集成电路及其电路特性调节方法技术

公开了集成电路及其电路特性调节方法。该电路特性调节方法包括：将熔丝的电阻值与参考电阻值进行比较，以判断熔丝是否经过修调；若熔丝的电阻值大于参考电阻值，则判断为熔丝经过修调，并对集成电路的电路特性进行调节；判断集成电路是否工作于测试模式；以及若集成电路工作于测试模式，将参考电阻值增大。

Integrated circuit and circuit characteristic regulating method thereof

An integrated circuit and a method for adjusting its circuit characteristics are disclosed. The circuit characteristic of regulating method includes: the resistance value of the fuse is compared with the reference resistance value, to determine whether the fuse after trimming; if the resistance value of the fuse is greater than the reference resistance value, judging as the fuse after trimming, and circuit characteristics of integrated circuit adjustment; judge whether the integrated circuit in test mode and if the operation of the integrated circuit; in test mode, the reference resistance value increases.

【技术实现步骤摘要】
集成电路及其电路特性调节方法
本专利技术涉及半导体集成电路，尤其涉及集成电路的电路特性调节方法。
技术介绍
随着集成电路工艺和设计技术的发展，对电路性能的要求也越来越高。然而，电路性能总是会受到半导体制造工艺中非理想因素的影响，主要表现在电流镜失配、电阻绝对偏差、电阻的温度系数、电阻电容失配、晶体管失配、由封装应力引入的漂移和输入电压失调等方面。而且这些误差是随机性的，存在于芯片与芯片之间、晶元与晶元之间以及批次与批次之间，无法通过仿真软件进行有效的模拟和预测。为了在标准工艺上实现高精度的模拟集成电路，对芯片进行制造后调整成为改善失调和温漂、优化电路性能、提高芯片成品率的主流解决方案。除了性能的改进，为了在同一块芯片上实现不同的功能，也可以通过修调技术对电路结构和电学参数进行编程，从而满足不同的应用需求。现有的修调技术包括薄膜电阻激光修调、熔丝熔断修调、齐纳二极管短路修调和存储器修调等，其中熔丝熔断修调技术由于采用标准工艺，加工和测试成本较低而被广泛使用。
技术实现思路
根据本专利技术实施例的一种集成电路的电路特性调节方法，包括：将熔丝的电阻值与参考电阻值进行比较，以判断熔丝是否经过修调；若熔丝的电阻值大于参考电阻值，则判断为熔丝经过修调，并对集成电路的电路特性进行调节；判断集成电路是否工作于测试模式；以及若集成电路工作于测试模式，将参考电阻值增大。根据本专利技术实施例的一种集成电路，包括：熔丝；参考电阻产生电路，接收代表集成电路是处于测试模式还是正常工作模式的模式信号，并基于模式信号提供参考电阻值，其中参考电阻产生电路在测试模式下提供的参考电阻值大于在正常工作模式下提供的参考电阻值；电阻比较电路，耦接至熔丝及参考电阻产生电路，将熔丝的电阻值与参考电阻值进行比较，产生指示熔丝是否经过修调的修调状态信号；以及调节电路，耦接至电阻比较电路，基于修调状态信号对集成电路的电路特性进行调节。根据本专利技术实施例的一种集成电路的电路特性调节方法，包括：判断集成电路是工作于测试模式还是正常工作模式；若集成电路工作在测试模式下，将修调用元件的电阻值与第一参考电阻值进行比较，产生修调状态信号；若集成电路工作在正常工作模式下，将修调用元件的电阻值与第二参考电阻值进行比较，产生修调状态信号；基于修调状态信号判断修调用元件是否经过修调，并在判断出修调用元件经过修调时对集成电路的电路特性进行调节。根据本专利技术实施例的一种集成电路，包括：修调用元件；参考电阻产生电路，接收代表集成电路是处于测试模式还是正常工作模式的模式信号，并基于模式信号提供参考电阻值，其中参考电阻产生电路在测试模式下提供的参考电阻值与在正常工作模式下提供的参考电阻值不同；电阻比较电路，耦接至修调用元件与参考电阻产生电路，将修调用元件的电阻值与参考电阻值进行比较，产生指示修调用元件是否经过修调的修调状态信号；以及调节电路，耦接至电阻比较电路，基于修调状态信号对集成电路的电路特性进行调节。