The invention discloses a novel polycrystalline silicon thin film zener diode and manufacturing method, which comprises a substrate and a passivation layer on the substrate in the growth of A and polycrystalline silicon thin film; N type doping area is formed on the polysilicon film section; in another part of the polycrystalline silicon thin film P doped region; B passivation layer, the passivation layer is located polycrystalline silicon thin film on the surface of the electrode region; N doped region, the electrode is located on the N type doped region and the top portion of the passivation layer above the electrode; P doped region, the electrode is located on the P type doped region and the top portion of the passivation layer above, on the N type dopant doped with P agent for activation by laser annealing, improved the conventional high temperature furnace activation process, short time, high flexibility.
【技术实现步骤摘要】
一种新型多晶硅薄膜齐纳二极管及制作方法
本专利技术涉及半导体器件的制作领域,具体涉及一种新型多晶硅薄膜齐纳二极管及制作方法。
技术介绍
齐纳二极管由于其稳压作用,在稳压电源中作为基准电压源或用在过电压保护电路中作为保护二极管。传统的齐纳二极管掺杂后,多采用在真空环境中,高温炉中退火处理得到N型与P型掺杂区。结合器件的制备工艺、生产成本以及与GaN等功率器件等集成问题,传统高温炉退火齐纳二极管存在以下几个缺点:(1)高温炉加热退火,晶格损伤修复率低,电激活率低,而且杂质也会因为热扩散而发生改变。(2)高温炉加热退火,需要在真空环境高温炉长时间退火,环境相对复杂,耗时也比较长,在生产方面,不利于产量的提高。(3)高温炉处理,容易引起硅片变形,增加后面工艺加工的难度。(4)若与GaN等功率器件片内集成实现稳压作用时,高温退火工艺只能在GaN等功率器件金属化前进行,限制了集成工艺。
技术实现思路
针对以上问题,本专利技术提供了一种新型多晶硅薄膜齐纳二极管及制作方法,其主要特征是在利用激光退火对N型掺杂剂与P型掺杂剂进行激活,改善了传统的高温炉激活工艺问题,时间短,灵活性高,可以有效解决
技术介绍
中的问题。为了实现上述目的,本专利技术采用的技术方案如下:一种新型多晶硅薄膜齐纳二极管及制作方法,包括:衬底以及在衬底上依次生长钝化层A和多晶硅薄膜;在多晶硅薄膜部分区形成的N型掺杂区;在多晶硅薄膜另一部分进行的P型掺杂区;钝化层B,该钝化层位于多晶硅薄膜的上表面区域;N型掺杂区上的N区电极,该电极位于N型掺杂区的上方以及部分钝化层A的上方;P型掺杂区上的电极,该电极位于P型掺杂 ...
【技术保护点】
一种新型多晶硅薄膜齐纳二极管及制作方法,其特征在于,包括:衬底(100)以及在衬底(100)上依次生长钝化层A(200)和多晶硅薄膜(300);在多晶硅薄膜部分区形成的N型掺杂区(301);在多晶硅薄膜另一部分进行的P型掺杂区(302);钝化层B(400),该钝化层位于多晶硅薄膜(300)的上表面区域;N型掺杂区(301)上的N区电极(500),该电极位于N型掺杂区(301)的上方以及部分钝化层A(401)的上方;P型掺杂区(302)上的电极,该电极位于P型掺杂区(302)的上方以及部分钝化层B(402)的上方。
【技术特征摘要】
1.一种新型多晶硅薄膜齐纳二极管及制作方法,其特征在于,包括:衬底(100)以及在衬底(100)上依次生长钝化层A(200)和多晶硅薄膜(300);在多晶硅薄膜部分区形成的N型掺杂区(301);在多晶硅薄膜另一部分进行的P型掺杂区(302);钝化层B(400),该钝化层位于多晶硅薄膜(300)的上表面区域;N型掺杂区(301)上的N区电极(500),该电极位于N型掺杂区(301)的上方以及部分钝化层A(401)的上方;P型掺杂区(302)上的电极,该电极位于P型掺杂区(302)的上方以及部分钝化层B(402)的上方。2.根据权利要求1所述的一种新型多晶硅薄膜齐纳二极管及制作方法,其特征在于,所述衬底(100)的材料为Si材料;所述钝化层A(200)的材料为SiO2、Si3N4、AlN、Al2O3、MgO、Sc2O3、TiO2、HfO2、BCB、ZrO2、Ta2O5和La2O3;所述多晶硅薄膜(300)为原位掺杂或者本征多晶硅薄膜;PN结的对数为1,或者大1的任何整数。3.根据权利要求1所述的一种新型多晶硅薄膜齐纳二极管及制作方法,其特征在于,所述N区电极(500)的材料为Si、Ti、Al、Ni、Mo、Pt、Pd、Au、W、TiW、TiN及它们之间的任意组合;所述P区电极(600)的材料为Si、Ti、Al、Ni、Mo、Pt、Pd、Au、W、TiW、TiN及它们之间的任意组合。4.一种新型多晶硅薄膜齐纳二极管及制作方法的制作方法,其特征在于,包括以下步骤:S1、在衬底(100)上生长钝化层A(200),在钝化层A(200)上形成多晶硅薄膜(300);S2、在多晶硅薄膜(300)的部分区形成N型掺杂区(301);S3、在多晶硅薄膜区(300)的另一部分区域形成P型掺杂区(302);S4、在多晶硅薄膜区(300)上方形成钝化层B(400);S5、在N型掺杂区(301)形成N区N...
【专利技术属性】
技术研发人员:何志,
申请(专利权)人:佛山芯光半导体有限公司,
类型:发明
国别省市:广东,44
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