包括选择性金属电阻层的超小型发光二极管电极组件的制造方法技术

本发明专利技术涉及一种包括选择性金属电阻层的超小型发光二极管电极组件的制造方法，更详细地，涉及为了改善超小型发光二极管元件与电极之间的接触，通过将导电性材料蒸镀于超小型发光二极管元件与电极接触的部分来不仅可以提高电极与超小型发光二极管元件之间的导电性，也可以降低接触电阻，从而能够提高光提取效率的包括选择性金属电阻层的超小型发光二极管电极组件的制造方法。

Method of manufacturing an ultra small LED electrode assembly including a selective metal resistance layer

The invention relates to a metal resistive layer including selective ultra small light emitting diode manufacturing method of the electrode assembly, in more detail, in order to improve the ultra small between the LED element and the electrode contact, the conductive material deposited on the ultra small light-emitting diode element and the electrode contact parts can not only improve the conductivity of the diode among the elements and ultra small light emitting electrode, can also reduce the contact resistance, so as to improve the light extraction efficiency include selective metal resistance layer of ultra compact light emitting diode manufacturing method of the electrode assembly.

【技术实现步骤摘要】
包括选择性金属电阻层的超小型发光二极管电极组件的制造方法
本专利技术涉及一种包括选择性金属电阻层的超小型发光二极管电极组件的制造方法，更详细地，涉及不仅可以提高电极与超小型发光二极管元件之间的导电性，也可以降低接触电阻的包括选择性金属电阻层的超小型发光二极管电极组件的制造方法。
技术介绍
随着1992年日本日亚化学工业的中村等人适用低温的氮化镓(GaN)化合物缓冲层来成功融合出优质的单晶体氮化镓氮化物半导体，导致发光二极管的开发变得活跃。发光二极管作为利用化合物半导体的特性来使多个载体为电子的n型半导体结晶和多个载体为空穴的p型半导体结晶相互接合的半导体，是将电信号变换为具有所需区域的波段的光来发光的半导体元件。由于这种发光二极管半导体的光变换效率高，因此能量消耗非常少，而且所述发光二极管半导体还具有半永久性寿命并且环保，从而作为绿色材料来被誉为光的革命。近年来，随着化合物半导体技术的发展，开发出高亮度红色、橙色、绿色、蓝色及白色发光二极管，所述发光二极管应用于信号灯、手机、汽车前照灯、室外电子屏幕、液晶显示器背光模组(LCDBLU，LiquidCrystalDisplaybacklightunit)，还应用于室内外照明等多个领域，而且在国内外持续进行对所述发光二极管的研究。尤其，具有较宽带隙的氮化镓类化合物半导体为用于制造放射绿色、蓝色还有紫外线区域的光的发光二极管半导体的物质，可利用蓝色发光二极管元件制造白色发光二极管元件，从而正在对此进行很多研究。并且，由于发光二极管半导体用于多种领域，对发光二极管半导体的研究也日益增加，使得高功率的发光二极管半导体成为一种需求，提高发光二极管半导体的效率也变得极为重要。但是，制造高效率高功率的蓝色发光二极管元件存在诸多困难。在提高蓝色发光二极管元件的效率方面，难点缘于制造过程中的困难和所制造的蓝色发光二极管的氮化镓类半导体和大气之间的高折射率。首先，制造过程中的困难在于难以准备具有与氮化镓类半导体相同的晶格常数的基板。当形成于基板上的氮化镓外延层晶格常数和基板的晶格常数大为不同的情况下，氮化镓外延层会产生很多缺陷，从而发生导致发光二极管半导体的效率和性能下降的问题。其次，由于所制造的蓝色发光二极管的氮化镓类半导体和大气之间的高折射率，导致从发光二极管的活性层区域放射的光无法向外部射出，而是在发光二极管的内部全反射。全反射的光在发光二极管的内部再次被吸收，从而存在最终导致发光二极管的效率下降的问题。将这种效率称为发光二极管元件的光提取效率，而为了解决上述问题，正进行很多研究。