光刻设备和制造器件的方法技术

一种浸没式光刻设备具有控制器(500)，所述控制器(500)被配置用以控制衬底台(WT)沿着曝光路线移动，所述曝光路线按次序包括：进入运动(R2)，其中衬底从浸没空间(10)不与所述衬底重叠的衬底外位置移动至所述浸没空间与所述衬底至少部分地重叠的衬底上位置；转移运动(R3，R4)，其中所述衬底台在所述衬底移动至所述衬底上位置之后改变速度和/或方向且移动至少一转移时间；和曝光运动，其中扫描所述衬底且使图案化的束投影至所述衬底上，其中贯穿所述转移运动，所述浸没空间的至少一部分与所述衬底重叠，且其中所述图案化的束在所述进入运动及所述转移运动期间没有被投影至所述衬底上。

Lithographic apparatus and method of manufacturing device

An immersion lithography apparatus has a controller (500), the controller (500) configured to control the substrate table (WT) along the route of exposure, exposure routes in order include: (R2), the movement into the immersion space from the substrate (10) substrate position does not overlap with the substrate the substrate position moved to the immersion space and the substrate is at least partially overlapping; metastasis (R3, R4) movement, wherein the substrate table in the substrate is moved to the position after the substrate change speed and / or moving direction and at least one transfer time and exposure, including; scanning the substrate and the patterned beam projection to the substrate, which runs through the transfer movement, at least a portion of the substrate and the immersion space overlap, wherein the patterned beam in the movement and the transfer of goods into the The moving period is not projected onto the substrate.

