移位电路、移位寄存器和显示装置制造方法及图纸

本发明专利技术包括：移位寄存器的移位电路BCk，所述移位寄存器具有第一状态和第二状态并且包括多个移位电路；输出端子OUT，输出指示第一状态和第二状态中的任一个的状态信号；输出控制晶体管T13，在输出控制晶体管T13中时钟信号施加至第二电极，并且第三电极连接至所述输出端子；充电装置CQ，连接在所述输出控制晶体管的第一电极和第一节点Q之间；置位晶体管T11，根据从所述多个移位电路的前一端中的移位电路BC

Shift circuit, shift register, and display device

The invention comprises a shift register circuit BCk, the shift register has a first state and a second state and comprises a plurality of shift circuit; the output terminal OUT, indicating a state output signal of the first state and the second state; the output control transistor T13, the output control clock signal is applied to the second electrode transistor T13, and the third electrode is connected to the output terminal; the charging device CQ is connected between the first electrode and the first node of the Q output control transistor; a T11 transistor, BC shift circuit from the plurality of shift circuit before the end of the

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】移位电路、移位寄存器和显示装置
本专利技术涉及一种移位电路，包括该移位电路的移位寄存器和包括该移位寄存器的显示装置。
技术介绍
近来，诸如有机发光显示器(OLED)或液晶显示器(LCD)的有源驱动型平板显示装置已经被普遍开发和分布，并且为了使显示装置小型化并降低制造成本，已经开发了在同一基板上形成包括像素电路的显示单元和用于驱动栅极线(扫描线)的栅极驱动器的显示装置。有源驱动型显示装置通常使用移位寄存器作为栅极驱动器。作为这样的移位寄存器，使用被称为所谓的汤姆逊型(Thomsontype)移位寄存器的非晶硅薄膜晶体管的栅极驱动器在本领域中已众所周知(非专利文献1)。图1是示出非专利文献1中记载的常规的移位寄存器的配置的电路图。图1的移位寄存器包括由非晶硅制成的晶体管T1至T4。当起始信号(startsignal)被输入至输入端子IN时，晶体管T1导通，使得电荷被充入P节点，从而将降低至晶体管T1的阈值电压的电压施加至晶体管T3的栅极。在这种情况下，当施加至时钟端子的时钟信号CLK从低电平变为高电平时，处于浮置状态的P节点的电压受至晶体管T3的寄生电容Cgd和Cgs的耦合干扰。因此，P节点在高阈值电压下被自举，从而通过输出端子OUT输出时钟信号CLK。然后，当下一级(nextstage)的输出被输入至复位端子RST时，晶体管T2和T4导通，然后充电至P节点的电荷和输出端子OUT的电荷仅在复位信号的脉冲宽度时段期间放电，并且保持浮置状态直至下一个时段。同时，近年来已经尝试将氧化物薄膜晶体管(TFT)引入至显示装置的驱动电路。此外，由于与使用非晶硅作为半导体材料的TFT相比，氧化物TFT具有高迁移率、大导通电流和优异透明度的优点，所以特别地，有机TFT用作使用用于像素电路的透明有机EL装置的显示装置(TOLED)的TFT的材料。然而，氧化物TFT具有阈值电压低于0V的关键缺点，从而导致难以应用于电路。例如，当通过氧化物TFT形成图1的常规移位电路时，由于由氧化物半导体材料制成的晶体管T1至T4的阈值电压低于0V，所以即使当下一级的输出被输入至复位端子RST时，晶体管T3也不会完全截止，但是每当时钟CLK导通和截止时，时钟信号被部分地输出至输出端子OUT，从而导致输出电压的异常增大。[现有技术文献][非专利文献]非专利文献1：使用氢化非晶硅TFT的可靠集成栅极驱动器电路的研究，Kwon，Min-sung，2009年2月，庆熙大学.
