脂绝缘层为纯树脂层；每一所述屏蔽层为在基体树脂中加入导电填料形成的层状结构，所述导电填料包括镍粉、银粉、碳纳米管、石墨烯中一种或多种；在相邻两层屏蔽层中，下层屏蔽层的导电填料添加量大于上层屏蔽层的导电填料添加量。作为本专利技术的进一步改进，所述基体树脂与树脂绝缘层的树脂为同一种成膜性树脂。作为本专利技术的进一步改进，所述成膜性树脂选用PVB树脂。作为本专利技术的进一步改进，电磁屏蔽膜的单层厚度为5～100μm。本专利技术还提供一种多层电磁屏蔽膜的制备方法，包括：步骤1、根据电磁屏蔽膜的层数，配置多份树脂固含量相同的树脂溶液；步骤2、在树脂溶液中加入不同量的导电填料，配置多份浆料溶液；所述导电填料包括镍粉、银粉、碳纳米管、石墨烯中一种或多种，所述导电填料的加入量为树脂含量的0wt％～80wt％；步骤3、将不含导电填料的浆料溶液进行流延，形成树脂绝缘层；步骤4、根据导电填料加入量的高低，由高至低将浆料溶液在树脂绝缘层上依次进行流延，形成屏蔽层；步骤5、完成多层电磁屏蔽膜的制备。作为本专利技术的进一步改进，在步骤1中：将树脂溶于甲苯、乙醇的混合溶剂中，并加入增塑剂，配置树脂固含量为0.05～0.25g/ml的树脂溶液。作为本专利技术的进一步改进，所述树脂选用PVB树脂，所述增塑剂为邻苯二甲酸二辛酯(DOP)、三甘醇二异辛酸酯(3GO)中的一种，所述增塑剂的加入量为树脂含量的1wt％～5wt％。与现有技术相比，本专利技术的有益效果为：本专利技术公开的多层电磁屏蔽膜及其制备方法，所制备的多层电磁屏蔽膜的电磁屏蔽性能优异，力学强度和韧性良好；同时，生产工艺简单、成本低，可实现完全连续规模化生产。附图说明图1为本专利技术一种实施例公开的多层电磁屏蔽膜的结构图；图2为本专利技术一种实施例公开的多层电磁屏蔽膜的制备流程图；图3为本专利技术一种实施例公开的多层电磁屏蔽膜的成型示意图。图中：1、屏蔽层；2、树脂绝缘层；3、浆料罐；4、浆料输送管；5、流延机头；6、10、12、13滚轴；7、8、9加热设备；11、PET膜带轴；14、PET膜带收卷轴。具体实施方式下面将结合本专利技术实施例中的附图，对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整的描述。显然，本专利技术的绝缘聚合物基电磁屏蔽材料并不局限于所描述的实施例。基于本专利技术中的实施例，熟悉本
的人员还可据此做出多种变化，但任何与本专利技术等同或相类似的变化都属于本专利技术保护的范围。本专利技术的目的是提供一种结构简单、电磁屏蔽性能优异的多层电磁屏蔽膜及制备方法，以简化生产工艺、降低生产成本的同时制备性能优异的电磁屏蔽膜。目前用溶液流延法制备电磁屏蔽膜很少被规模化，一是由于设备的局限，二是制备的电磁屏蔽性能不稳定。为了解决上述问题，本专利技术提供一种用流延法制备的多层电磁屏蔽膜，电磁屏蔽膜采用多层结构，从最外层至次底层为屏蔽层，底层为树脂绝缘层；屏蔽层和树脂绝缘层的基体树脂均为同一种成膜性树脂；树脂绝缘层为纯树脂层，屏蔽层中添加导电填料。其制备过程完全连续规模化，电磁屏蔽膜以树脂作为基体树脂，(树脂为聚乙烯醇缩丁醛(PVB))，其中导电填料包括(镍粉、银粉、碳纳米管、石墨烯)导电粉体填料，导电填料单独一种使用或者两种或两种以上复合使用。如图1所示，本专利技术的多层电磁屏蔽膜是一种含量渐变的五层结构，每层厚度通过流延机机头刀口的缝隙可控制单层厚度在5～100μm之间，整体5层膜的厚度可控制在25～500μm范围内。从表面自上至下(1至4层)为屏蔽层，屏蔽层中自上而下导电填料含量依次增大，即：第4层导电填料含量＞第3层导电填料含量＞第2层导电填料含量＞第1层导电填料含量；最底层(第5层)为树脂绝缘层，树脂绝缘层为纯树脂层。其中，本专利技术的屏蔽层是在基体树脂中添加导电填料形成，屏蔽层的基体树脂与树脂绝缘层的纯树脂均为聚乙烯醇缩丁醛(PVB)。