另一方面，为了将发光二极管元件用于照明、显示器等，需要可以向所述发光二极管元件和所述元件施加电源的电极，并且，就与使用目的、减少电极所占的空间或制造方法有关地对发光二极管元件和互不相同的两个电极的布置进行了多种研究。对发光二极管元件和电极的布置的研究可以分为使发光二极管元件在电极生长和在使发光二极管元件独立生长后布置于电极。首先，对使发光二极管元件在电极生长的研究具有自下而上(bottom-up)方式，即，通过在基板上放置薄膜型下电极，并在下电极上依次层叠n型半导体层、活性层、p型半导体层、上电极后进行蚀刻的方法，或者通过在层叠上电极之前蚀刻已层叠的各个层后层叠上电极的方法等来在一系列的制造过程中同时生成及布置发光二极管元件和电极。接着，在使发光二极管元件独立生长后布置于电极的方法为在通过单独的工序使发光二极管元件独立生长制造之后，将各个发光二极管元件一一布置于图案化的电极的方法。上述前一方法存在如下问题，即，从结晶学角度出发，很难实现高结晶性/高效率的薄膜及使发光二极管元件生长，而后一方法存在由于光提取效率降低，因而有可能导致发光效率下降的问题。并且，在后一方法中，存在如下问题：即，若发光二极管元件为普通的发光二极管元件，则可以通过使三维的发光二极管元件直立来使发光二极管元件与电极相连接，但若发光二极管元件为纳米单位的超小型元件，则很难使所述超小型元件直立于电极。在由本申请的专利技术人申请的韩国专利申请第2011-0040174号中，为了使纳米单位的超小型发光二极管元件以三维的方式直立于电极来使所述超小型发光二极管元件与电极相连接，还在超小型发光二极管元件设置有使超小型发光二极管元件容易与电极相结合的结合连接器，但当将所述结合连接器实际实现于超小型电极时，存在很难使超小型发光二极管元件以三维的方式直立于电极来使所述超小型发光二极管和电极相结合的问题。此外，独立制造的发光二极管元件需要一一布置于图案化的电极，但在发光二极管元件为大小为纳米单位的超小型发光二极管元件的情况下，存在如下问题，即，很难将发光二极管元件布置于超小型的互不相同的两个电极的目的范围内，而且即使将发光二极管元件布置于超小型的互不相同的两个电极，但在电极和超小型发光二极管的电连通中频频发生由短路引起的不良现象，从而无法实现所需的电极组件。韩国专利申请第2010-0042321号公开了用于发光二极管模块的寻址电极线的结构及制造方法。在所述申请中，在基板上放置薄膜型下电极，并在下电极上依次层叠绝缘层、上电极后通过蚀刻来制造电极线，然后在上电极上安装发光二极管芯。但是，若安装的发光二极管芯为纳米单位的大小，则存在如下问题，即，很难使三维的发光二极管芯准确地直立于上电极，即使在安装后也很难连接安装的纳米单位的发光二极管芯和下电极。并且，当将独立生长的发光二极管元件布置在电极并向电极施加电源时，在发光二极管元件与电极之间发生接触电阻，从而导致光提取效率下降。
技术实现思路
专利技术要解决的问题本专利技术是为解决如上所述的问题而提出的，其目的在于提供一种包括选择性金属电阻层的超小型发光二极管电极组件的制造方法，根据该方法，为了改善发光二极管元件与电极之间的接触，通过将导电性材料蒸镀于发光二极管元件与电极接触的部分来不仅可以提高在发光二极管元件与电极之间的导电性，还可以降低接触电阻。用于解决问题的方案为了解决上述问题，本专利技术提供一种包括选择性金属电阻层的超小型发光二极管电极组件的制造方法，所述包括选择性金属电阻层的超小型发光二极管电极组件的制造方法包括：步骤(1)，通过使超小型发光二极管元件在包括以相互隔开的方式形成于底座基板上的第一电极和第二电极的电极线上自动整列来制成超小型发光二极管电极组件；及步骤(2)，将所述超小型发光二极管电极组件浸渍于电解镀金液中，向所述超小型发光二极管电极组件的第一电极和第二电极中的任一个电极施加电源，以在1分钟至300分钟的镀金时间(T1)内进行电镀工序，从而将金属电阻层形成于所述超小型发光二极管电极组件。根据本专利技术的一优选实施例，所述包括选择性金属电阻层的超小型发光二极管电极组件的制造方法还可包括：步骤(3)，在所述步骤(2)中，通过向未施加电源的另一电极施加电源来在满足下述数学式1的镀金时间(T2)内进行电镀工序，从而将金属电阻层形成于超小型发光二极管电极组件：[数学式1]1分钟≦镀金时间(T2)≦T1其中，T1是指步骤(2)的电镀工序的镀金时间。根据本专利技术的再一优选实施例，在所述步骤(2)中所施加的电源可以是电压为-0.2至-1.0V的脉冲波电源，且脉冲波的电源可以被施加0.05至30秒，并静止0.05至3本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种包括选择性金属电阻层的超小型发光二极管电极组件的制造方法，其特征在于，包括：步骤(1)，通过使超小型发光二极管元件在包括以相互隔开的方式形成于底座基板上的第一电极和第二电极的电极线自动整列来制成超小型发光二极管电极组件；及步骤(2)，将所述超小型发光二极管电极组件浸渍于电解镀金液中，向所述超小型发光二极管电极组件的第一电极和第二电极中的任一个电极施加电源，以在1分钟至300分钟的镀金时间(T

