阵列基板及其制作方法、显示面板技术

本发明专利技术实施例公开了一种阵列基板及其制作方法、显示面板，该阵列基板包括：第一基板；位于第一基板第一侧的多条扫描线；覆盖扫描线的第一绝缘层；位于第一绝缘层背离扫描线一侧的多条数据线，多条数据线与多条扫描线交叉设置限定出多个子像素区域，子像素区域包括开口区和包围开口区的遮光区；其中，第一绝缘层对应遮光区的部分为包括至少一层氧化硅层和至少一层氮化硅层的堆叠结构，第一绝缘层对应开口区的部分为包括至少一层氧化硅层的氧化硅层结构，该阵列基板制成显示面板时，可避免由于氮化硅层的刻蚀过程难以控制而导致各子像素区域中开口区的第一绝缘层厚度不均现象，从而缓解色偏现象，提高显示质量，同时提高显示亮度。

Array substrate, method for manufacturing the same, and display panel

The embodiment of the invention discloses an array substrate and its manufacturing method, display panel, the array substrate comprises a first substrate; a plurality of scan lines located on the first side of the first substrate; a first insulating layer covers the scanning lines; a plurality of data lines in the first insulation layer from side scan lines, a plurality of data lines and scan lines cross set defining a plurality of sub-pixel regions, sub pixel region includes the opening area and surrounded by the shading area opening area; wherein, a first insulating layer corresponding to the shading area as part of a stack structure including at least one layer of silicon oxide layer and at least one layer of silicon nitride layer, a first insulating layer corresponding to the opening area of the part including a silicon oxide layer structure at least a silicon oxide layer, the array substrate made of a display panel, can be avoided due to the etching process of the silicon nitride layer is difficult to control due to the sub pixel area In the domain of opening area of the first insulating layer thickness uneven phenomenon, so as to reduce the color cast phenomenon, improve display quality, and improve the brightness of the display.

