一种多晶硅废气处理与余热利用装置及工艺制造方法及图纸

技术编号:15481740 阅读:199 留言:0更新日期:2017-06-02 23:04
本发明专利技术公开了一种多晶硅废气处理与余热利用装置及工艺,废气处理与余热利用装置包括废气冷凝回收罐、废气淋洗塔A、废气淋洗塔B、碱液池和液封水槽,所述的废气冷凝回收罐串接在用于废气汇总的废气管中,废气管末端连接所述的废气淋洗塔A,废气淋洗塔A的底部设置在碱液池中,废气淋洗塔A通过连通管连接废气淋洗塔B,废气淋洗塔B的底部设置在碱液池中,废气淋洗塔B通过排气管连接设置在液封水槽的放空管;所述的碱液池还通过碱液管分别连接至废气淋洗塔A和废气淋洗塔B的底部,并在碱液管管路中设置有碱液泵;所述的废气淋洗塔A的反应区设置有余热利用机构。通过本发明专利技术,氯硅烷得到有效的回收利用,解决环境污染,降低能耗。

【技术实现步骤摘要】
一种多晶硅废气处理与余热利用装置及工艺
本专利技术属于多晶硅生产制造
,具体涉及一种多晶硅废气处理与余热利用装置及工艺。
技术介绍
随着太阳能光伏产业的迅速发展,多晶硅的需求将持续增长。多晶硅生产中产生的废气大多属于易燃易爆、有毒有害物质,主要来源于精馏工序、还原工序、尾气回收工序(CDI)、氢化工序和合成工序等。目前,多晶硅生产企业基本上都采用碱液淋洗法对多晶硅废气进行处理,具有工艺简单、投资和运行成本较低等优点。但随着近几年多晶硅厂产能和规模的快速扩大,产生的废气量也随之激增,原废气处理工艺呈现出很多问题:1、工艺过于简单,容易造成资源浪费。多晶硅生产工艺主要由精馏工序、还原工序、CDI工序、氢化工序等组成,来自这些工序的废气中含有一定量的氯硅烷(主要为SiHCl3、SiCl4和SiH2Cl2),如果直接进入废气处理工艺,不仅会造成氯硅烷物料的白白浪费,还会消耗大量的碱液,同时固体废渣的处理成本也会大大增加。2、适用能力较差。多晶硅生产工艺是一个连续、完整的闭路循环过程,如果生产过程中的某一工序或某一个环节出现了问题,都有可能会对多晶硅生产系统的稳定性造成影响,从而造成废气量剧增,例如:①由于天然气压力的波动,水蒸汽压力的可能会瞬间升高,导致精馏工序精馏塔塔顶温度和压力升高而出现“跑料”现象;②由多种原因引起的CDI工序超负荷运行,造成废气量剧增;③设备故障、检修等也会产生大量的废气。3、环境污染严重。容易因废气处理不充分而导致大量白色烟雾的产生,不仅造成资源浪费,还对环境造成了严重的污染。4、安全性差。在多晶硅尾气处理实际生产过程中,尾气处理装置及放空气体时常发生着火和爆炸事故,不仅对多晶硅生产的正常运行产生影响,还对生产安全造成了极大的威胁。发生着火和爆炸主要原因:①由于废气中所含的SiHCl3、SiH2Cl2、H2均属于易燃易爆物质,其中SiH2Cl2的自燃点为44±3℃,属于极易燃烧的物质;②在废气处理工艺过程中,碱液和废气反应后会产生大量的热量,温度会迅速升高;③在一定的温度下,SiHCl3、SiH2Cl2、H2可燃物与空气中的助燃剂O2接触容易着火和发生爆炸。5、多晶硅生产系统的稳定性和产品质量受到影响。由于着火和爆炸事故的发生过于频繁,多晶硅生产系统的稳定性受到严重的影响,时常需要对各工序进行减量调整,因此,多晶硅产量和产品质量均受到较大的影响。6、热量损失较大。多晶硅废气中主要含有SiHCl3、SiCl4、SiH2Cl2、H2、N2、HCl等,在尾气处理过程中,SiHCl3、SiCl4、SiH2Cl2、HCl等会与碱液发生化学反应,会产生大量的热量,这部分热量一部分随液固反应物带入碱液池损失掉,另一部分随气体带入液封水槽和空气损耗掉,不仅容易引起放空气体着火或爆炸,还会造成了大量热量浪费。针对上述的问题,需要提出解决这一系列问题的有效办法。
技术实现思路