【技术特征摘要】
2015.11.17 KR 10-2015-01613001.一种包括选择性金属电阻层的超小型发光二极管电极组件的制造方法，其特征在于，包括：步骤(1)，通过使超小型发光二极管元件在包括以相互隔开的方式形成于底座基板上的第一电极和第二电极的电极线自动整列来制成超小型发光二极管电极组件；及步骤(2)，将所述超小型发光二极管电极组件浸渍于电解镀金液中，向所述超小型发光二极管电极组件的第一电极和第二电极中的任一个电极施加电源，以在1分钟至300分钟的镀金时间(T1)内进行电镀工序，从而将金属电阻层形成于所述超小型发光二极管电极组件。2.根据权利要求1所述的包括选择性金属电阻层的超小型发光二极管电极组件的制造方法，其特征在于，还包括：步骤(3)，在所述步骤(2)中，通过向未施加电源的另一电极施加电源来在满足下述数学式1的镀金时间(T2)内进行电镀工序，从而将金属电阻层形成于超小型发光二极管电极组件：[数学式1]1分钟≦镀金时间(T2)≦T1其中，T1是指步骤(2)的电镀工序的镀金时间。3.根据权利要求1所述的包括选择性金属电阻层的超小型发光二极管电极组件的制造方法，其特征在于，在所述步骤(2)中所施加的电源是电压为-0.2至-1.0V的脉冲波电源，且脉冲波的电源被施加0.05至30秒，并静止0.05至30秒。4.根据权利要求2所述的包括选择性金属电阻层的超小型发光二极管电极组件的制造方法，其特征在于，在所述步骤(3)中所施加的电源是电压为-0.2至-1.0V的脉冲波电源，且脉冲波的电源被施加0.05至30秒，并静止0.05至30秒。5.根据权利要求1所述的包括选择性金属电阻层的超小型发光二极管电极组件的制造方法，其特征在于，所述电解镀金液包含包括金前体、银前体、铜前体及铂前体中的至少一种的金属前体。6.根据权利要求5所述的包括选择性金属电阻层的超小型发光二极管电极组件的制造方法，其特征在于，所述电解镀金液以0.001至100mM的浓度包含所述金属前体。7.根据权利要求1所述的包括选择性金属电阻层的超小型发光二极管电极组件的制造方法，其特征在于，所述步骤(1)包括：步骤1-1)，向形成有包括相互隔开的第一电极和第二电极的电极线的底座基板的一表面投入分散溶液，所述分散溶液包括分散溶剂和超小型发光二极管元件；及步骤1-2)，通过向所述电极线施加电源来使超小型发...

【专利技术属性】
技术研发人员：都永洛，成演国，
申请(专利权)人：PSI株式会社，
类型：发明
国别省市：韩国,KR