一种薄膜折射率获取方法及装置制造方法及图纸

本发明专利技术涉及一种薄膜折射率获取方法及装置，属于太阳能电池技术领域。所述方法应用于PECVD镀膜工艺中，所述方法包括：根据至少一个预设镀膜参数获得所述至少一个预设镀膜参数中的每个预设镀膜参数在辉光时的电压参数；根据电压与折射率对照表获得每个电压参数对应的折射率；根据获得的每个折射率和每个折射率相对应的预设镀膜参数占总镀膜参数的时间占比，利用折射率公式获得薄膜的总折射率，其中，所述总镀膜参数为所有的预设镀膜参数的总和。该方法可以提前预知薄膜的折射率情况，能及时发现问题，早做调整，具有监控的及时性，从而生产出的薄膜可以提高电池的转化效率。

Film refractive index obtaining method and device

The invention relates to a method and a device for obtaining the refractive index of a thin film, belonging to the technical field of solar cells. The method is applied to PECVD in the coating process, the method includes at least one parameter according to the voltage of each preset coating parameters obtained by the at least one predetermined coating parameters in preset coating parameters in the glow; according to the voltage and the refractive index of the control index table to obtain the parameters corresponding to each voltage according to preset parameters of coating rate; the total rate of coating parameters obtained for each index and each index corresponding to the proportion of time, using the total refractive index formula for film rate, among them, the total sum of preset coating parameters of deposition parameters of all. The method can predict the refractive index of the film in advance, can detect problems in time, adjust early and monitor the timeliness, so that the film can improve the conversion efficiency of the battery.

【技术实现步骤摘要】
一种薄膜折射率获取方法及装置
本专利技术属于太阳能电池
，具体涉及一种薄膜折射率获取方法及装置。
技术介绍
随着工农业和科技的发展，人民生活水平的不断提高，各种新能源的开发及利用已经成为了当今时代的主题。其中，包括对太阳能的开发及利用，例如采用太阳能电池板对太阳能的开发及利用。由于太阳能电池片中的薄膜的折射率直接影响到电池的效果。为了提高电池的钝化效果，降低对太阳光的反射，对薄膜的折射率有严格的要求，因此，生产双层膜、多层膜势在必行。其中，双层膜或多层膜中的每层薄膜的折射率直接影响其透光性和钝化效果，从而影响电池的短路电流(Short－circuitCurrent，ISC)和开路电压(Open－circuitVoltage，VOC)，折射率的情况对于组件也有影响，例如薄膜的折射率要与组件钢化玻璃的折射率相匹配，这样才能让更多的光到达电池表面。现有技术仅能监控单层膜和双层膜或多层膜总的折射率，而不能测出双层膜或多层膜中的每层膜的折射率；同时，现有技术在获得薄膜的折射率时候，计算工序繁琐，效率低下，十分不便。但是，在生产中，监控双层膜或多层膜中的每层膜的折射率非常重要。
技术实现思路
鉴于此，本专利技术的目的在于提供一种薄膜折射率获取方法及装置，以有效地改善上述问题。本专利技术的实施例是这样实现的：一方面，本专利技术实施例提供了一种薄膜折射率获取方法，所述方法应用于PECVD镀膜工艺中，所述方法包括：根据至少一个预设镀膜参数获得所述至少一个预设镀膜参数中的每个预设镀膜参数在辉光时的电压参数；根据电压与折射率对照表获得每个电压参数对应的折射率；根据获得的每个折射率和每个折射率相对应的预设镀膜参数占总镀膜参数的时间占比，利用折射率公式获得薄膜的总折射率，其中，所述总镀膜参数为所有的预设镀膜参数的总和。在本专利技术较佳的实施例中，所述的根据电压与折射率对照表获得每个电压参数对应的折射率的步骤之前，所述方法还包括：利用椭偏仪对不同预设参数下获得的薄膜的折射率进行测量；根据测得的不同预设参数下的薄膜折射率和对应该参数在辉光时的电压参数关系，获得电压与折射率对照表。在本专利技术较佳的实施例中，所述的利用椭偏仪对不同预设参数下获得的薄膜的折射率进行测量的步骤包括：根据预设工艺获得每个预设参数对应的薄膜；利用椭偏仪对所述每个预设参数对应的薄膜的折射率进行测量。在本专利技术较佳的实施例中，所述的根据预设工艺获得每个预设参数对应的薄膜的步骤包括：将加装有硅片的石墨舟放入PECVD镀膜工艺腔内，对所述PECVD镀膜工艺腔进行抽真空、压力调试、温度调试处理，根据输入的参数进行镀膜，镀膜工艺结束后，依次进行抽真空、循环吹扫及充氮气后，将所述石墨舟移出所述PECVD镀膜工艺腔内。在本专利技术较佳的实施例中，所述折射率公式为：n＝T1＊n1+T2＊n2+...+TN＊nN，其中，n为薄膜总的折射率，n1为第一层薄膜的折射率，nN为第N层薄膜的折射率，T1为第一层镀膜时间占总镀膜时间的占比，TN为第N层镀膜时间占总镀膜时间的占比。在本专利技术较佳的实施例中，所述的根据至少一个预设镀膜参数获得所述至少一个预设镀膜参数中的每个预设镀膜参数在辉光时的电压参数的步骤包括：将加装有硅片的石墨舟放入PECVD镀膜工艺腔内，根据至少一个预设镀膜参数获得所述至少一个预设镀膜参数中的每个预设镀膜参数在辉光时的电压参数。在本专利技术较佳的实施例中，所述的将加装有硅片的石墨舟放入PECVD镀膜工艺腔内的步骤包括：对所述PECVD镀膜工艺腔进行抽真空、压力调试、温度调试处理。在本专利技术较佳的实施例中，所述至少一个预设镀膜参数中的每个预设镀膜参数均包括：镀膜时间。另一方面，本专利技术实施例还提供了一种薄膜折射率获取装置，所述装置包括：处理器和炉管，所述处理器用于根据上述的方法获取所述炉管内的电压参数。在本专利技术较佳的实施例中，所述处理器包括：获取单元，用于根据至少一个预设镀膜参数获得所述至少一个预设镀膜参数中的每个预设镀膜参数在辉光时的电压参数。本专利技术实施例的有益效果是：与现有技术相比，本专利技术实施例提供的一种薄膜折射率获取方法，只需要通过简单直观的电压参数，就能很好的知道单层膜的折射率情况，或者知道两层膜或多层膜中的每层膜的折射率情况；该方法可以提前预知薄膜的折射率情况，能及时发现问题，早做调整，具有监控的及时性，从而生产出的薄膜可以提高电池的转化效率。同时该方法不需要繁琐的测试计算，既节约了人力、物力、财力和时间，又简化了步骤，提高了效率，从而节约了生产成本，便于推广应用。本专利技术的其他特征和优点将在随后的说明书阐述，并且，部分地从说明书中变得显而易见，或者通过实施本专利技术实施例而了解。本专利技术的目的和其他优点可通过在所写的说明书、权利要求书以及附图中所特别指出的结构来实现和获得。附图说明为了更清楚地说明本专利技术实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本专利技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。通过附图所示，本专利技术的上述及其它目的、特征和优势将更加清晰。在全部附图中相同的附图标记指示相同的部分。并未刻意按实际尺寸等比例缩放绘制附图，重点在于示出本专利技术的主旨。图1示出了本专利技术实施例提供的一种薄膜折射率获取方法的流程示意图。图2示出了本专利技术实施例提供的图1中的步骤S111中的电压与折射率对照表的获取方法的流程示意图。图3示出了本专利技术实施例提供的图2中的步骤S120的流程示意图。图4示出了本专利技术实施例提供的方法获得第一预设参数在辉光时的电压参数的显示界面示意图。图5示出了本专利技术实施例提供的方法获得第二预设参数在辉光时的电压参数的显示界面示意图。图6示出了本专利技术实施例提供的一种薄膜折射率获取装置。图标：100－薄膜折射率获取装置；110－计算机控制系统；120－压力检测装置；130－温度检测装置；140－高频电源发生器；150－炉管。具体实施方式为使本专利技术实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本专利技术实施例中的附图，对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例。通常在此处附图中描述和示出的本专利技术实施例的组件可以以各种不同的配置来布置和设计。因此，以下对在附图中提供的本专利技术的实施例的详细描述并非旨在限制要求保护的本专利技术的范围，而是仅仅表示本专利技术的选定实施例。基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本专利技术保护的范围。应注意到：相似的标号和字母在下面的附图中表示类似项，因此，一旦某一项在一个附图中被定义，则在随后的附图中不需要对其进行进一步定义和解释。在本专利技术的描述中，需要说明的是，术语“上”、“下”、“左”、“右”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，或者是该专利技术产品使用时惯常摆放的方位或位置关系，仅是为了便于描述本专利技术和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本专利技术的限制。此外，术语“第一”、“第二”等仅用于区分描述，而不能理解为指示或暗示相对重要性。在本发本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种薄膜折射率获取方法，其特征在于，所述方法应用于PECVD镀膜工艺中，所述方法包括：根据至少一个预设镀膜参数获得所述至少一个预设镀膜参数中的每个预设镀膜参数在辉光时的电压参数；根据电压与折射率对照表获得每个电压参数对应的折射率；根据获得的每个折射率和每个折射率相对应的预设镀膜参数占总镀膜参数的时间占比，利用折射率公式获得薄膜的总折射率，其中，所述总镀膜参数为所有的预设镀膜参数的总和。