本专利技术的目的在于:针对上述现有技术中存在的问题,提供一种多晶硅废气处理与余热利用装置及工艺,将多晶硅生产过程中的废气经过废气处理后排放,环境污染得到根本性解决;同时将废气处理过程中的热量回收,减少资源的浪费。为了实现上述目的,本专利技术采用的技术方案为:一种多晶硅废气处理与余热利用装置,包括废气冷凝回收罐、废气淋洗塔A、废气淋洗塔B、碱液池和液封水槽,所述的废气冷凝回收罐串接在用于废气汇总的废气管中,废气管末端连接所述的废气淋洗塔A,废气淋洗塔A的底部设置在碱液池中,废气淋洗塔A通过连通管连接废气淋洗塔B,废气淋洗塔B的底部设置在碱液池中,废气淋洗塔B通过排气管连接设置在液封水槽的放空管;所述的碱液池还通过碱液管分别连接至废气淋洗塔A和废气淋洗塔B的底部,并在碱液管管路中设置有碱液泵;所述的废气淋洗塔A的反应区设置有余热利用机构,所述的余热利用机构的一端设置有进水口,另外一端设置有出水口,进水口与流入冷水的水泵、水管连接。优选地,所述的余热利用机构包括包裹在废气淋洗塔A的反应区和封头的外层的保温层,废气淋洗塔A的反应区采用夹套结构,夹套的底部设有所述的进水口,顶部设有所述的出水口,进水口与出水口通过导流槽连接。优选地,所述的余热利用机构包括包裹在废气淋洗塔A的反应区和封头的外层的保温层,废气淋洗塔A的反应区内部设置有若干根换热管,换热管的底部设有所述的进水口,换热管的顶部设置有所述的出水口。优选地,所述的液封水槽中的放空管采用蛇形曲管结构。优选地,所述的废气淋洗塔A的顶部设置有用于通入保护N2的N2管道。本专利技术还提供一种多晶硅废气处理与余热利用工艺,包括以下步骤:步骤一,多晶硅生产过程中产生的废气汇总到废气管后,进入废气冷凝回收罐,采用低温介质对废气冷凝罐进行冷却,从控制压力在0.3~0.5MPa范围内,温度-15℃以下,使99%以上的氯硅烷冷凝为液体并回收利用;步骤二,残余废气进入废气冷凝塔A中,同时,碱液泵将碱液池中的碱液通过碱液管输送至废气淋洗塔A和废气淋洗塔B的顶部,废气在废气淋洗塔A的反应区中与碱液充分混合并发生剧烈反应,反应生成的固液混合物和未反应完全的碱液经废气淋洗塔A的底部流入到碱液池中;反应生成的气体和未反应完全的废气通入到废气淋洗塔B中;步骤三,在废气淋洗塔B中废气与碱液发生反应,反应物和过量的碱液经废气淋洗塔B的底部进入碱液池中,未参与反应的气体通过排气管进入盛放在液封水槽中的放空管,然后排入空气中;步骤四,废气淋洗塔A在反应时产生的热量传递至设置在废气淋洗塔A的反应区的余热利用机构中,冷水经过水泵、水管流入余热利用机构的进水口,吸收热量后,从出水口流出,热水回收利用。由于采用了上述技术方案,本专利技术的有益效果是:本专利技术采用一种多晶硅废气处理与余热利用装置及工艺,氯硅烷得到有效的回收利用,碱液的消耗量大大减少,环境污染问题得到根本性的解决,基本上杜绝了尾气处理装置及放空气体时常发生着火和爆炸事故,保证了多晶硅生产系统的稳定性,废气处理时,因反应产生的大量热量被水吸收回收利用后,能有效的应用于多晶硅实际生产中,因此节约了能耗。附图说明图1为本专利技术的多晶硅废气处理与余热利用装置结构示意图。图2为本专利技术的放空管的结构示意图。图3为本专利技术的余热利用机构结构示意图。图4为本专利技术的另一实施方式的余热利用机构结构示意图。附图标记:1、来自精馏工序的废气;2、来自还原工序的废气;3、来自CDI工序的废气;4、氢化工序的废气;5、其它工序的废气;6、废气管;7、废气冷凝回收罐;8、低温介质进;9、低温介质出;10、氯硅烷回收;11、废气淋洗塔A;12、反应区;13、冷水;14、水泵;15、水管;16、进水口;17、出水口;18、还原炉蒸发器;19、精馏塔预热器;20、碱液;21、碱液池;22、连通管;23、废气淋洗塔B;24、氮气管;25、排气管;26、液封水槽;27、放空管;28、放空气体;29、冷却水进;30、冷却水出;31、冷却水;32、碱液管;33、碱液泵;34、夹套;35、导流槽;36、换热管。具体实施方式参照图1-4,一种多晶硅废气处理与余热利用装置,包括废气冷凝回收罐7、废气淋洗塔A11、废气淋洗塔B23、碱液池21和液封水槽26,所述的废气冷凝回收罐7串接在用于废气汇总的废气管6中,废气管6末端连接所述的本文档来自技高网
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一种多晶硅废气处理与余热利用装置及工艺

