放电板以及放电系统技术方案

本发明专利技术提供了一种放电板以及放电系统，涉及微电子技术领域，包括：电路板、MOS管以及防静电装置，MOS管与所述电路板互相连接，MOS管设置于所述电路板上，电路板通过所述MOS管控制电流，防静电装置设置于所述MOS管的外部，通过防静电装置在MOS管的外部，保护MOS管不受外界静电的干扰，使MOS管免受静电破坏，从而解决了现有技术中存在的MOS管对静电比较敏感，极其容易被静电击穿的技术问题。

Discharge plate and discharge system

The invention provides a discharge plate and discharge system, relates to the technical field of microelectronics, including: circuit board, MOS tube and anti-static device, MOS tube connected to the circuit board, MOS tube is arranged on the circuit board, the circuit board through the MOS tube current control, anti-static device is arranged outside in the MOS tube, through the external anti-static device in MOS pipe, MOS pipe is not disturbed by the protection of static electricity, the MOS pipe to prevent static damage, so as to solve the problems of the MOS tube is sensitive to electrostatic, extremely easy to be electrostatic breakdown problem.

【技术实现步骤摘要】
放电板以及放电系统
本专利技术涉及微电子
，尤其是涉及一种放电板以及放电系统。
技术介绍
金属氧化物半导体场效应晶体管(metaloxidesemiconductor，简称MOS管)的源极和耗尽层是可以对调的，他们都是在P型背栅中形成的N型区。在多数情况下，这个两个区是一样的，即使两端对调也不会影响器件的性能。这样的器件被认为是对称的。双极型晶体管把输入端电流的微小变化放大后，在输出端输出一个大的电流变化。双极型晶体管的增益就定义为输出输入电流之比。另一种晶体管，叫做场效应晶体管(FieldEffectTransistor，简称FET)，它把输入电压的变化转化为输出电流的变化。FET的增益等于它的输出电流的变化和输入电压变化之比，市面上常有的一般为N沟道和P沟道，而P沟道常见的为低压MOS管。但是，一般在MOS管的使用过程中都非常注意防静电破坏。MOS管的栅极源极间最大额定电压约为±20V，如果驱动电压超出这个范围,就很有可能永久损坏MOS管，主要是因为MOS管输入阻抗大的特点，电荷不能及时的流走，积聚在栅极，就会造成MOS管栅极和源极之间的电压大于这个±20V的范围，这时MOS管就可能损坏。这就是一定不能用手去摸MOS管引脚的原因，手上的静电高达千伏，MOS管一下子就会被击穿了。因此，MOS管对静电比较敏感，极其容易被静电击穿。
技术实现思路
有鉴于此，本专利技术的目的在于提供一种放电板以及放电系统，以解决现有技术中存在的MOS管对静电比较敏感，极其容易被静电击穿的技术问题。第一方面，本专利技术实施例提供了一种放电板，包括：电路板、MOS管以及防静电装置；所述MOS管与所述电路板互相连接；所述MOS管设置于所述电路板上；所述电路板通过所述MOS管控制电流；所述防静电装置设置于所述MOS管的外部。结合第一方面，本专利技术实施例提供了第一方面的第一种可能的实施方式，其中，所述MOS管的数量为11个；所述防静电装置设置于每个所述MOS管的外部。结合第一方面，本专利技术实施例提供了第一方面的第二种可能的实施方式，其中，所述防静电装置包括绝缘层、抗静电膜、磁场屏蔽罩中至少一种。结合第一方面，本专利技术实施例提供了第一方面的第三种可能的实施方式，其中，所述防静电装置上还设置有接地装置；所述接地装置与地面连接。结合第一方面，本专利技术实施例提供了第一方面的第四种可能的实施方式，其中，每个所述MOS管与所述电路板之间活动连接。结合第一方面，本专利技术实施例提供了第一方面的第五种可能的实施方式，其中，还包括检测装置；每个所述检测装置与每个所述MOS管连接，检测所述MOS管的故障情况。结合第一方面，本专利技术实施例提供了第一方面的第六种可能的实施方式，其中，还包括故障显示装置；所述故障显示装置与所述检测装置连接，显示每个所述MOS管的故障信息。第二方面，本专利技术实施例还提供一种放电系统，包括：负载以及如第一方面的放电板；所述放电板与所述负载连接；所述放电板为所述负载提供放电电流。结合第二方面，本专利技术实施例提供了第二方面的第一种可能的实施方式，其中，所述MOS管通过脉冲信号控制通断；每个所述MOS管通过加载2A直流控制所述负载的放电电流值驱动所述负载。