【技术特征摘要】
1.一种薄膜折射率获取方法，其特征在于，所述方法应用于PECVD镀膜工艺中，所述方法包括：根据至少一个预设镀膜参数获得所述至少一个预设镀膜参数中的每个预设镀膜参数在辉光时的电压参数；根据电压与折射率对照表获得每个电压参数对应的折射率；根据获得的每个折射率和每个折射率相对应的预设镀膜参数占总镀膜参数的时间占比，利用折射率公式获得薄膜的总折射率，其中，所述总镀膜参数为所有的预设镀膜参数的总和。2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述的根据电压与折射率对照表获得每个电压参数对应的折射率的步骤之前，所述方法还包括：利用椭偏仪对不同预设参数下获得的薄膜的折射率进行测量；根据测得的不同预设参数下的薄膜折射率和对应该参数在辉光时的电压参数关系，获得电压与折射率对照表。3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述的利用椭偏仪对不同预设参数下获得的薄膜的折射率进行测量的步骤包括：根据预设工艺获得每个预设参数对应的薄膜；利用椭偏仪对所述每个预设参数对应的薄膜的折射率进行测量。4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述的根据预设工艺获得每个预设参数对应的薄膜的步骤包括：将加装有硅片的石墨舟放入PECVD镀膜工艺腔内，对所述PECVD镀膜工艺腔进行抽真空、压力调试、温度调试处理，根据输入的参数进行镀膜，镀膜工艺结束后，依次进行抽真空、循环吹扫及充氮气后，将所述石墨...

【专利技术属性】
技术研发人员：李璐，高杨，孙杰，罗小刚，高慧慧，杜灵，
申请(专利权)人：江西瑞晶太阳能科技有限公司，
类型：发明
国别省市：江西,36