一种大空间使用的负离子发生器制造技术

一种大空间使用的负离子发生器，由桥式整流输入电路、稳压集成控制电路、高频变压器、光耦电压控制电路、多倍整流电路、负离子释放单元、发生器外壳和机体外壳构成，桥式整流输入电路、稳压集成控制电路、高频变压器、光耦电压控制电路、多倍整流电路、负离子释放单元之间通过导线连接并安装在发生器外壳内部，发生器外壳安装在机体外壳内部。本发明专利技术经稳压集成控制电路、高频变压器、光耦电压控制电路相互作用产生稳定持续的高频脉冲，在相关电路作用下使后续电路产生的负离子穿透距离大幅增加，工作功率大、负离子释放量大、负离子抛射半径长，能持续释放高浓度小粒径负离子，能满足大的区域空间使用。

A negative ion generator for use in large spaces

A large space of the negative ion generator, a bridge rectifier input circuit, voltage regulator integrated control circuit, high frequency transformer, optocoupler voltage control circuit, multiple rectifier circuit, negative ion releasing unit, generator casing and casing body, between the bridge rectifier input circuit, voltage regulator integrated control circuit, high-frequency transformer, voltage control circuit, optocoupler multiple rectifying circuit, negative ion releasing unit connected by wires and arranged inside the housing of the generator, the generator casing is installed in the shell body. The voltage regulator integrated control circuit, high frequency transformer, optocoupler voltage control circuit produced by the interaction of stable high frequency pulse, negative ions for subsequent circuit in the circuit under the action of the penetration distance increase, the high-power, negative ion release, negative ion ejection radius, sustained release of high concentration of small size negative ions, can meet the region with large space.