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】光刻设备和制造器件的方法相关申请的交叉引用本申请主张2014年8月7日提交的美国临时申请62/034,644和2015年4月13日提交的美国临时申请62/146,762的权益，并且它们通过援引而全文合并到本专利技术中。
本专利技术涉及一种光刻设备、一种使用光刻设备来制造器件的方法，和一种用于光刻设备的控制程序。
技术介绍
光刻设备是一种将所需图案应用到衬底上(通常应用到衬底的目标部分上)的机器。例如，可以将光刻设备用在集成电路(IC)的制造中。在这种情况下，可以将可选地称为掩模或掩模版的图案形成装置用于生成待形成于所述IC的单层上的电路图案。可以将该图案转移到衬底(例如，硅晶片)上的目标部分(例如，包括一部分管芯、一个或多个管芯)上。所述图案的转移通常是经由成像到设置于衬底上的辐射敏感材料(抗蚀剂)层。通常，单个衬底将包含被连续地形成图案的相邻目标部分的网络。常规的光刻设备包括：所谓的步进机，在所述步进机中，通过将整个图案一次曝光到所述目标部分上来辐射每一个目标部分；以及所谓的扫描器，在所述扫描器中，通过辐射束沿给定方向(“扫描”方向)扫描所述图案、同时沿与该方向平行或反向平行的方向同步地扫描所述衬底来辐射每一个目标部分。在浸没式光刻设备中，液体被液体限制结构限制于浸没空间。浸没空间位于供图案成像通过的投影系统的最终光学元件与图案被转移到的衬底或衬底被保持到其上的衬底台之间。液体可被流体密封件限制于浸没空间。液体限制结构可产生或使用气流，例如用来帮助控制液体在浸没空间中的流量和/或位置。气流可形成密封以将液体限制于浸没空间。
技术实现思路
施加至衬底的图案中的缺陷是不期望的，这是因为它们减小良率，即，每个衬底可用器件的数目。因为需要许多图案形成步骤用来制造器件，所以甚至每次曝光非常低比率的缺陷也能够显著减小良率。存在着对于浸没式光刻设备而言所特有的两种类型的缺陷。来自浸没空间的液体的液滴或液体膜(在下文中对液滴的提及也涵盖膜；膜是覆盖较大表面积的液滴)可在目标部分的曝光之后留在衬底上。如果液滴与抗蚀剂接触一显著的时段，则其能够使抗蚀剂劣化。如果液滴蒸发，则其能够留下碎屑。由留在衬底上的液滴引起的缺陷(无论是通过抗蚀剂劣化还是蒸发)在本专利技术中被称作踪迹缺陷。如果气泡形成于浸没液体中，则发生对于浸没式光刻设备而言所特有的第二形式的缺陷。如果气泡移动至用来将图案形成装置的图像投影至衬底上的投影束的路径内，则所投影的图像将失真。由气泡所造成的缺陷在本专利技术中被称作曝光缺陷。例如，期望提供一种用以减小对于浸没式光刻设备而言所特有的缺陷的效应或作用的系统。根据一方面，提供一种浸没式光刻设备，包括：衬底台，被配置用以支撑具有多个目标部分的衬底；投影系统，被配置用以将图案化的束投影至所述衬底上：定位器，被配置用以相对于所述投影系统移动所述衬底台；液体限制结构，被配置用以将液体限制于介于所述投影系统与所述衬底和/或所述衬底台的表面之间的浸没空间；和控制器，被配置用以控制所述定位器以移动所述衬底台来遵循曝光路线，所述曝光路线按次序包括：进入运动，其中所述衬底台从所述浸没空间不与所述衬底重叠的衬底外位置移动至所述浸没空间与所述衬底至少部分地重叠的衬底上位置；转移运动，其中所述衬底台在所述衬底移动至所述衬底上位置之后改变速度和/或方向且移动至少某一转移时间；和曝光运动，其中扫描所述衬底且使所述图案化的束被投影至所述衬底上，其中所述图案化的束在所述进入运动和所述转移运动期间没有被投影至所述衬底上，且其中贯穿所述转移运动，所述浸没空间的至少一部分与所述衬底重叠。根据一方面，提供一种浸没式光刻设备，包括：衬底台，被配置用以支撑具有多个目标部分的衬底；投影系统，被配置用以将图案化的束投影至所述衬底上：定位器，被配置用以相对于所述投影系统移动所述衬底台：液体限制结构，被配置用以将液体限制于所述投影系统与所述衬底和/或所述衬底台的表面之间的浸没空间；和控制器，被配置用以控制所述定位器以移动所述衬底台来遵循曝光路线，所述曝光路线包括：第一运动，其中所述衬底台在第一方向上移动；第二运动，其中所述衬底台在实质上与所述第一方向垂直的第二方向上移动；清洁运动，其中所述衬底台继续在第三方向上移动直至所述衬底的边缘穿过所述浸没空间的前边缘为止；和返回运动，其中所述衬底台在至少部分地与所述第三方向相反的第四方向上移动，所述清洁运动和所述返回运动在所述第一运动与所述第二运动之间被执行。根据一方面，提供一种使用浸没式光刻设备以将图案化的束投影至具有多个目标部分的衬底上的器件制造方法，所述方法包括：将液体限制于投影系统与面向表面之间的浸没空间；和沿着曝光路线移动保持所述衬底的衬底台，所述曝光路线按次序包括：进入运动，其中所述衬底从所述浸没空间不与所述衬底重叠的衬底外位置移动至所述浸没空间与所述衬底至少部分地重叠的衬底上位置；转移运动，其中所述衬底台在所述衬底移动至所述衬底上位置之后改变速度和/或方向且移动至少某一转移时间：和曝光运动，其中扫描所述衬底且使所述投影束投影至所述衬底上，其中所述图案化的束在所述进入运动及所述转移运动期间没有被投影至所述衬底上，且其中贯穿所述转移运动，所述浸没空间的至少一部分与所述衬底重叠。