缺陷诱导高光催化H2生产二维MoS2纳米层的制备方法技术
【技术实现步骤摘要】
缺陷诱导高光催化H2生产二维MoS2纳米层的制备方法
本专利技术涉及一种缺陷诱导高光催化H2生产二维MoS2纳米层的制备方法，属于光催化剂
技术介绍
随着我国经济的快速发展和人民生活水平的普遍提高，对于能源的需求量也日益增加，，氢气是未来取代化石燃料最理想的能源载体。合适的电催化剂，如Pt、Au、Ag、Cu等金属离子对电化学析氢反应有着重要的作用，但是他们的价格比较昂贵，作为催化剂也受到极大的限制。二硫化钼晶体主要存在着两种晶型：六方晶系和斜方晶系，结构与石墨类似。二硫化钼在析氢反应中可以作为催化剂，而且二硫化钼可以通过不同的方法制取，例如：微机械力剥离法、锂离子插层法、热分解法、化学气相沉积法、水热法与溶剂法[等。二硫化钼作为一种的半导体二维材料，它的间接带隙为约为1.29eV，且二硫化钼的组成在地球上也是大量的存在。所以，在催化方面，二硫化钼有望成为贵金属的代替品。
技术实现思路
本专利技术的目的是提供一种缺陷诱导高光催化H2生产二维MoS2纳米层的制备方法，通过四硫代钼酸铵和N,N-二甲基甲酰胺(DMF)水热法MoS2单体。本专利技术二维MoS2纳米层光催化剂具有非常好的光催化性能，在常温、常压和光照下，就能快速制取氢气，且具有持久的光催化活性。本产品通过不同温度制备得到了一种廉价高效的光催化剂。一种缺陷诱导高光催化H2生产二维MoS2纳米层的制备方法，步骤如下：四硫代钼酸铵在200℃合成二硫化钼：称取1mmol的四硫代钼酸铵，加入35ml的N,N-二甲基甲酰胺，超声45min，然后将溶液移入50ml的聚四氟乙烯反应釜中，在200℃的鼓风干燥箱...
【技术保护点】
一种缺陷诱导高光催化H
【技术特征摘要】
1.一种缺陷诱导高光催化H2生产二维MoS2纳米层的制备方法，其特征为：步骤如下：四硫代钼酸铵在200℃合成二硫化钼：称取1mmol的四硫代钼酸铵，加入35ml的N,N-二甲基甲酰胺，超声45min，然后将溶液移入50ml的聚四氟乙烯反应釜中，在200℃的鼓风干燥箱中反应24h，待在室温自然冷却后，离心分离，分别用去离子水和无水乙醇各洗涤3次，最后在80℃的真空干燥箱中干燥24h，最终的产物为二维MoS2纳米层单体，标记为MoS2-1。...
【专利技术属性】
技术研发人员：谢宇，刘玉应，凌云，戴玉华，
申请(专利权)人：南昌航空大学，
类型：发明
国别省市：江西,36
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