一种熔锡装置制造方法及图纸

本发明专利技术涉及感应加热技术领域，公开了一种熔锡装置。包括电路板仓和高频振荡电路，所述高频震荡电路包括谐振电路板、谐振线圈和续流电感，所述谐振电路板和续流电感设置在电路板仓内部，所述谐振线圈包括两个串联的第二高频线圈和第三高频线圈，所述第二高频线圈和第三高频线圈的一端相互拧在一起形成抽头，所述抽头与续流电感可拆卸式连接，所述第二高频线圈和第三高频线圈的另一端伸入电路板仓与谐振电路板可拆卸式连接，所述电路板仓为空心的圆筒形。谐振线圈产生按正弦规律变化的电压，对谐振线圈中的器件进行涡流加热，使加热均匀，能量损耗低。

【技术实现步骤摘要】
一种熔锡装置
本专利技术涉及感应加热
，特别是一种熔锡装置。
技术介绍
热风枪是现在常用的芯片拆除焊接设备，其通过热空气的流动达到热传导的目的，其能量传递方式就限制了其效率以及加热面积；热空气流动进行热传导的热量损耗较高，且加热不均匀、不能给较大面积加热。因此，如果能提供一种小型的加热面积可控、能量传递过程中损耗少的加热设备，将解决上述困扰，给人们生活带来便利。
技术实现思路
本专利技术所要解决的技术问题是：针对上述存在的问题，减少热损耗，适应不同面积的加热，提供了一种熔锡装置。本专利技术采用的技术方案如下：一种熔锡装置，包括电路板仓和高频振荡电路，所述高频震荡电路包括谐振电路板、谐振线圈和续流电感，所述谐振电路板和续流电感设置在电路板仓内部，所述谐振线圈包括两个串联的第二高频线圈和第三高频线圈，所述第二高频线圈和第三高频线圈的一端相互拧在一起形成抽头，所述抽头与续流电感可拆卸式连接，所述第二高频线圈和第三高频线圈的另一端伸入电路板仓与谐振电路板可拆卸式连接，所述电路板仓为空心的圆筒形。进一步的，所述高频震荡电路具体包括电源、第一电阻、第二电阻、第三电阻、第四电阻、第一电容、第一高频线圈、第一晶体管、第二晶体管、第一二极管、第二二极管、第三二极管、第四二极管、第五二极管、第六二极管、第二高频线圈、第三高频线圈，所述第一高频线圈是续流电感，所述第一电阻的第一端与第一高频线圈的第一端、第四电阻的第一端、电源正极连接，所述第一电阻的第二端与第二电阻的第一端、第一二极管的第二端、第三二极管的第一端、第一晶体管的控制端连接，所述第一高频线圈的第二端与第二高频线圈的第二端、第三高频线圈的第一端连接，所述第四电阻的第二端与第三电阻的第二端、第六二极管的第一端、第四二极管的第二端、第二晶体管的控制端连接，所述第一二极管的第一端与第三高频线圈的第二端端、第一电容的第二端、第五二极管的第二端、第二晶体管的第一端连接，所述第六二极管的第二端与第二高频线圈的第一端、第一电容的第一端、第二二极管的第一端、第一晶体管的第一端连接，所述第二电阻的第二端、第三二极管的第二端、第一晶体管的第二端、第二二极管的第二端、第三电阻的第一端、第四二极管的第一端、第二晶体管的第二端、第五二极管的第一端接入电源地。进一步的，所述高频震荡电路还包括保护电路，所述保护电路耦接于供电端和第一高频线圈的第一端之间，包括参考电压产生电路和反馈环路，所述参考电压产生电路包括并联电路和第七电阻，所述并联电路包括并联的第七齐纳二极管、第八电阻和第二电容，所述并联电路的第一端接地，所述并联电路的第二端耦接第七电阻的第一端，所述反馈环路包括第三晶体管、第一放大器、第二放大器和第九电阻，所述第三晶体管的第一端耦接供电端，所述第三晶体管的第二端耦接第一高频线圈的第一端，所述第三晶体管的控制端耦接第一放大器的输出端，所述第一放大器的第二输入端耦接并联电路的第二端，所述第一放大器的第一输入端耦接第二放大器的输出端，所述第二放大器的输入端耦接第一高频线圈的第一端，所述第二放大器的输出端耦接第九电阻后耦接地，所述第三晶体管为场效应晶体管或者MOS晶体管或者三极管。