【技术保护点】
一种多晶硅废气处理与余热利用装置,其特征在于,包括废气冷凝回收罐、废气淋洗塔A、废气淋洗塔B、碱液池和液封水槽,所述的废气冷凝回收罐串接在用于废气汇总的废气管中,废气管末端连接所述的废气淋洗塔A,废气淋洗塔A的底部设置在碱液池中,废气淋洗塔A通过连通管连接废气淋洗塔B,废气淋洗塔B的底部设置在碱液池中,废气淋洗塔B通过排气管连接设置在液封水槽的放空管;所述的碱液池还通过碱液管分别连接至废气淋洗塔A和废气淋洗塔B的底部,并在碱液管管路中设置有碱液泵;所述的废气淋洗塔A的反应区设置有余热利用机构,所述的余热利用机构的一端设置有进水口,另外一端设置有出水口,进水口与流入冷水的水泵、水管连接。

【技术特征摘要】
1.一种多晶硅废气处理与余热利用装置,其特征在于,包括废气冷凝回收罐、废气淋洗塔A、废气淋洗塔B、碱液池和液封水槽,所述的废气冷凝回收罐串接在用于废气汇总的废气管中,废气管末端连接所述的废气淋洗塔A,废气淋洗塔A的底部设置在碱液池中,废气淋洗塔A通过连通管连接废气淋洗塔B,废气淋洗塔B的底部设置在碱液池中,废气淋洗塔B通过排气管连接设置在液封水槽的放空管;所述的碱液池还通过碱液管分别连接至废气淋洗塔A和废气淋洗塔B的底部,并在碱液管管路中设置有碱液泵;所述的废气淋洗塔A的反应区设置有余热利用机构,所述的余热利用机构的一端设置有进水口,另外一端设置有出水口,进水口与流入冷水的水泵、水管连接。2.根据权利要求1所述的多晶硅废气处理与余热利用装置,其特征在于,所述的余热利用机构包括包裹在废气淋洗塔A的反应区和封头的外层的保温层,废气淋洗塔A的反应区采用夹套结构,夹套的底部设有所述的进水口,顶部设有所述的出水口,进水口与出水口通过导流槽连接。3.根据权利要求1所述的多晶硅废气处理与余热利用装置,其特征在于,所述的余热利用机构包括包裹在废气淋洗塔A的反应区和封头的外层的保温层,废气淋洗塔A的反应区内部设置有若干根换热管,换热管的底部设有所述的进水口,换热管的顶部设置有所述的出水口。4.根据权利要求1所述的多...

【专利技术属性】
技术研发人员:胡小东姜希猛崔明现贾曦张东
申请(专利权)人:乐山职业技术学院乐山太阳能研究院四川友新能拓科技有限公司
类型:发明
国别省市:四川,51

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