【技术实现步骤摘要】
氯乙烯合成过程的脱汞装置
本专利技术涉及一种氯乙烯合成过程用设备,特别是一种氯乙烯合成过程用脱汞装置。
技术介绍
传统的氯乙烯行业中,脱汞器都采用下进上出的方式通过吸附剂床层,由于在吸附剂的装填和使用过程中产生的粉末会堆积在下侧的进气板上,会造成堵塞,严重影响气体的通过和脱汞效果,并且造成系统阻力上升,而且会随着使用时间的延长,粉化程度加剧,阻力上升,为保证系统压力,就需要更换填料。更换下来得填料,有的部分并未真正吸附汞,造成一定的浪费。
技术实现思路
本专利技术的目的旨在解决上述氯碱生产过程中传统脱汞器问题,而提供一种既能避免粉化影响,使气相畅通,又能增强脱汞效果的装置。本专利技术采用如下技术方案:一种氯乙烯合成过程的脱汞装置,包括设备本体,置于设备本体顶端的出气口,置于设备本体底端的排酸口,置于排酸口一侧的进气口,设备本体内设置有双层环形管路结构:内层环形管路结构和外层环形管路结构,内、外层环形结构管路之间的空间内填充吸附剂,设备本体上设置有吸附剂填装口和粉末排放口,吸附剂填装口位于内层环形管路结构与外层环形管路结构之间的设备本体的顶部,粉末排放口位于设备本体内壁与外层环形管路之间的设备本体的底部位置;出气口所在的出气口管路底端通过环形结构与内层环形管路结构上的第一内层环形管路结构连接,第一内层环形管路结构通过顶端封闭、底端呈敞开的中封结构与第二内层环形管路结构连接,第二内层环形管路的底端与设备本体上的排酸管路连接;内层环形管路结构和外层环形管路上分别设置有通孔结构;外层环形管路结构呈阶梯状变径结构:设备本体底端方向的外层环形管路直径大于设备本体的顶端方向 ...
【技术保护点】
一种氯乙烯合成过程的脱汞装置,包括设备本体,置于设备本体顶端的出气口,置于设备本体底端的排酸口,置于排酸口一侧的进气口,其特征在于:设备本体内设置有双层环形管路结构:内层环形管路结构和外层环形管路结构,内、外层环形结构管路之间的空间内填充吸附剂,设备本体上设置有吸附剂填装口和粉末排放口,吸附剂填装口位于内层环形管路结构与外层环形管路结构之间的设备本体的顶部,粉末排放口位于设备本体内壁与外层环形管路之间的设备本体的底部位置;出气口所在的出气口管路底端通过环形结构与内层环形管路结构上的第一内层环形管路结构连接,第一内层环形管路结构通过顶端封闭、底端呈敞开的中封结构与第二内层环形管路结构连接,第二内层环形管路的底端与设备本体上的排酸管路连接;内层环形管路结构和外层环形管路上分别设置有通孔结构;外层环形管路结构呈阶梯状变径结构:设备本体底端方向的外层环形管路直径大于设备本体的顶端方向的外层环形管路结构。
【技术特征摘要】
1.一种氯乙烯合成过程的脱汞装置,包括设备本体,置于设备本体顶端的出气口,置于设备本体底端的排酸口,置于排酸口一侧的进气口,其特征在于:设备本体内设置有双层环形管路结构:内层环形管路结构和外层环形管路结构,内、外层环形结构管路之间的空间内填充吸附剂,设备本体上设置有吸附剂填装口和粉末排放口,吸附剂填装口位于内层环形管路结构与外层环形管路结构之间的设备本体的顶部,粉末排放口位于设备本体内壁与外层环形管路之间的设备本体的底部位置;出气口所在的出气口管路底端通过环形结构与内层环形管路结构上的第一内层环形管路结构连接,第一内层环形管路结构通过顶端封闭、底端呈敞开的中封结构与第二内层环形管路结构连接,第二内层环形管路的底端与设备本体上的排酸管路连接;内层环形管路结构和外层环形管路上分别设置有通孔结构;外层环形管路结构呈阶梯状变径结构:设备本体底端方向的外层环形管路直径大于设备本体的顶端方向的外层环形管路结构。2.根据权利要求1所述的氯...
【专利技术属性】
技术研发人员:赵清,王玉昌,李俊猛,张学辉,王立信,刘海涛,高东超,周爱存,崔建兵,王成亮,曹瑾,崔旸,赵悦,魏勃涛,刘川,肖国营,周小齐,赵东海,李佳羲,田泽剑,苏永学,杜建军,徐建玲,李友光,刘洋,
申请(专利权)人:唐山三友氯碱有限责任公司,
类型:发明
国别省市:河北,13
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