【技术实现步骤摘要】
阵列基板及其制作方法、显示面板
本专利技术涉及显示
，尤其涉及一种阵列基板、包括该阵列基板的显示面板以及一种阵列基板的制作方法。
技术介绍
随着显示技术的发展，显示面板的应用越来越广泛，已逐渐成为人们生活和工作必不可少的重要工具。目前显示面板通常包括：交叉且绝缘设置的多条数据线和多条扫描线，多条数据线和多条扫描线限定出多个子像素区域；位于所述数据线和所述扫描线之间的层间绝缘层；与各子像素区域一一对应的薄膜晶体管，其中，薄膜晶体管的栅极与扫描线电连接，源极与数据线电连接，从而使得该薄膜晶体管可以在扫描线的控制下，将数据线中的信号传输给各子像素，控制各子像素区域的显示。需要说明的是，为了保证数据线和扫描线之间的良好电绝缘性，现有显示面板中，该层间绝缘层通常包括氮化硅层，具体制作时，主要是通过先形成一较厚的氮化硅层，再通过刻蚀将该氮化硅层刻蚀至预设厚度，但是，由于氮化硅层的刻蚀速率较快，使得其刻蚀过程难以精确控制，从而导致各子像素处的层间绝缘层厚度不均，造成在同一背光下，各子像素的显示颜色不完全相同，使得所述显示面板存在色偏现象，显示质量有待提高。
技术实现思路
为解决上述技术问题，本专利技术实施例提供了一种阵列基板及包括该阵列基板的显示面板，以改善该显示面板的色偏现象，提高显示质量。为解决上述问题，本专利技术实施例提供了如下技术方案：一种阵列基板，包括：第一基板；位于所述第一基板第一侧的多条扫描线；覆盖所述扫描线的第一绝缘层；位于所述第一绝缘层背离所述扫描线一侧的多条数据线，所述多条数据线与所述多条扫描线交叉设置限定出多个子像素区域，所述子像素区域包括开口区和包围所述开口区的遮光区；其中，所述第一绝缘层对应所述遮光区的部分为包括至少一层氧化硅层和至少一层氮化硅层的堆叠结构，所述第一绝缘层对应所述开口区的部分为包括至少一层氧化硅层的氧化硅层结构。可选的，所述第一绝缘层对应所述遮光区的部分包括一层所述氧化硅层和一层所述氮化硅层；所述第一绝缘层对应所述开口区的部分包括一层所述氧化硅层。可选的，所述第一绝缘层对应所述遮光区的部分包括两层所述氧化硅层和位于所述两层所述氧化硅层之间的一层所述氮化硅层；所述第一绝缘层对应所述开口区的部分包括两层所述氧化硅层。可选的，所述第一绝缘层对应所述遮光区的部分包括两层所述氮化硅层和位于所述两层所述氮化硅层之间的一层所述氧化硅层；所述第一绝缘层对应所述开口区的部分包括一层所述氧化硅层。可选的，所述第一绝缘层各处的厚度取值范围为300-900nm，包括端点值；一层所述氧化硅层的厚度取值范围为100-600nm，包括端点值；一层所述氮化硅层的厚度取值范围为100-600nm，包括端点值。可选的，所述阵列基板还包括：位于所述第一基板第一侧，与所述子像素区域一一对应且位于所述子像素区域内的薄膜晶体管，所述薄膜晶体管包括栅极、与所述栅极相绝缘的源极、漏极以及连接所述源极和所述漏极的有源层，其中，所述栅极与所述扫描线位于同一层且电连接，所述源极与所述数据线电连接，所述漏极与其对应子像素区域的像素电极电连接；且所述源极、所述漏极与所述数据线位于同一层，所述源极通过第一过孔与所述有源层电连接，所述漏极通过第二过孔与所述有源层电连接。可选的，所述有源层位于所述扫描线背离所述数据线一侧。可选的，所述有源层包括：与所述源极电连接的源区、与所述漏极电连接的漏区，以及位于所述源区和所述漏区之间的沟道区；所述阵列基板还包括：位于所述扫描线朝向所述第一基板一侧的遮光结构，以及位于所述遮光结构与所述扫描线之间的缓冲层，其中，所述遮光结构在所述第一基板上的投影至少覆盖所述沟道区在所述第一基板上的投影。一种显示面板，包括：上述阵列基板，与所述阵列基板相对设置的第二基板。一种阵列基板的制作方法，包括：在第一基板第一侧形成多条扫描线；在所述扫描线背离所述第一基板一侧形成第一绝缘层，所述第一绝缘层对应遮光区的部分为包括至少一层氧化硅层和至少一层氮化硅层的堆叠结构，所述第一绝缘层对应开口区的部分为包括至少一层氧化硅层的氧化硅层结构；在所述第一绝缘层背离所述扫描线一侧形成多条数据线，所述多条数据线与所述多条扫描线交叉设置限定出多个子像素区域，所述子像素区域包括所述开口区和包围所述开口区的所述遮光区。可选的，所述在所述扫描线背离所述第一基板一侧形成第一绝缘层，所述第一绝缘层对应遮光区的部分为包括至少一层氧化硅层和至少一层氮化硅层的堆叠结构，所述第一绝缘层对应开口区的部分为包括至少一层氧化硅层的氧化硅层结构包括：在所述扫描线背离所述第一基板一侧形成氮化硅层；对所述氮化硅层对应所述开口区的位置进行刻蚀，去掉所述开口区处的所述氮化硅层；在所述氮化硅层背离所述扫描线一侧形成氧化硅层，所述氧化硅层覆盖所述开口区和所述遮光区。可选的，所述在所述氮化硅层背离所述扫描线一侧形成氧化硅层之后还包括：在所述氧化硅层背离所述氮化硅层一层形成另一氮化硅层；对所述另一氮化硅层对应所述开口区的位置进行刻蚀，去掉所述开口区处的所述另一氮化硅层。可选的，所述在所述扫描线背离所述第一基板一侧形成第一绝缘层，所述第一绝缘层对应遮光区的部分为包括至少一层氧化硅层和至少一层氮化硅层的堆叠结构，所述第一绝缘层对应开口区的部分为包括至少一层氧化硅层的氧化层结构包括：在所述扫描线背离所述第一基板一侧形成氧化硅层，所述氧化硅层覆盖所述开口区和所述遮光区；在所述氧化硅层背离所述扫描线一侧形成氮化硅层；对所述氮化硅层对应所述开口区的位置进行刻蚀，去掉所述开口区处的所述氮化硅层。可选的，所述对所述氮化硅层对应所述开口区的位置进行刻蚀，去掉所述开口区处的所述氮化硅层之后还包括：在所述氮化硅层背离所述扫描线一侧形成另一氧化硅层，所述另一氧化硅层覆盖所述开口区和所述遮光区本专利技术实施例所提供的技术方案，阵列基板及包括该阵列基板的显示面板，通过去除掉所述第一绝缘层中对应所述子像素区域开口区部分的氮化硅层，来避免由于氮化硅层的刻蚀过程难以控制而导致各子像素区域中开口区的第一绝缘层厚度不均现象，从而缓解各子像素区域因其对应部分的第一绝缘层厚度不均而造成的色偏现象，提高显示质量，同时提高了显示亮度。附图说明为了更清楚地说明本专利技术实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本专利技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。图1为本专利技术一个实施例所提供的阵列基板的俯视图；图2为图1沿AB方向的一种剖视图；图3为图1沿AB方向的另一种剖视图；图4为图1沿AB方向的又一种剖视图；图5为本专利技术另一个实施例所提供的阵列基板的俯视图；图6为图5所示阵列基板的一种局部剖视图；图7为图5所示阵列基板的另一种局部剖视图；图8为本专利技术一个实施例所提供的显示面板的剖视图；图9示出了现有显示面板和本专利技术所提供显示面板在不同视角下的色偏示意图；图10为本专利技术一个实施例所提供的阵列基板的制作方法的流程图。具体实施方式下面将结合本专利技术实施例中的附图，对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例，本领本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种阵列基板，其特征在于，包括：第一基板；位于所述第一基板第一侧的多条扫描线；覆盖所述扫描线的第一绝缘层；位于所述第一绝缘层背离所述扫描线一侧的多条数据线，所述多条数据线与所述多条扫描线交叉设置限定出多个子像素区域，所述子像素区域包括开口区和包围所述开口区的遮光区；其中，所述第一绝缘层对应所述遮光区的部分为包括至少一层氧化硅层和至少一层氮化硅层的堆叠结构，所述第一绝缘层对应所述开口区的部分为包括至少一层氧化硅层的氧化硅层结构。