进一步的，所述保护电路还包括电阻网络、比较器和放电通路，所述电阻网络包括第十电阻、第十一电阻、第十二电阻和第十三电阻，所述第十电阻的第一端耦接供电端，所述第十电阻的第二端耦接第十一电阻后耦接地，所述第十二电阻的第一端耦接供电端，所述第十二电阻的第二端耦接第十三电阻后耦接地，所述第十电阻的第二端耦接比较器的第一输入端，所述第十二电阻的第二端耦接比较器的第二输入端，所述放电通路控制端耦接至所述比较器输出端，所述放电通路第一端耦接至第一放大器的第二输入端，所述放电通路第一端耦接至接地端。进一步的，所述放电通路包括串联的N-MOS晶体管和第十四电阻，所述比较器的输出端连接N-MOS晶体管的控制端，所述N-MOS晶体管的第二端耦接地，所述N-MOS晶体管的第一端耦接第十四电阻的第一端，所述第十四电阻的第二端耦接第一放大器的第二输入端。进一步的,所述第十电阻和第十二电阻均为匹配电阻，第十一电阻的温度系数大于第十三电阻的温度系数，常温下第十一电阻的阻值小于第十三电阻的阻值。进一步的，所述第三二极管、第四二极管为稳压二极管，所述第一二极管、第二二极管、第五二极管、第六二极管为快恢复二极管。进一步的，第一晶体管和第二晶体管均为场效应晶体管。进一步的，所述电路板仓具有小孔，所述小孔设置了高频震荡电路中电源的开关。进一步的，所述第一高频线圈、第二高频线圈和第三高频线圈的直径为20mm。进一步的，所述第一高频线圈、第二高频线圈和第三高频线圈的匝数为5匝。综上所述，由于采用了上述技术方案，本专利技术的有益效果是：整体结构简单、使用方便；在输入高于12伏电压时，能实现对第一高频线圈中的器件进行涡流加热，避免了通过介质进行热传导过程中的耗散问题；续流电感即第一高频线圈与谐振线圈通过可拆卸方式连接，可以改变第一高频线圈的直径，即可简单灵活的改变加热面积。附图说明图1是本专利技术的熔锡装置的结构示意图。图2是本专利技术的高频震荡电路200结构示意图。图3是本专利技术具有保护电路的高频振动电路300结构示意图。图4是本专利技术保护电路400的结构示意图。图5是图4中保护电路进一步优化的保护电路500结构示意图。图6是本专利技术一个实施例的温度调节曲线。具体实施方式下面结合附图对本专利技术做进一步描述。为了使本专利技术的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下结合附图及实施例，对本专利技术进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本专利技术，并不用于限定本专利技术。如图1，一种熔锡装置，包括电路板仓2和高频振荡电路，所述高频震荡电路包括谐振电路板、谐振线圈1和续流电感，所述谐振电路板和续流电感设置在电路板仓内部，所述谐振线圈1包括两个串联的第二高频线圈L2和第三高频线圈L3，所述第二高频线圈L2和第三高频线圈L3的一端相互拧在一起形成抽头，所述抽头与续流电感可拆卸式连接，所述第二高频线圈L2和第三高频线圈L3的另一端伸入电路板仓2与谐振电路板可拆卸式连接，所述电路板仓为空心的圆筒形。高频线圈工作时，所述第二高频线圈L2和第三高频线圈L3发生谐振，电压按正弦规律变化，便可以给所述第二高频线圈L2和第三高频线圈L3中的器件进行涡流加热。所述第一高频线圈L1、第二高频线圈L2和第三高频线圈L3均为铜线组成。