形成图案的方法技术

本发明专利技术公开了一种形成图案的方法。提供具有第一、第二与第三区域的基底。于第一、第二与第三区域的基底上分别形成第一、第二与第三图案。第一图案具有线宽L1与间距S1，且S1/L1=3。第二图案具有线宽L2与间距S2，且S2/L2为大于或等于3的整数。第三图案具有线宽L3与间距S3，且S3/L3=1。于第一、第二与第三图案的侧壁上分别形成第一、第二与第三间隙壁。于第一区域的基底上形成第一罩幕层。于暴露出的基底上形成第二罩幕层。移除第一罩幕层、第一图案、第二图案与第三图案。本发明专利技术的形成图案的方法，通过二次图案化工艺且仅使用两道光罩即可同时在不同区域的基底上形成具有不同间距线宽比的图案，因而有效地降低工艺复杂度，节省工艺成本。

A method of forming patterns

A method of forming patterns is disclosed. A substrate having first, second and third regions is provided. The first, second and third patterns are formed on the base of the first, second and third regions, respectively. The first pattern has a line width of L1 and a distance of S1, and a S1/L1=3. The second pattern has a line width L2 and a distance of S2, and the S2/L2 is an integer greater than or equal to 3. The third pattern has a line width of L3 and a distance of S3, and a S3/L3=1. The first, second and third gap walls are formed on the sidewalls of the first, second and third patterns, respectively. A first screen screen layer is formed on the base of the first area. A second screen layer is formed on the exposed base. Remove the first screen layer, the first pattern, the second pattern and the third pattern. Method of forming a pattern of the present invention, through two process and only using two pattern mask can be formed simultaneously with different spacing pattern in different regions of the substrate width ratio on thus effectively reduce process complexity, save the process cost.