附图说明图1为现有的采用大电流熔断方式的熔丝修调电路的电路原理图；图2为根据本专利技术实施例的半导体集成电路200的示意性框图；图3为根据本专利技术一实施例的图2所示半导体集成电路的整体工作流程图；图4为根据本专利技术实施例的半导体集成电路200A的电路原理图；图5为根据本专利技术实施例的半导体集成电路200B的电路原理图；图6为根据本专利技术实施例的参考电阻产生电路201A的电路原理图；图7为根据本专利技术实施例的参考电阻产生电路201B的电路原理图；图8为根据本专利技术实施例的半导体集成电路200C的电路原理图。具体实施方式下面将详细描述本专利技术的具体实施例，应当注意，这里描述的实施例只用于举例说明，并不用于限制本专利技术。在以下描述中，为了提供对本专利技术的透彻理解，阐述了大量特定细节。然而，对于本领域普通技术人员显而易见的是，不必采用这些特定细节来实行本专利技术。在其他实例中，为了避免混淆本专利技术，未具体描述公知的电路、材料或方法。在整个说明书中，对“一个实施例”、“实施例”、“一个示例”或“示例”的提及意味着：结合该实施例或示例描述的特定特征、结构或特性被包含在本专利技术至少一个实施例中。因此，在整个说明书的各个地方出现的短语“在一个实施例中”、“在实施例中”、“一个示例”或“示例”不一定都指同一实施例或示例。此外，可以以任何适当的组合和/或子组合将特定的特征、结构或特性组合在一个或多个实施例或示例中。此外，本领域普通技术人员应当理解，在此提供的附图都是为了说明的目的，并且附图不一定是按比例绘制的。应当理解，当称“元件”“连接到”或“耦接”到另一元件时，它可以是直接连接或耦接到另一元件或者可以存在中间元件。相反，当称元件“直接连接到”或“直接耦接到”另一元件时，不存在中间元件。相同的附图标记指示相同的元件。这里使用的术语“和/或”包括一个或多个相关列出的项目的任何和所有组合。图1为采用大电流熔断方式的熔丝修调电路的示意图，其中晶体管QC与熔丝串联连接于供电电压VCC与参考地之间。当晶体管QC在修调信号CTRIM控制下导通，会有大电流(例如150mA)流经熔丝使其发热，并在一段时间(例如50mS)后将其熔断。熔丝的电阻值在熔断前为几十欧姆，而在熔断后可以高达几十兆欧。集成电路通常基于该电阻值来实现对其电路特性(例如工作参数或功能设置)的调节。然而，若修调过程中芯片与修调用测试机之间的接触不良，或晶体管QC的导通电阻大于预期值，流过熔丝的电流可能会不足以将熔丝彻底烧断，此时熔丝的电阻值可能只有几千欧至几百千欧。为了去除这种情况带来的不利影响，可以将熔丝的电阻值与一参考电阻值(例如20千欧)进行比较，在熔丝电阻值大于参考电阻值时，方对集成电路的电路特性进行相应的调节。但是，熔丝的电阻值会受温度影响。此外，芯片的封装应力也会随时间产生一定的变化，从而导致熔丝电阻值改变。以上这些因素都可能会导致原本阻值大于参考电阻值的熔丝，在芯片被交付至客户后，其阻值变得小于参考电阻值，从而使得集成电路的实际工作与设计目标不符，极大地影响产品失效率。如何解决这个技术问题，对本领域技术人员而言成为了一项全新的挑战。对此，本专利技术的实施例提出在集成电路出厂前的测试中，将参考电阻值设置为一个较高的值，而在正常工作中采用一较低值。那么通过测试，可以将修调失败导致熔丝阻值小于该较高值的芯片筛选出来，确保最终投递至客户的产品中熔丝均具有大于较高值的阻值。这样，即使熔丝电阻值在其后的正常工作中由于温度或者封装应力而发生些许改变，其仍然能够大于较低值，从而保证集成电路的电路特性能够按照设计的那样得到调节。图2为根据本专利技术实施例的半导体集成电路200的示意性框图，包括熔丝、参考电阻产生电路201、电阻比较电路202以及调节电路203。参考电阻产生电路201接收代表集成电路是处于测试模式还是正常工作模式的模式信号MODE，并基于模式信号MODE提供参考电阻值Rref。其中参考电阻产生电路201在正常工作模式下提供参考电阻值Rref2，而在测试模式下提供大于Rref2的参考电阻值Rref1。电阻比较电路202耦接至熔丝及参考电阻产生电路201，将熔丝的电阻值与参考电阻值Rref进行比较，产生指示熔丝是否经过修调的修调状态信号STAT。调节电路203耦接至电阻比较电路202，本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种集成电路的电路特性调节方法，包括：将熔丝的电阻值与参考电阻值进行比较，以判断熔丝是否经过修调；若熔丝的电阻值大于参考电阻值，则判断为熔丝经过修调，并对集成电路的电路特性进行调节；判断集成电路是否工作于测试模式；以及若集成电路工作于测试模式，将参考电阻值增大。