技术实现思路
技术问题本专利技术的目的是提供一种移位电路、包括所述移位电路的移位寄存器和包括所述移位寄存器的显示装置，所述移位电路用于防止现有技术中出现的问题，即，即使当所述移位电路处于复位状态时，也输出端子的输出也根据时钟的导通和截止而异常地增大。技术方案为了实现上述目的，根据本专利技术的一个方面，提供一种移位寄存器的移位电路，所述移位寄存器包括级联连接的多个移位电路，所述移位电路包括：输入电路，包括前一级的移位电路的输出信号作为输入信号被供应至的输入端子、下一级的移位电路的输出信号作为复位信号被供应至的复位端子以及第一节点，并且被配置为当输入所述输入信号时，将所述第一节点的电位设置为所述输入信号的电位；反相电路，包括第二节点和基准电压端子，其中所述第二节点被配置为具有通过使所述第一节点的电位反转而获得的与所述第一节点的电位相反的电位；输出电路，包括第一时钟信号被供应至的第一时钟端子以及输出所述输出信号的输出端子，并且被配置为根据所述第一节点的电位和所述第二节点的电位将所述输出信号的电位作为根据所述第一时钟信号的电位输出至所述输出端子；以及保持电路，被配置为当所述第一节点的电位不是所述输入信号的电位时，将所述第二节点的电位保持为高电平电位。根据本专利技术的另一方面，提供一种移位寄存器的移位电路，所述移位寄存器具有第一状态和第二状态，并且包括级联连接的多个移位电路，所述移位电路包括：输出端子，被配置为输出指示所述第一状态和所述第二状态中的任一个的状态信号；输出控制晶体管，在所述输出控制晶体管中时钟信号施加至第二电极，并且第三电极连接至所述输出端子；充电装置，连接在所述输出控制晶体管的第一电极和第一节点之间；置位晶体管，被配置为基于从所述多个移位电路的前一级中的移位电路输出的状态信号激活所述第一节点，并且对所述充电装置充电；以及复位晶体管，被配置为基于从所述多个移位电路的下一级中的移位电路输出的状态信号来去激活所述第一节点。此外，根据本专利技术的另一方面，提供了一种移位寄存器，包括级联连接的多个移位电路，其中所述多个移位电路中的每一个包括上述移位电路。此外，根据本专利技术的另一方面，提供了一种包括发光装置的显示装置，所述显示装置包括：以矩阵形式设置的多个像素电路；以及上述移位寄存器，并且包括行选择驱动器，其被配置为通过将移位寄存器中包括的每个移位电路的输出信号作为用于选择显示装置的行的行选择信号来选择行单元中的多个像素电路。有益效果根据具有上述配置的本专利技术的移位电路，可以防止当移位电路由具有低于0V的阈值电压的晶体管形成时，输出端子的输出根据复位状态中的时钟信号的导通和截止而异常增大的问题，并且在移位电路的输出时可以确定地分开基准电压端子和输出端子，使得时钟信号可以精确地输出至输出端子，从而确保移位寄存器的操作的稳定性。特别地，当使用具有低于0V的阈值电压的氧化物薄膜晶体管形成移位电路时，可以确保操作的稳定性。附图说明图1是示出常规的移位寄存器的移位电路的配置的电路图。图2是示出根据本专利技术的优选实施例的显示装置的配置的图。图3是示出图2的栅极驱动器的移位寄存器的配置的图。图4是示出本专利技术的实施例1的移位电路的配置的图。图5是示出图4的移位电路的操作的时序图。图6是示出本专利技术的实施例2的移位电路的配置的图。图7是示出图6的移位电路的操作的时序图。图8是示出本专利技术的实施例3的移位电路的配置的图。图9是示出图8的移位电路的操作的时序图。图10是示出本专利技术的实施例4的移位电路的配置的图。图11是示出图10的移位电路的操作的时序图。具体实施方式以下将参照附图详细描述本专利技术的优选实施例。实施例1以下，作为示例，将根据实施例1的显示装置描述为具有多个像素的显示装置，其中每个像素包括作为发光装置的有机电致发光装置(以下称为“有机EL装置”)。图2示出根据本专利技术的实施例1的显示装置的配置。