【技术特征摘要】
1.一种阵列基板，其特征在于，包括：第一基板；位于所述第一基板第一侧的多条扫描线；覆盖所述扫描线的第一绝缘层；位于所述第一绝缘层背离所述扫描线一侧的多条数据线，所述多条数据线与所述多条扫描线交叉设置限定出多个子像素区域，所述子像素区域包括开口区和包围所述开口区的遮光区；其中，所述第一绝缘层对应所述遮光区的部分为包括至少一层氧化硅层和至少一层氮化硅层的堆叠结构，所述第一绝缘层对应所述开口区的部分为包括至少一层氧化硅层的氧化硅层结构。2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述第一绝缘层对应所述遮光区的部分包括一层所述氧化硅层和一层所述氮化硅层；所述第一绝缘层对应所述开口区的部分包括一层所述氧化硅层。3.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述第一绝缘层对应所述遮光区的部分包括两层所述氧化硅层和位于所述两层所述氧化硅层之间的一层所述氮化硅层；所述第一绝缘层对应所述开口区的部分包括两层所述氧化硅层。4.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述第一绝缘层对应所述遮光区的部分包括两层所述氮化硅层和位于所述两层所述氮化硅层之间的一层所述氧化硅层；所述第一绝缘层对应所述开口区的部分包括一层所述氧化硅层。5.根据权利要求1-4任一项所述的阵列基板，其特征在于，所述第一绝缘层各处的厚度取值范围为300-900nm，包括端点值；一层所述氧化硅层的厚度取值范围为100-600nm，包括端点值；一层所述氮化硅层的厚度取值范围为100-600nm，包括端点值。6.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述阵列基板还包括：位于所述第一基板第一侧，与所述子像素区域一一对应且位于所述子像素区域内的薄膜晶体管，所述薄膜晶体管包括栅极、与所述栅极相绝缘的源极、漏极以及连接所述源极和所述漏极的有源层，其中，所述栅极与所述扫描线位于同一层且电连接，所述源极与所述数据线电连接，所述漏极与其对应子像素区域的像素电极电连接；且所述源极、所述漏极与所述数据线位于同一层，所述源极通过第一过孔与所述有源层电连接，所述漏极通过第二过孔与所述有源层电连接。7.根据权利要求6所述的阵列基板，其特征在于，所述有源层位于所述扫描线背离所述数据线一侧。8.根据权利要求7所述的阵列基板，其特征在于，所述有源层包括：与所述源极电连接的源区、与所述漏极电连接的漏区，以及位于所述源区和所述漏区之间的沟道区；所述阵列基板还包括：位于所述扫描线朝向所述第一基板一侧的遮光结构，以及位于所述遮...

【专利技术属性】
技术研发人员：齐璞玉，钟彩娇，伍黄尧，
申请(专利权)人：厦门天马微电子有限公司，天马微电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：福建,35