【技术特征摘要】
1.一种集成电路的电路特性调节方法，包括：将熔丝的电阻值与参考电阻值进行比较，以判断熔丝是否经过修调；若熔丝的电阻值大于参考电阻值，则判断为熔丝经过修调，并对集成电路的电路特性进行调节；判断集成电路是否工作于测试模式；以及若集成电路工作于测试模式，将参考电阻值增大。2.如权利要求1所述的电路特性调节方法，其中对集成电路的电路特性进行调节包括校正工作参数。3.如权利要求1所述的电路特性调节方法，其中对集成电路的电路特性进行调节包括进行功能选择。4.如权利要求1所述的电路特性调节方法，其中对集成电路的电路特性进行调节包括使能或屏蔽功能电路。5.如权利要求1所述的电路特性调节方法，其中熔丝电阻值与参考电阻值之间的比较通过将熔丝两端的电压与参考电阻产生电路两端的电压比较来实现。6.一种集成电路，包括：熔丝；参考电阻产生电路，接收代表集成电路是处于测试模式还是正常工作模式的模式信号，并基于模式信号提供参考电阻值，其中参考电阻产生电路在测试模式下提供的参考电阻值大于在正常工作模式下提供的参考电阻值；电阻比较电路，耦接至熔丝及参考电阻产生电路，将熔丝的电阻值与参考电阻值进行比较，产生指示熔丝是否经过修调的修调状态信号；以及调节电路，耦接至电阻比较电路，基于修调状态信号对集成电路的电路特性进行调节。7.如权利要求6所述的集成电路，其中对集成电路的电路特性进行调节包括至少以下各项之一：校正工作参数；进行功能选择；使能或屏蔽功能电路。8.如权利要求6所述的集成电路，其中电阻比较电路包括：第一比较器，具有第一输入端、第二输入端和输出端，其中熔丝耦接在在第一比较器的第一输入端与参考地之间，参考电阻产生电路耦接在第一比较器的第二输入端与参考地之间，第一比较器的输出端提供修调状态信号；第一电流源，具有第一端和第二端，其中第一端耦接至供电电压，第二端耦接至第一比较器的第一输入端；以及第...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈跃东，谢飞，
申请(专利权)人：成都芯源系统有限公司，
类型：发明
国别省市：四川,51