【技术实现步骤摘要】
形成图案的方法技
本专利技术是有关于一种半导体工艺，且特别是有关于一种形成图案的方法。
技术介绍
随着集成电路技术的进步及元件尺寸的缩小化与集积化，图案的线宽（linewidth）与间距（space）尺寸也随之缩小。当图案的尺寸持续缩小，在制作这些图案时，有可能受限于微影机台的曝光极限而无法形成精确的图案。举例来说，对于目前所使用的微影机台来说，无法精确地制作出线宽小于或等于50nm且间距与线宽的比例为1：1的图案。为了克服上述问题，发展了二次图案化（doublepatterning）工艺。一般的半导体工艺中，在不同区域的基底上的图案通常具有不同的间距线宽比。然而，目前的二次图案化工艺只能同时在不同区域的基底上制作出相同间距线宽比的图案。若要在不同区域的基底上制作出具有不同的间距线宽比的图案，则必须额外使用至少一道光罩。如此一来，工艺步骤变得复杂，且生产成本也随之提高。
技术实现思路
本专利技术提供一种形成图案的方法，其可同时于不同区域的基板上形成具有不同间距线宽比的图案。本专利技术提出一种形成图案的方法，其是先提供具有第一区域、第二区域与第三区域的基底。然后，于第一区域、第二区域与第三区域的基底上分别形成第一图案、第二图案与第三图案，所述第一图案具有第一线宽L1与第一间距S1，所述第二图案具有第二线宽L2与第二间距S2，所述第三图案具有第三线宽L3与第三间距S3，其中S1/L1=3，S2/L2为大于或等于3的整数且S3/L3=1。接着，于第一图案、第二图案与第三图案的侧壁上分别形成第一间隙壁、第二间隙壁与第三间隙壁。而后，于第一区域的基底上形成第一罩幕层，其覆盖第一图案与第一间隙壁。继之，于暴露出的基底上形成第二罩幕层。之后，移除第一罩幕层、第一图案、第二图案与第三图案。基于上述，在本专利技术的形成图案的方法中，通过二次图案化工艺且仅使用两道光罩即可同时在不同区域的基底上形成具有不同的间距线宽比的图案，因而有效地降低工艺复杂度，并节省工艺成本。为让本专利技术的上述特征和优点能更明显易懂，下文特举实施例，并配合所附图式作详细说明如下。附图说明图1A至图1E为依照本专利技术的第一实施例所绘示的图案的形成流程剖面示意图。图2A至图2B为依照本专利技术的第二实施例所绘示的图案的形成流程剖面示意图。图3为依照本专利技术的第三实施例所绘示的图案的形成流程剖面示意图。图4A至图4D为依照本专利技术的第四实施例所绘示的图案的形成流程剖面示意图。其中，附图标记说明如下：100：基底101：第一区域102：第二区域103：第三区域104：第一图案105：第一间隙壁106：第二图案107：第二间隙壁108：第三图案109：第三间隙壁110：第一罩幕层112：第二罩幕层214：导体材料层215：导体图案316：介电层317：栅极图案418：沟渠420：绝缘材料层422：浅沟渠隔离图案L1、L2、L3、L1′、L2′、L3′、L1″、L2″、L3″、L1″′、L2″′、L3″′、L1″″、L2″″、L3″″：线宽S1、S2、S3、S1′、S2′、S3′、S1″、S2″、S3″、S1″′、S2″′、S3″′、S1″″、S2″″、S3″″：间距具体实施方式图1A至图1E为依照本专利技术的第一实施例所绘示的图案的形成流程剖面示意图。应注意，图式仅作为解说之用，并非用以限定本专利技术。首先，请参照图1A，提供基底100，其具有第一区域101、第二区域102及第三区域103。基底100例如为介电基底、导体基底或硅基底。继之，于第一区域101、第二区域102与第三区域103的基底100上分别形成第一图案104、第二图案106与第三图案108，其中第一图案104具有线宽L1与间距S1，第二图案106具有线宽L2与间距S2，第三图案108具有线宽L3与间距S3。在第一区域101中，第一图案104的间距S1与线宽L1的比例为3：1，即间距S1/线宽L1=3。在第二区域102中，第二图案106的间距S2与线宽L2的比例为大于或等于3的整数。在第三区域103中，第三图案108的间距S3与线宽L3的比例为1：1，即间距S3/线宽L3=1。此外，线宽L1与线宽L2小于或等于50nm，线宽L3大于50nm。在本实施例中，线宽L1与线宽L2例如为50nm，而线宽L3例如为150nm。此外，在本实施例中，虽绘示第二图案106的间距S2/线宽L2=3，但本专利技术不限定于此。在其他的实施例中，依实际不同的需求可将第二图案106的间距S2/线宽L2调整为大于3的整数。第一图案104、第二图案106及第三图案108的材料例如是光阻。第一图案104、第二图案106及第三图案108的形成方法例如是先在整个基底100上沉积一层光阻材料层（未绘示），再对光阻材料层进行微影工艺。在其他实施例中，第一图案104、第二图案106及第三图案108的材料也可为碳（carbon）。接着，请参照图1B，于第一图案104、第二图案106与第三图案108的侧壁上分别形成第一间隙壁105、第二间隙壁107与第三间隙壁109。第一间隙壁105、第二间隙壁107与第三间隙壁109的材料例如是氧化物、氮化物或其他适当的材料。第一间隙壁105、第二间隙壁107与第三间隙壁109的形成方法例如是先利用化学气相沉积法于基底上共形地形成间隙壁材料层（未绘示），接着对间隙壁材料层进行非等向性蚀刻工艺。一般来说，在利用化学气相沉积法来沉积间隙壁材料层时，可将间隙壁材料层的沉积厚度控制为与第一图案104的线宽L1相同，以在非等向性蚀刻工艺之后形成宽度与线宽L1相同的第一间隙壁105。通过形成宽度与线宽L1相同的第一间隙壁105，可使得在第一区域101中两相邻的第一间隙壁105之间的距离与线宽L1相同。举例而言，在第一区域101中，第一图案104的间距S1与线宽L1的比例为3：1，故当线宽L1为50nm时，两相邻的第一间隙壁105之间的距离也为50nm。然后，请参照图1C，于第一区域101的基底100上形成第一罩幕层110，其覆盖住第一图案104与第一间隙壁105。第一罩幕层110的材料例如是光阻。第一罩幕层110的形成方法例如是先在整个基底100上沉积一层光阻材料层（未绘示），再对光阻材料层进行微影工艺。在其他实施例中，第一罩幕层110的材料也可为碳（carbon）。之后，请参照图1D，于暴露出的基底100上形成第二罩幕层112。第二罩幕层112的材料例如是氧化物、氮化物或其他适当的材料。第二罩幕层112的形成方法例如是先于整个基底100上形成罩幕材料层（未绘示），接着进行非等向性蚀刻工艺，移除位于第一罩幕层110、第二图案106、第二间隙壁107、第三图案108与第三间隙壁109上方的罩幕材料层。特别一提的是，在第三区域103中，在形成第三间隙壁109之后，依据线宽L3与间距S3的尺寸，两相邻的第三间隙壁109之间可能具有空隙，也可能不具有空隙。在两相邻的第三间隙壁109之间不具有空隙的情况下，第二罩幕层112则不会形成于第三区域103中。接着，请参照图1E，移除第一罩幕层110、第一图案104、第二图案106与第三图案108，以在基底100的第一区域101、第二区域102与第三区域103上分别形成具有不同间距线宽比的图案。详细地说，第一区域1本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种形成图案的方法，包括：提供具有第一区域、第二区域与第三区域的基底；于所述第一区域、所述第二区域与所述第三区域的所述基底上分别形成第一图案、第二图案与第三图案，所述第一图案具有第一线宽L1与第一间距S1，所述第二图案具有第二线宽L2与第二间距S2，所述第三图案具有第三线宽L3与第三间距S3，其中S1/L1＝3，S2/L2为大于或等于3的整数且S3/L3＝1；于所述第一图案、所述第二图案与所述第三图案的侧壁上分别形成第一间隙壁、第二间隙壁与第三间隙壁；于所述第一区域的所述基底上形成第一罩幕层，所述第一罩幕层覆盖所述第一图案与所述第一间隙壁；于所述基底上形成罩幕材料层；进行非等向性蚀刻工艺，移除位于所述第一罩幕层、所述第二图案、所述第二间隙壁、所述第三图案与所述第三间隙壁上方的所述罩幕材料层，以形成第二罩幕层；以及移除所述第一罩幕层、所述第一图案、所述第二图案与所述第三图案。