根据一方面，提供一种使用浸没式光刻设备以将图案化的束投影至具有多个目标部分的衬底上的器件制造方法，所述方法包括：将液体限制于介于投影系统与面向表面之间的浸没空间；和沿着曝光路线来移动保持所述衬底的衬底台，所述曝光路线按次序包括：第一运动，其中所述衬底台在第一方向上移动；第二运动，其中所述衬底台在实质上与所述第一方向垂直的第二方向上移动；清洁运动，其中所述衬底台继续在第三方向上移动直至所述衬底的边缘穿过所述浸没空间的前边缘为止；和返回运动，其中所述衬底台在与所述第三方向至少部分地相反的第四方向上移动，所述清洁运动和所述返回运动在所述第一运动与所述第二运动之间被执行。根据一方面，提供一种用于浸没式光刻设备的控制程序，所述浸没式光刻设备将图案化的束通过限制于浸没空间的液体而投影至具有多个目标部分的衬底上，所述控制程序包括用以控制定位器以沿着曝光路线移动保持所述衬底的衬底台的代码，所述曝光路线按次序包括：进入运动，其中所述衬底从所述浸没空间不与所述衬底重叠的衬底外位置移动至所述浸没空间与所述衬底至少部分地重叠的衬底上位置；转移运动，其中所述衬底台在所述衬底移动至所述衬底上位置之后改变速度和/或方向且移动至少某一转移时间；和曝光运动，其中扫描所述衬底且使所述图案化的束被投影至所述衬底上，其中所述图案化的束在所述进入运动及所述转移运动期间没有被投影至所述衬底上，且其中贯穿所述转移运动，所述浸没空间的至少一部分与所述衬底重叠。根据一方面，提供一种用于浸没式光刻设备的控制程序，所述浸没式光刻设备将图案化的束通过限制于浸没空间的液体而投影至具有多个目标部分的衬底上，所述控制程序包括用以控制定位器以沿着曝光路线移动保持所述衬底的衬底台的代码，所述曝光路线按次序包括：第一运动，其中所述衬底台在第一方向上移动；第二运动，其中所述衬底台在实质上与所述第一方向垂直的第二方向上移动；清洁运动，其中所述衬底台继续在第三方向上移动直至所述衬底的边缘穿过所述浸没空间的前边缘为止；和本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种浸没式光刻设备，包括：衬底台，被配置用以支撑具有多个目标部分的衬底；投影系统，被配置用以将图案化的束投影至所述衬底上；定位器，被配置用以相对于所述投影系统移动所述衬底台；液体限制结构，被配置用以将液体限制于介于所述投影系统与所述衬底和/或所述衬底台的表面之间的浸没空间；和控制器，被配置用以控制所述定位器以移动所述衬底台来遵循曝光路线，所述曝光路线按次序包括：进入运动，其中所述衬底台从所述浸没空间不与所述衬底重叠的衬底外位置移动至所述浸没空间与所述衬底至少部分地重叠的衬底上位置；转移运动，其中所述衬底台在所述衬底移动至所述衬底上位置之后改变速度和/或方向且移动至少某一转移时间；和曝光运动，其中扫描所述衬底且使所述图案化的束投影至所述衬底上，其中所述图案化的束在所述进入运动及所述转移运动期间没有被投影至所述衬底上，且其中贯穿所述转移运动，所述浸没空间的至少一部分与所述衬底重叠。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2014.08.07 US 62/034,644;2015.04.13 US 62/146,7621.一种浸没式光刻设备，包括：衬底台，被配置用以支撑具有多个目标部分的衬底；投影系统，被配置用以将图案化的束投影至所述衬底上；定位器，被配置用以相对于所述投影系统移动所述衬底台；液体限制结构，被配置用以将液体限制于介于所述投影系统与所述衬底和/或所述衬底台的表面之间的浸没空间；和控制器，被配置用以控制所述定位器以移动所述衬底台来遵循曝光路线，所述曝光路线按次序包括：进入运动，其中所述衬底台从所述浸没空间不与所述衬底重叠的衬底外位置移动至所述浸没空间与所述衬底至少部分地重叠的衬底上位置；转移运动，其中所述衬底台在所述衬底移动至所述衬底上位置之后改变速度和/或方向且移动至少某一转移时间；和曝光运动，其中扫描所述衬底且使所述图案化的束投影至所述衬底上，其中所述图案化的束在所述进入运动及所述转移运动期间没有被投影至所述衬底上，且其中贯穿所述转移运动，所述浸没空间的至少一部分与所述衬底重叠。2.根据权利要求1所述的浸没式光刻设备，其中所述进入运动发生于所述衬底上的一位置处，所述位置被选择成使得在该位置所述衬底的边缘的切线与所述浸没空间的前边缘成锐角。3.根据权利要求2所述的浸没式光刻设备，其中所述进入运动发生于所述衬底上的一位置处，所述位置被选择成使得介于所述衬底的所述边缘的所述切线与所述浸没空间的所述前边缘之间的角度在从20°至70°的范围中，期望地在从30°至60°的范围中。4.根据权利要求1至3中任一项所述的浸没式光刻设备，其中所述转移运动包括所述衬底台的移动方向的改变。5.根据权利要求4所述的浸没式光刻设备，其中所述转移运动包括S形运动。6.根据前述权利要求中任一项所述的浸没式光刻设备，其中所述转移时间为至少50毫秒，期望地为至少100毫秒。7.根据前述权利要求中任一项所述的浸没式光刻设备，其中所述曝光路线包括被布置用以曝光所述衬底的所有目标部分的多个曝光运动，且所述曝光路线被布置成使得贯穿所述曝光路线，在所述进入运动之后，所述浸没空间的至少一部分与所述衬底重叠。8.一种使用浸没式光刻设备来将图案化的束...

【专利技术属性】
技术研发人员：N·J·M·范德纽维拉尔，V·M·布兰科卡巴洛，C·R·德格鲁特，R·H·J·屈斯泰，D·M·菲利普斯，F·A·范德桑德，P·L·J·岗特尔，E·H·E·C·尤姆麦伦，Y·J·G·范德维基沃尔，B·D·斯霍尔滕，M·武泰，R·F·科克斯，J·A·维埃拉萨拉斯，
申请(专利权)人：ASML荷兰有限公司，
类型：发明
国别省市：荷兰,NL