如图2所示，本专利技术多层电磁屏蔽膜的制备方法为：步骤1、根据电磁屏蔽膜的层数为5层，配置5份树脂固含量相同的树脂溶液，树脂固含量为0.05～0.25g/ml；其中：将聚乙烯醇缩丁醛(PVB)树脂，甲苯、乙醇的混合溶剂，增塑剂加入到反应釜中配置树脂溶液；增塑剂为邻苯二甲酸二辛酯(DOP)、三甘醇二异辛酸酯(3GO)中的一种，增塑剂的加入量为树脂含量的1wt％～5wt％。步骤2、在5份树脂溶液中分别加入不同含量的导电填料，配置5份浆料溶液；其中，导电填料包括(镍粉、银粉、碳纳米管、石墨烯)等导电粉体填料，导电填料单独一种使用或者两种或两种以上复合使用；导电填料的加入量为树脂含量的0wt％～80wt％，有1份浆料溶液中导电填料的加入量为0。步骤3、将不含导电填料的浆料溶液在流延机上进行流延，形成树脂绝缘层；流延机具体可选用日本平野流延机，具体流延方法为：如图3所示，PET膜带轴11与PET膜带收卷轴14之间通过滚轴6、10、12、13带动PET膜带运动，同时在PET膜带的运动方向上设有加热设备7、8、9。调整好流延机头5刀口缝隙的宽度、浆料罐3出料压力、PET膜带收卷速度，将不含导电填料的浆料溶液倒入浆料罐3中，浆料在浆料罐3中通过浆料输送管4传输至流延机头5中，浆料受到压力通过刀口的窄缝喷射到对面的PET膜带上，PET膜带受PET膜带收卷轴14的收卷力作用向后收卷到PET膜带收卷轴14上，膜片传送过程中有加热干燥区间，即加热设备7、8、9；树脂膜内的溶剂挥发，树脂干燥，在PET膜带上成膜，如上述，在PET膜带上形成第一层膜即树脂绝缘层，将收卷的树脂绝缘层换到PET膜带轴11上，方便第二层膜的附着，如图2A所示。步骤4、根据4份浆料溶液中导电填料加入量的高低，由高至低将浆料溶液在树脂绝缘层上依次进行流延，形成屏蔽层；具体流延方法为：将导电填料含量最高的浆料溶液倒入浆料罐3中，按照步骤3的方法，在第一层膜(树脂绝缘层)上流延形成第二层膜，即导电填料含量最高的屏蔽层，如图2B所示；将导电填料含量次高的浆料溶液倒入浆料罐3中，按照步骤3的方法，在第二层膜(导电填料含量最高的屏蔽层)上流延形成第三层膜，即导电填料含量次高的屏蔽层，图2C所示；将导电填料含量第三高的浆料溶液倒入浆料罐3中，按照步骤3的方法，在第三层膜(导电填料含量次高的屏蔽层)上流延形成第四层膜，即导电填料含量第三高的屏蔽层，图2D所示；将导电填料含量最低的浆料溶液倒入浆料罐3中，按照步骤3的方法，在第四层膜(导电填料含量第三高的屏蔽层)上流延形成第五层膜，即导电填料含量最低的屏蔽层，图2E所示本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种多层电磁屏蔽膜，其特征在于，该电磁屏蔽膜从最外层至次底层为屏蔽层，底层为树脂绝缘层；所述树脂绝缘层为纯树脂层；每一所述屏蔽层为在基体树脂中加入导电填料形成的层状结构，所述导电填料包括镍粉、银粉、碳纳米管、石墨烯中一种或多种；在相邻两层屏蔽层中，下层屏蔽层的导电填料添加量大于上层屏蔽层的导电填料添加量。

【技术特征摘要】
1.一种多层电磁屏蔽膜，其特征在于，该电磁屏蔽膜从最外层至次底层为屏蔽层，底层为树脂绝缘层；所述树脂绝缘层为纯树脂层；每一所述屏蔽层为在基体树脂中加入导电填料形成的层状结构，所述导电填料包括镍粉、银粉、碳纳米管、石墨烯中一种或多种；在相邻两层屏蔽层中，下层屏蔽层的导电填料添加量大于上层屏蔽层的导电填料添加量。2.如权利要求1所述的多层电磁屏蔽膜，其特征在于，所述基体树脂与树脂绝缘层的树脂为同一种成膜性树脂。3.如权利要求2所述的多层电磁屏蔽膜，其特征在于，所述成膜性树脂选用PVB树脂。4.如权利要求1所述的多层电磁屏蔽膜，其特征在于，电磁屏蔽膜的单层厚度为5～100μm。5.一种如权利要求1-4中任一项所述的多层电磁屏蔽膜的制备方法，其特征在于，包括：步骤1、根据电磁屏蔽膜的层数，配置多份树脂固含量相同的树脂溶液；步骤2、...

【专利技术属性】
技术研发人员：段磊，
申请(专利权)人：北京元六鸿远电子科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：北京,11