发光器件制造技术

本发明专利技术涉及一种发光器件。根据本实施方案的发光器件包括：第一发光结构；第二发光结构；第一电极；第二电极；第三电极；第四电极；第一接触部；第二接触部；和第三接触部。

Light emitting device

The invention relates to a light emitting device. A light emitting device according to the embodiment includes a first light emitting structure; the second light emitting structure; a first electrode; a second electrode; a third electrode; a fourth electrode; a first contact part; the second contact and the third contact part.

【技术实现步骤摘要】
发光器件
实施方案涉及发光器件、发光器件封装件以及光单元。
技术介绍
发光二极管（LED）已经广泛用作发光器件之一。LED通过利用化合物半导体的特性将电信号转换成光的形式，例如红外光、可见光和紫外光。随着发光器件的发光效率增加，发光器件已经用在例如显示装置和照明设备的各种领域中。
技术实现思路
本专利技术实施方案提供了能够提高光提取效率和产品产率的发光器件、发光器件封装件以及光单元。根据实施方案的发光器件包括：包括第一导电性第一半导体层、第一导电性第一半导体层之下的第一有源层、以及第一有源层之下的第二导电性第二半导体层的第一发光结构；包括第一导电性第三半导体层、第一导电性第三半导体层之下的第二有源层、以及第二有源层之下的第二导电性第四半导体层的第二发光结构；电连接到第一导电性第一半导体层并且布置在第一发光结构之下的第一电极；电连接到第二导电性第二半导体层并且布置在第一发光结构之下的第二电极；电连接到第一导电性第三半导体层并且布置在第二发光结构之下的第三电极；电连接到第二导电性第四半导体层并且布置在第二发光结构之下的第四电极；设置为穿过第一发光结构并且包括电连接到第一电极的第一区域以及与第一导电性第一半导体层的顶表面接触的第二区域的第一接触部；电连接到第二电极和第三电极的第二接触部；以及设置为穿过第二发光结构并且包括电连接到第三电极的第一区域以及与第一导电性第三半导体层的顶表面接触的第二区域的第三接触部。根据实施方案的发光器件、发光器件封装件以及光单元可以提高光提取效率和产品产率。附图说明图1为示出根据实施方案的发光器件的图。图2为示出图1中所示的发光器件的第一接触部和第三接触部的布置的图。图3至图6为示出制造根据实施方案的发光器件的方法的截面图。图7为示出根据另一实施方案的发光器件的截面图。图8为示出根据实施方案的发光器件封装件的截面图。图9为示出根据实施方案的显示装置的分解透视图。图10为示出根据实施方案的显示装置的另一实施例的截面图。图11为示出根据实施方案的照明设备的分解透视图。具体实施方式在实施方案的描述中，应当理解，当层（或膜）、区域、图案或结构称作在另一衬底、另一层（或膜）、另一区域、另一焊盘（pad）或者另一图案“上”或“下”时，其可以“直接地”或“间接地”在其他衬底、层（或膜）、区域、焊盘或者图案之上，或者也可以存在一个或更多个插入层。参照附图来描述层的这样的位置。在下文中，将参照附图来详细地描述根据实施方案的发光器件、发光器件封装件、光单元以及用于制造发光器件的方法。图1为示出根据实施方案的发光器件的图，图2为示出图1中所示的发光器件的第一接触部和第三接触部的布置的图。如图1和图2所示，根据实施方案的发光器件可以包括第一发光结构10、第二发光结构20、第一电极81、第二电极82、第三电极83、第四电极84、第一接触部91、第二接触部92和第三接触部93。第一发光结构10可以包括第一导电性第一半导体层11、第一有源层12和第二导电性第二半导体层13。第一有源层12可以布置在第一导电性第一半导体层11与第二导电性第二半导体层13之间。第一有源层12可以设置在第一导电性第一半导体层11之下，并且第二导电性第二半导体层13可以设置在第一有源层12之下。第一导电性第一半导体层11可以包括掺杂有用作第一导电掺杂剂的N型掺杂剂的N型半导体层，并且第二导电性第二半导体层13可以包括掺杂有用作第二导电掺杂剂的P型掺杂剂的P型半导体层。另外，第一导电性第一半导体层11可以包括P型半导体层，并且第二导电性第二半导体层13可以包括N型半导体层。例如，第一导电性第一半导体层11可以包括N型半导体层。第一导电性第一半导体层11可以通过使用化合物半导体来实现。第一导电性第一半导体层11可以通过使用第II-VI族化合物半导体、或者第III-V族化合物半导体来实现。