The invention discloses a substrate, comprising a substrate body, a conductive film layer disposed on the substrate body, and a filling layer disposed between the substrate body and the conductive film layer. According to the substrate of the invention, which is arranged in the substrate body has high refractive index and low refractive index layer two layer structure, and the light has passed the film with low refractive index and film layer with high refractive index, using low refractive index film can significantly reduce the total reflection; at the same time combined with the microporous structure of high refractive index the film plays the role of light extraction, or the use of high refractive index is formed between the film and the low refractive index film micro cavity effect to light the role of convergence; not only solves the problem of easy light reflection, but also improve the light from the substrate body into the air exit rate. The invention also discloses an OLED device with the substrate, wherein, the use of the substrate can effectively improve the external quantum efficiency of the OLED device in the OLED device.
【技术实现步骤摘要】
一种OLED器件及其基板
本专利技术属于显示
,具体地讲,涉及一种能够显著提高OLED器件的外部量子效率的基板、以及具有该基板的OLED器件。
技术介绍
现有的OLED背光源一般为多层结构,包括依次叠层设置的金属阴极100、电子传输层210、发光层220、空穴传输层230、ITO镀膜300、以及玻璃基板400;其中电子传输层210、发光层220和空穴传输层230都由电致发光的有机材料制成,一般将三者合并称作有机材料层200;如图1所示。有机材料层200和ITO镀膜300的折射率一般在1.7到1.9之间,且有机材料层200的折射率略大于ITO镀膜300的折射率,而通常使用的玻璃基板400为厚度在1mm左右的平板玻璃,折射率为在1.5左右。当OLED背光源工作时,如图2中现有技术的OLED背光源的光线透过示意图,大概有50%的光无法穿透玻璃基板400,而是在有机材料层200之间纵向传播,最终被吸收掉;其主要原因是电致发光的有机材料层200和ITO镀膜300的折射率通常远大于玻璃基板400的折射率,导致光线在玻璃基板400和ITO镀膜300之间产生了全反射效应,这样入射角大于全反射角的光线就会反射回有机材料层200,并在其间反复传播,最终消散并转化为热量。同时,根据有机电致发光的原理,在发光层220产生的光线方向是随机并杂乱无章的,这样就会有相当一部分光线由于玻璃基板400的全反射而无法被利用,从而影响了OLED背光源的发光效率。为了减少光在有机材料层与ITO镀膜之间、以及ITO镀膜与玻璃基板之间的全反射,增大出光率,可以采用降低ITO镀膜折射率的方法,或 ...
【技术保护点】
一种基板,其特征在于,包括基板本体、设置在所述基板本体上的导电膜层、以及设置在所述基板本体和所述导电膜层之间的填充层。
【技术特征摘要】
1.一种基板,其特征在于,包括基板本体、设置在所述基板本体上的导电膜层、以及设置在所述基板本体和所述导电膜层之间的填充层。2.根据权利要求1所述的基板,其特征在于,所述导电膜层为具有高折射率的ITO多孔膜层,所述填充层为具有低折射率的导电聚合物;所述导电聚合物填充在所述ITO多孔膜层的孔中并与所述基板本体接触。3.根据权利要求2所述的基板,其特征在于,所述导电聚合物延伸并覆盖所述ITO多孔膜层远离所述基板本体的表面。4.根据权利要求2所述的基板,其特征在于,所述ITO多孔膜层的厚度为100nm~1000nm;所述ITO多孔膜层中孔的直径为5nm~20nm。5.根据权利要求3所述的基板,其特征在于,所述导电聚合物的折射率小于1.9,且所述导电聚合物的厚度为10nm~100nm。6.根据权利要求1所述的基...
【专利技术属性】
技术研发人员:潘彪,
申请(专利权)人:武汉华星光电技术有限公司,
类型:发明
国别省市:湖北,42
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