The utility model relates to a device for improving wet etching dirty, including washing tank, a drying groove and a discharge groove through the transmission roller, wafer washing bath, followed by drying tank and discharging grooves, spaced along the wafer transfer direction of the drying groove is provided with a drying air knife in the water tank; with the drying groove between the first drying air knife is provided with partition cover; the partition cover corresponding to the wafer is provided with avoidance window, partition cover on the silicon wafer around between washing tank and the drying tank sealing channel. The utility model is added with the partition to partition the ozone shield, not in contact with the wafer surface water is still in the hydrophobic state so that the wafer surface after washing, it can effectively reduce the etching of dirt, to enhance the yield of the target cell.
【技术实现步骤摘要】
一种改善湿法刻蚀脏污的装置
本技术涉及太阳能电池制造领域,尤其涉及一种改善湿法刻蚀脏污的装置。
技术介绍
常规的化石燃料日益消耗殆尽,在现有的可持续能源中,太阳能无疑是一种最清洁、最普遍和最有潜力的替代能源。太阳能发电装置又称为太阳能电池或光伏电池,可以将太阳能直接转换成电能,其发电原理是基于半导体PN结的光生伏特效应。太阳能发电装置的核心是电池片,目前绝大多数都采用硅片制成。现有技术中,晶体硅太阳能电池的制备工艺主要包括:清洗、去损伤层、制绒、扩散制结、刻蚀、沉积减反射膜、印刷、烧结、电池片测试。其中,刻蚀是晶体硅太阳能电池生产过程中的一个重要工序,刻蚀后需要对硅片进行清洁,水洗槽对硅片进行的清洗、烘干槽对其烘干、最后通过出料槽中臭氧对硅片表面进行质改。出料槽中臭氧经常会倒灌至烘干槽,在硅片从水洗槽进入烘干槽时,硅片表面仍会残留少量水珠,水珠与臭氧发生反应,使硅片表面从疏水状态变为亲水状态,后行进至第一个垂直风刀口,被高温风刀吹干,镀膜烧结后就会在硅片表面形成条形脏污,当硅片表面亲水时,则出现更为严重的朦胧脏污。
技术实现思路
本技术的目的在于提供一种改善湿法刻蚀脏污的装置。为达到上述目的,本技术采用的技术方案是:一种改善湿法刻蚀脏污的装置,包括水洗槽、烘干槽和出料槽,硅片通过传送滚轮的传送依次通过水洗槽、烘干槽及出料槽,所述烘干槽中沿硅片的传送方向间隔设置有烘干风刀;在所述烘干槽中第一道烘干风刀与水洗槽之间设置有隔断罩;所述隔断罩上对应于硅片开设有避让窗口,隔断罩于硅片四周将水洗槽与烘干槽之间的通道密封。上述方案中,所述隔断罩为中空结构。优选地,所述中空结 ...
【技术保护点】
一种改善湿法刻蚀脏污的装置,包括水洗槽、烘干槽和出料槽,硅片通过传送滚轮的传送依次通过水洗槽、烘干槽及出料槽,所述烘干槽中沿硅片的传送方向间隔设置有烘干风刀,其特征在于:在所述烘干槽中第一道烘干风刀与水洗槽之间设置有隔断罩;所述隔断罩上对应于硅片开设有避让窗口,隔断罩于硅片四周将水洗槽与烘干槽之间的通道密封。
【技术特征摘要】
1.一种改善湿法刻蚀脏污的装置,包括水洗槽、烘干槽和出料槽,硅片通过传送滚轮的传送依次通过水洗槽、烘干槽及出料槽,所述烘干槽中沿硅片的传送方向间隔设置有烘干风刀,其特征在于:在所述烘干槽中第一道烘干风刀与水洗槽之间设置有隔断罩;所述隔断罩上对应于硅片开设有避让窗口,隔断罩于硅片四周将水洗槽与烘干槽之间的通道密封。2.根据权利要求1所述的改善湿法刻蚀脏污的装置,其特征在于:所述隔断罩为中空结构。3.根据权利要求2所述的改善湿法刻蚀脏污的装置,其特征在于:所述中空结构的中空腔内设置有传送滚轮。4.根据权利要求2所述的改善湿法刻蚀脏污的装置,其特征在于:所述隔断罩具有两个侧壁,两...
【专利技术属性】
技术研发人员:易书令,姜大俊,郑旭然,邢国强,
申请(专利权)人:苏州阿特斯阳光电力科技有限公司,
类型:新型
国别省市:江苏,32
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