如图2A所示，根据本专利技术的实施例1的显示装置1包括n行m列的多个像素电路Px(i，j)(i＝1至m，j＝1至n，m和n分别为自然数)、栅极驱动器(行选择驱动器)12、阳极驱动器13、数据驱动器14以及控制器15。像素电路Px(i，j)对应于图像的每个像素，以矩阵形式布置，并且包括有机EL装置101，两个晶体管T1和T2以及电容器C，如图2B所示。电容器C是布置在晶体管T2的栅极和源极之间的电容器。有机EL装置101是具有如下结构的显示装置：在所述结构中，像素电极(阳极电极)、包括单个或多个载流子传输层(carriertransportlayer)的有机EL层以及对电极依次堆叠，并且向对电极(阴极电极)施加阴极电位Vcath。晶体管T1和T2是由n沟道场效应晶体管(FET)形成的TFT，并且分别具有漏极、源极和栅极，其中半导体层布置本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种移位寄存器的移位电路，所述移位寄存器包括级联连接的多个移位电路，所述移位电路包括：输入电路，包括前一级的移位电路的输出信号作为输入信号被供应至的输入端子、下一级的移位电路的输出信号作为复位信号被供应至的复位端子以及第一节点，并且被配置为当输入所述输入信号时，将所述第一节点的电位设置为所述输入信号的电位；反相电路，包括第二节点和基准电压端子，其中所述第二节点被配置为具有通过使所述第一节点的电位反转而获得的与所述第一节点的电位相反的电位；输出电路，包括第一时钟信号被供应至的第一时钟端子以及输出所述输出信号的输出端子，并且被配置为根据所述第一节点的电位和所述第二节点的电位将所述输出信号的电位作为根据所述第一时钟信号的电位输出至所述输出端子；以及保持电路，被配置为当所述第一节点的电位不是所述输入信号的电位时，将所述第二节点的电位作为高电平电位保持。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2014.05.28 KR 10-2014-0064275;2014.12.01 KR 10-2011.一种移位寄存器的移位电路，所述移位寄存器包括级联连接的多个移位电路，所述移位电路包括：输入电路，包括前一级的移位电路的输出信号作为输入信号被供应至的输入端子、下一级的移位电路的输出信号作为复位信号被供应至的复位端子以及第一节点，并且被配置为当输入所述输入信号时，将所述第一节点的电位设置为所述输入信号的电位；反相电路，包括第二节点和基准电压端子，其中所述第二节点被配置为具有通过使所述第一节点的电位反转而获得的与所述第一节点的电位相反的电位；输出电路，包括第一时钟信号被供应至的第一时钟端子以及输出所述输出信号的输出端子，并且被配置为根据所述第一节点的电位和所述第二节点的电位将所述输出信号的电位作为根据所述第一时钟信号的电位输出至所述输出端子；以及保持电路，被配置为当所述第一节点的电位不是所述输入信号的电位时，将所述第二节点的电位作为高电平电位保持。2.根据权利要求1所述的移位电路，其中，所述输入电路包括：第一输入晶体管，被配置为当所述输入信号被输入至所述输入端子时导通，以将所述第一节点的电位设置为所述输入信号的电位；以及第二输入晶体管，被配置为当所述复位信号被输入至所述复位端子时导通，以便使所述第一节点的电位反转。3.根据权利要求1所述的移位电路，其中，所述输出电路包括：输出晶体管，所述输出晶体管的栅极连接至所述第一节点，以在所述第一时钟端子与所述输出端子之间形成电流路径；以及电容器，连接在所述输出晶体管的所述栅极和源极之间。4.根据权利要求1所述的移位电路，其中，所述反相电路包括反相晶体管，所述反相晶体管的栅极连接至所述第一节点，以在所述第二节点与所述基准电压端子之间形成电流路径。5.根据权利要求1所述的移位电路，其中，所述保持电路包括：第一保持晶体管，被配置为在所述第一时钟端子与所述第二节点之间形成电流路径；第二保持晶体管，被配置为在第二时钟端子与所述第二节点之间形成电流路径，所述第二时钟端子输入具有与所述第一时钟信号的电平相反的电平的信号的第二时钟信号；第三保持晶体管，其栅...

【专利技术属性】
技术研发人员：文慧智，
申请(专利权)人：可隆奥托株式会社，
类型：发明
国别省市：韩国,KR