【技术特征摘要】
1.一种形成图案的方法，包括：提供具有第一区域、第二区域与第三区域的基底；于所述第一区域、所述第二区域与所述第三区域的所述基底上分别形成第一图案、第二图案与第三图案，所述第一图案具有第一线宽L1与第一间距S1，所述第二图案具有第二线宽L2与第二间距S2，所述第三图案具有第三线宽L3与第三间距S3，其中S1/L1＝3，S2/L2为大于或等于3的整数且S3/L3＝1；于所述第一图案、所述第二图案与所述第三图案的侧壁上分别形成第一间隙壁、第二间隙壁与第三间隙壁；于所述第一区域的所述基底上形成第一罩幕层，所述第一罩幕层覆盖所述第一图案与所述第一间隙壁；于所述基底上形成罩幕材料层；进行非等向性蚀刻工艺，移除位于所述第一罩幕层、所述第二图案、所述第二间隙壁、所述第三图案与所述第三间隙壁上方的所述罩幕材料层，以形成第二罩幕层；以及移除所述第一罩幕层、所述第一图案、所述第二图案与所述第三图案。2.如权利要求1所述的形成图案的方法，其中所述第一线宽L1与所述第二线宽L2小于或等于50nm，而所述第三线宽L3大于50nm。3.如权利要求1所述的形成图案的方法，其中所述第一间隙壁、所述第二间隙壁与所述第三间隙壁的形成方法包括：于所述基底上共形地形成间隙壁材料层；以及进行非等向...

【专利技术属性】
技术研发人员：谢荣源，
申请(专利权)人：华邦电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾,71