结合第二方面，本专利技术实施例提供了第二方面的第二种可能的实施方式，其中，所述负载为电极与加工件。本专利技术实施例提供的技术方案带来了以下有益效果：本专利技术实施例提供的放电板包括：MOS管、电路板与防静电装置，该MOS管设置于该电路板上，且MOS管与电路板互相连接，其中，电路板通过MOS管控制电流，而防静电装置设置于MOS管的外部，通过防静电装置在MOS管的外部，保护MOS管不受外界静电的干扰，使MOS管免受静电破坏，从而解决了现有技术中存在的MOS管对静电比较敏感，极其容易被静电击穿的技术问题。本专利技术的其他特征和优点将在随后的说明书中阐述，并且，部分地从说明书中变得显而易见，或者通过实施本专利技术而了解。本专利技术的目的和其他优点在说明书、权利要求书以及附图中所特别指出的结构来实现和获得。为使本专利技术的上述目的、特征和优点能更明显易懂，下文特举较佳实施例，并配合所附附图，作详细说明如下。附图说明为了更清楚地说明本专利技术具体实施方式或现有技术中的技术方案，下面将对具体实施方式或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图是本专利技术的一些实施方式，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。图1为本专利技术实施例提供的放电板的侧视结构示意图；图2为本专利技术实施例提供的放电板的部分结构示意图；图3为本专利技术实施例提供的放电板的另一部分结构示意图；图4为本专利技术实施例提供的放电系统的结构示意图。图标：1-放电板；11-电路板；12-MOS管；13-防静电装置；14-接地装置；15-检测装置；16-故障显示装置；2-放电系统；21-负载。具体实施方式为使本专利技术实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合附图对本专利技术的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本专利技术保护的范围。目前MOS管对静电比较敏感，极其容易被静电击穿，基于此，本专利技术实施例提供的一种放电板以及放电系统，可以解决现有技术中存在的MOS管对静电比较敏感，极其容易被静电击穿的技术问题。为便于对本实施例进行理解，首先对本专利技术实施例所公开的一种放电板以及放电系统进行详细介绍。实施例一：本专利技术实施例提供的一种放电板1，如图1所示，包括：电路板11、MOS管12以及防静电装置13，MOS管12与电路板11互相连接，MOS管12设置于电路板11上，电路板11通过MOS管12控制电流，防静电装置13设置于MOS管12的外部。其中，MOS管12能够控制电压，且控制方式比较方便。而且MOS管12的体积小，重量轻，寿命长。再者，MOS管12输入电阻高，噪声低，热稳定性好，抗干扰能力强，功能消耗低。并且，MOS管12与普通三极管的驱动方式不同，MOS管12是电压控制，需要的驱动电流非常微小，而三极管是电流控制，需要大电流驱动。作为本实施例的优选实施方式，MOS管12的数量为11个，防静电装置13设置于每个MOS管12的外部。因此，每个MOS管12上都能够具有防静电功能。进一步的是，防静电装置13包括绝缘层、抗静电膜、磁场屏蔽罩中至少一种。防静电装置13可以为绝缘层，实现每个MOS管12表面都设置一层绝缘层。作为本实施例的另一种实施方式，防静电装置13还可以为抗静电膜，该抗静电膜能够防止MOS管12表面的静电积累，以此来防止MOS管12的损坏。需要说明的是，防静电装置13还可以为磁场屏蔽罩，也就是在MOS管12的外部设置一个磁场屏蔽罩，也可以实现对MOS管12表面静电积累的减少。如图2所示，防静电装置13上还设置有接地装置14，接地装置14与地面连接，接地装置14可以将静电释放，以此加强对MOS管12的保护作用。此外，每个MOS管12与电路板11之间活动连接，具体的说，MOS管12与电路板11之间是可拆分的，MOS管12在电路板11上可以被插拔，实现MOS管12的更换。因此M本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种放电板，其特征在于，包括：电路板、MOS管以及防静电装置；所述MOS管与所述电路板互相连接；所述MOS管设置于所述电路板上；所述电路板通过所述MOS管控制电流；所述防静电装置设置于所述MOS管的外部。

【技术特征摘要】
1.一种放电板，其特征在于，包括：电路板、MOS管以及防静电装置；所述MOS管与所述电路板互相连接；所述MOS管设置于所述电路板上；所述电路板通过所述MOS管控制电流；所述防静电装置设置于所述MOS管的外部。2.根据权利要求1所述的放电板，其特征在于，所述MOS管的数量为11个；所述防静电装置设置于每个所述MOS管的外部。3.根据权利要求1或2所述的放电板，其特征在于，所述防静电装置包括绝缘层、抗静电膜、磁场屏蔽罩中至少一种。4.根据权利要求1或2所述的放电板，其特征在于，所述防静电装置上还设置有接地装置；所述接地装置与地面连接。5.根据权利要求1或2所述的放电板，其特征在于，每个所述MOS管与所述电路板之间活动连接...

【专利技术属性】
技术研发人员：廖煌友，
申请(专利权)人：广东商鼎智能设备有限公司，
类型：发明
国别省市：广东,44