如图2所示，所述高频震荡电路200具体包括电源、第一电阻R1、第二电阻R2、第三电阻R3、第四电阻R4、第一电容C1、第一高频线圈L1、第一晶体管Q1、第二晶体管Q2、第一二极管D1、第二二极管D2、第三二极管D3、第四二极管D4、第五二极管D5、第六二极管D6、第二高频线圈L2、第三高频线圈L3；所述第一电阻R1的第一端与第一高频线圈L1的第一端、第四电阻R4的第一端、电源正极连接，所述第一电阻R1的第二端与第二电阻R2的第一端、第一二极管D1的第二端、第三二极管D3的第一端、第一晶体管Q1的控制端连接，所述第一高频线圈L1的第二端与第二高频线圈L2的第二端、第三高频线圈L3的第一端连接，所述第四电阻R4的第二端与第三电阻R3的第二端、第六二极管D6的第一端、第四二极管D4的第本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种熔锡装置，其特征在于，包括电路板仓和高频振荡电路，所述高频震荡电路包括谐振电路板、谐振线圈和续流电感，所述谐振电路板和续流电感设置在电路板仓内部，所述谐振线圈包括两个串联的第二高频线圈和第三高频线圈，所述第二高频线圈和第三高频线圈的一端相互拧在一起形成抽头，所述抽头与续流电感可拆卸式连接，所述第二高频线圈和第三高频线圈的另一端伸入电路板仓与谐振电路板可拆卸式连接，所述电路板仓为空心的圆筒形。

【技术特征摘要】
1.一种熔锡装置，其特征在于，包括电路板仓和高频振荡电路，所述高频震荡电路包括谐振电路板、谐振线圈和续流电感，所述谐振电路板和续流电感设置在电路板仓内部，所述谐振线圈包括两个串联的第二高频线圈和第三高频线圈，所述第二高频线圈和第三高频线圈的一端相互拧在一起形成抽头，所述抽头与续流电感可拆卸式连接，所述第二高频线圈和第三高频线圈的另一端伸入电路板仓与谐振电路板可拆卸式连接，所述电路板仓为空心的圆筒形。2.如权利要求1所述的熔锡装置，其特征在于，所述高频震荡电路包括电源、第一电阻、第二电阻、第三电阻、第四电阻、第一电容、第一高频线圈、第一晶体管、第二晶体管、第一二极管、第二二极管、第三二极管、第四二极管、第五二极管、第六二极管、第二高频线圈、第三高频线圈，所述第一高频线圈是续流电感，所述第一电阻的第一端与第一高频线圈的第一端、第四电阻的第一端、电源正极连接，所述第一电阻的第二端与第二电阻的第一端、第一二极管的第二端、第三二极管的第一端、第一晶体管的控制端连接，所述第一高频线圈的第二端与第二高频线圈的第二端、第三高频线圈的第一端连接，所述第四电阻的第二端与第三电阻的第二端、第六二极管的第一端、第四二极管的第二端、第二晶体管的控制端连接，所述第一二极管的第一端与第三高频线圈的第二端端、第一电容的第二端、第五二极管的第二端、第二晶体管的第一端连接，所述第六二极管的第二端与第二高频线圈的第一端、第一电容的第一端、第二二极管的第一端、第一晶体管的第一端连接，所述第二电阻的第二端、第三二极管的第二端、第一晶体管的第二端、第二二极管的第二端、第三电阻的第一端、第四二极管的第一端、第二晶体管的第二端、第五二极管的第一端接入电源地。3.如权利要求2所述的熔锡装置，其特征在于：还包括保护电路，所述保护电路耦接于供电端和第一高频线圈的第一端之间，包括参考电压产生电路和反馈环路，所述参考电压产生电路包括并联电路和第七电阻，所述并联电路包括并联的第七齐纳二极管、第八电阻和第二电容，所述并联电路的第一端接地，所述并联电路的第二端耦接第七电阻的第一端，所述第七电阻的第二端耦接供电端，所述反馈环路包括第三晶体管、第一放大器、第二放大器和第九电阻，所述第...

【专利技术属性】
技术研发人员：王海时，李艾伟，李英祥，杜江，谷少伟，文奥，李珂，
申请(专利权)人：成都信息工程大学，
类型：发明
国别省市：四川,51