例如，第一导电性第一半导体层11可以通过使用具有InxAlyGa1-x-yN（0≤x≤1，0≤y≤1，0≤x+y≤1）的组成式的半导体材料来实现。例如，第一导电性第一半导体层11可以包括选自掺杂有例如Si、Ge、Sn、Se和Te的N型掺杂剂的GaN、AlN、AlGaN、InGaN、InN、InAlGaN、AlInN、AlGaAs、GaP、GaAs、GaAsP和AlGaInP中的一种。第一有源层12通过穿过第一导电性第一半导体层11注入的电子（或空穴）与穿过第二导电性第二半导体层13注入的空穴（或电子）的复合而发射具有与根据构成第一有源层12的材料的能带隙差对应的波长的光。第一有源层12可以具有单量子阱（SQW）结构、多量子阱（MQW）结构、量子点结构和量子线结构之一，但实施方案不限于此。第一有源层12可以通过使用化合物半导体来实现。第一有源层12可以通过使用具有InxAlyGa1-x-yN（0≤x≤1，0≤y≤1，0≤x+y≤1）的组成式的半导体材料来实现。当第一有源层12具有MQW结构时，第一有源层12可以通过堆叠多个阱层和多个势垒层来形成。例如，第一有源层12可以具有InGaN阱层/GaN势垒层的循环。例如，第二导电性第二半导体层13可以包括P型半导体层。第二导电性第二半导体层13可以通过使用化合物半导体来实现。例如，第二导电性第二半导体层13可以通过使用第II-VI族化合物半导体、或第III-V族化合物半导体来实现。例如，第二导电性第二半导体层13可以通过使用具有InxAlyGa1-x-yN（0≤x≤1，0≤y≤1，0≤x+y≤1）的组成式的半导体材料来实现。例如，第二导电性第二半导体层13可以包括选自掺杂有例如Mg、Zn、Ca、Sr和Ba的P型掺杂剂的GaN、AlN、AlGaN、InGaN、InN、InAlGaN、AlInN、AlGaAs、GaP、GaAs、GaAsP和AlGaInP中的一种。同时，第一导电性第一半导体层11可以包括P型半导体层，并且第二导电性第二半导体层13可以包括N型半导体层。另外，可以在第二导电性第二半导体层13之下附加地设置包括N型或P型半导体层的半导体层。因此，第一发光结构10可以具有NP结结构、PN结结构、NPN结结构或PNP结结构中的至少一种结构。另外，第一导电性第一半导体层11和第二导电性第二半导体层13中可以以均匀或非均匀掺杂浓度掺杂有杂质。换句话说，第一发光结构10可以具有各种结构，并且实施方案不限于此。另外，可以在第一导电性第一半导体层11与第一有源层12之间形成第一导电InGaN/GaN超晶格结构或InGaN/InGaN超晶格结构。另外，可以在第二导电性第二半导体层13与第一有源层12之间形成第二导电AlGaN层。第二发光结构20可以包括第一导电性第三半导体层21、第二有源层22和第二导电性第四半导体层23。第二有源层22可以布置在第一导电性第三半导体层21与第二导电性第四半导体层23之间。第二有源层22可以设置在第一导电性第三半导体层21之下，并且第二导电性第四半导体层23可以设置在第二有源层22之下。第一导电性第三半导体层21可以包括掺杂有用作第一导电掺杂剂的N型掺杂剂的N型半导体层，并且第二导电性第四半导体层23可以包括掺杂有用作第二导电掺杂剂的P型掺杂剂的P型半导体层。另外，第一导电性第三半导体本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种发光器件，包括：第一发光结构，所述第一发光结构包括第一导电性第一半导体层、在所述第一导电性第一半导体层之下的第一有源层、和在所述第一有源层之下的第二导电性第二半导体层；第二发光结构，所述第二发光结构包括第一导电性第三半导体层、在所述第一导电性第三半导体层之下的第二有源层、和在所述第二有源层之下的第二导电性第四半导体层；第一电极，所述第一电极电连接到所述第一导电性第一半导体层并且布置在所述第一发光结构之下；第二电极，所述第二电极电连接到所述第二导电性第二半导体层并且布置在所述第一发光结构之下；第三电极，所述第三电极电连接到所述第一导电性第三半导体层并且布置在所述第二发光结构之下；第四电极，所述第四电极电连接到所述第二导电性第四半导体层并且布置在所述第二发光结构之下；第一接触部，所述第一接触部设置为穿过所述第一发光结构并且包括电连接到所述第一电极的第一区域和与所述第一导电性第一半导体层的顶表面接触的第二区域；第二接触部，所述第二接触部电连接到所述第二电极和所述第三电极；第三接触部，所述第三接触部设置为穿过所述第二发光结构并且包括电连接到所述第三电极的第一区域和与所述第一导电性第三半导体层的顶表面接触的第二区域，所述第一电极设置在所述第二电极和所述第四电极之下，和所述第三电极设置在所述第一电极和所述第四电极之间。...

【技术特征摘要】
2013.02.15 KR 10-2013-00161311.一种发光器件，包括：第一发光结构，所述第一发光结构包括第一导电性第一半导体层、在所述第一导电性第一半导体层之下的第一有源层、和在所述第一有源层之下的第二导电性第二半导体层；第二发光结构，所述第二发光结构包括第一导电性第三半导体层、在所述第一导电性第三半导体层之下的第二有源层、和在所述第二有源层之下的第二导电性第四半导体层；第一电极，所述第一电极电连接到所述第一导电性第一半导体层并且布置在所述第一发光结构之下；第二电极，所述第二电极电连接到所述第二导电性第二半导体层并且布置在所述第一发光结构之下；第三电极，所述第三电极电连接到所述第一导电性第三半导体层并且布置在所述第二发光结构之下；第四电极，所述第四电极电连接到所述第二导电性第四半导体层并且布置在所述第二发光结构之下；第一接触部，所述第一接触部设置为穿过所述第一发光结构并且包括电连接到所述第一电极的第一区域和与所述第一导电性第一半导体层的顶表面接触的第二区域；第二接触部，所述第二接触部电连接到所述第二电极和所述第三电极；第三接触部，所述第三接触部设置为穿过所述第二发光结构并且包括电连接到所述第三电极的第一区域和与所述第一导电性第三半导体层的顶表面接触的第二区域，所述第一电极设置在所述第二电极和所述第四电极之下，和所述第三电极设置在所述第一电极和所述第四电极之间。2.根据权利要求1所述的发光器件，还包括在所述第一发光结构和所述第二发光结构的下部外周部分处露出的沟道层。3.根据权利要求2所述的发光器件，其中所述沟道层的第一区域布置在所述第二导电性第二半导体层之下。4.根据权利要求1所述的发光器件，还包括与所述第二发光结构间隔开并且电连接到所述第四电极的第四接触部。5.根据权利要求1所述的发光器件，其中所述第一接触部设置为穿过所述第一导电性第一半导体层、所述第一有源层和所述第二导电性第二半导体层。6.根据权利要求1所述的发光器件，其中所述第...

【专利技术属性】
技术研发人员：丁焕熙，
申请(专利权)人：LG伊诺特有限公司，
类型：发明
国别省市：韩国,KR