【技术实现步骤摘要】
一种大空间使用的负离子发生器
本专利技术涉及电气设备领域，特别是一种工作时能持续释放高浓度小粒径负离子，工作功率大、负离子释放量大、负离子抛射半径长，能满足空间大的区域使用(比如单位办公室、教室)的一种大空间使用的负离子发生器。
技术介绍
目前，现有的小型负离子发生器，由于受其构造所限，工作时一般释放大粒径负离子，功率小，负离子释放量小，负离子抛射半径短，主要应用于家庭、汽车等空间小的地方使用，在空间大的区域(比如教室、单位办公室)不能正常使用，不能给空间大的区域提供足够量的负离子；现有的大功率负离子发生器，采用可控硅作为核心部件产生脉冲电流，然后在后续电路作用下向空间释放负离子，可控硅作为核心部件产生脉冲电流最大不足是工作频率低，因而导致后续电路释放负离子时，负离子发射距离近，穿透距离短，而且在工作时易产生高温，导致负离子释放量大幅下降。
技术实现思路
为了克服现有的小型负离子发生器，由于受其构造所限，工作时释放大粒径负离子，功率小，负离子释放量小，负离子抛射半径短，在空间大的区域不能正常使用，不能给空间大的区域提供足够量的负离子；以及现有的大功率负离子发生器，因采用可控硅作为核心部件产生脉冲电流，可控硅作为核心部件产生脉冲电流工作频率低，导致后续电路释放负离子时，负离子发射距离近，穿透距离短，在工作时易产生高温，导致负离子释放量大幅下降的弊端，本专利技术提供了一种使用稳压集成控制电路、高频变压器、光耦电压控制电路相互作用，产生高频脉冲，在相关电路作用下使后续电路产生的负离子穿透距离大幅增加，工作功率大、负离子释放量大、负离子抛射半径长，能持续释放高浓度小粒径负离子，能满足空间大的区域使用(比如单位办公室、教室)的一种大空间使用的负离子发生器。本专利技术解决其技术问题所采用的技术方案是：一种大空间使用的负离子发生器，其特征在于由桥式整流输入电路、稳压集成控制电路、高频变压器、光耦电压控制电路、多倍整流电路、负离子释放单元、发生器外壳和机体外壳构成，桥式整流输入电路电源输入端和220V交流电源通过导线连接，桥式整流输入电路正极电源输出端和稳压集成控制电路正极电源输入端、高频变压器初次绕组一端通过导线连接，稳压集成控制电路电源输出端和高频变压器初次绕组另一端通过导线连接，高频变压器次级绕组第一个、第二个输出端分别和光耦电压控制电路两个控制电源输入端通过导线连接，高频变压器次级绕组第一个输出端和多倍整流电路第一电源输入端通过导线连接，高频变压器次级绕组第二个输出端和多倍整流电路第二电源输入端通过导线连接，高频变压器次级绕组第三个、第四个输出端分别和光耦电压控制电路信号输入两端通过导线连接，光耦电压控制电路信号输出端和稳压集成控制电路反馈信号输入端通过导线连接，多倍整流电路电源输出端和负离子释放单元一端通过导线连接，桥式整流输入电路负极电源输出端和稳压集成控制电路负极电源输入端、高频变压器次级绕组第四个输出端、光耦电压控制电路负极电源输入端通过导线接地，桥式整流输入电路、稳压集成控制电路、高频变压器、光耦电压控制电路、多倍整流电路、负离子释放单元安装在发生器外壳内部，发生器外壳安装在机体外壳内部。所述的桥式整流输入电路由硅整流二极管和保险丝、电解电容组成，硅整流二极管有四只，保险丝一端和第一只硅整流二极管负极、第二只硅整流二极管正极通过导线连接，第三只硅整流二极管负极和第四只硅整流二极管正极通过导线连接，第二只硅整流二极管正极和第四只硅整流二极管正极、电解电容正极通过导线连接，第一只硅整流二极管负极和第三只硅整流二极管正极、电解电容负极通过导线接地。所述的稳压集成控制电路由AC-DC转换开关电路、电解电容、瞬变二极管、电阻和瓷片电容组成稳压集成控制电路，AC-DC转换开关管型号是TOP223YN，电阻一端和瓷片电容一端通过导线连接，电阻另一端和瞬变二极管负极、瓷片电容另一端通过导线连接，瞬变二极管正极和AC-DC转换开关管A1输出端3脚通过导线连接，AC-DC转换开关管的控制端2脚和电解电容正极通过导线连接，AC-DC转换开关管的输入端1脚和电解电容负极第二只瓷片电容一端通过导线接地，第二只瓷片电容另一端和第三只瓷片电容一端通过导线连接，第三只瓷片电容另一端通过导线接地。所述的光耦电压控制电路由硅整流二极管、瓷片电容、电阻、光耦和三端并联稳压二极管组成，瓷片电容和硅整流二极管各有两只，电阻有三只，第一只硅整流二极管负极和第一只电阻一端、光耦内藏的光电三极管集电极通过导线连接，第一只电阻另一端和光耦内藏的发光二极管正极通过导线连接，三端并联稳压二极管的阳极和光耦内藏的发光二极管负极通过导线连接，第一只瓷片电容另一端和三端并联稳压二极管的阴极、第二只瓷片电容一端、第三只电阻一端、第二只硅整流二级管正极通过导线接地，第三只电阻另一端和第二只瓷片电容另一端、第二只电阻一端、三端并联稳压二极管的参考电压输入端通过导线连接。所述的多倍整流电路由电容和硅整流二极管组成，电容是CBB高频电容，电容有十只，硅整流二极管有九只，第一只电容一端和第一只硅整流二极管负极通过导线连接，第一只电容另一端和第二只电容一端通过导线连接，第二只电容另一端和第二只硅整流二极管正极、第三只硅整流二极负极、第三只电容一端通过导线连接，第三只电容另一端和第四只硅整流二极管正极、第五只硅整流二极管负极、第四只电容一端通过导线连接，第四只解电容另一端和第六只硅整流二极管正极、第七只硅整流二极管负极、第五只电容一端通过导线连接，第五只电容另一端和第八只硅整流二极管正极、第九只硅整流二极管负极通过导线连接，第六只电容一端和第一只硅整流二极管正极、第二只硅整流二极管负极、第七只电容一端通过导线连接，第七只电容一端和第三只硅整流二极管正极、第四只硅整流二极管负极、第八只电容一端通过导线连接，第八只电容另一端和第五只硅整流二极管正极、第六只硅整流二极管负极、第九只电容一端通过导线连接，第九只电容另一端和第七只硅整流二极管正极、第八只硅整流二极管负极、第十只电容一端通过导线连接，第十只电容另一端和第九只硅整流二极管正极通过导线连接。所述的负离子释放单元由滤波电阻和富勒烯负离子释放电极组成，滤波电阻一端分别和富勒烯负离子释放电极一端通过导线连接。本专利技术有益效果是：工作时，220V交流电源经桥式整流输入电路整流转换为直流电源后，经稳压集成控制电路稳压、转换为交流电源进入高频变压器初级绕组，高频变压器次级绕组输出的电压信号经光耦电压控制电路反馈给稳压集成控制电路，稳压集成控制电路同步实时调整输出电压，使稳压集成控制电路稳压、转换为后交流电源进入高频变压器初级绕组时，处于稳定的状态，保证后续电路平稳运行，确保整个工作电路的稳定有效。高频变压器将稳压集成控制电路输入稳定的交流电源升压后，输入至多倍整流电路，多倍整流电路将输入的电源进行九倍整流升压，输出的高压经负离子释放单元释放到空间，为大空间区域提供足量的负离子。本专利技术经稳压集成控制电路、高频变压器、光耦电压控制电路相互作用产生稳定持续的高频脉冲，在相关电路作用下使后续电路产生的负离子穿透距离大幅增加，工作功率大、负离子释放量大、负离子抛射半径长，能持续释放高浓度小粒径负离子，能满足大的区域空间使用；克服了现有的小型负离子发本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种大空间使用的负离子发生器，其特征在于由桥式整流输入电路、稳压集成控制电路、高频变压器、光耦电压控制电路、多倍整流电路、负离子释放单元、发生器外壳和机体外壳构成，桥式整流输入电路电源输入端和220V交流电源通过导线连接，桥式整流输入电路正极电源输出端和稳压集成控制电路正极电源输入端、高频变压器初次绕组一端通过导线连接，稳压集成控制电路电源输出端和高频变压器初次绕组另一端通过导线连接，高频变压器次级绕组第一个、第二个输出端分别和光耦电压控制电路两个控制电源输入端通过导线连接，高频变压器次级绕组第一个输出端和多倍整流电路第一电源输入端通过导线连接，高频变压器次级绕组第二个输出端和多倍整流电路第二电源输入端通过导线连接，高频变压器次级绕组第三个、第四个输出端分别和光耦电压控制电路信号输入两端通过导线连接，光耦电压控制电路信号输出端和稳压集成控制电路反馈信号输入端通过导线连接，多倍整流电路电源输出端和负离子释放单元一端通过导线连接，桥式整流输入电路负极电源输出端和稳压集成控制电路负极电源输入端、高频变压器次级绕组第四个输出端、光耦电压控制电路负极电源输入端通过导线接地，桥式整流输入电路、稳压集成控制电路、高频变压器、光耦电压控制电路、多倍整流电路、负离子释放单元安装在发生器外壳内部，发生器外壳安装在机体外壳内部。...

【技术特征摘要】
1.一种大空间使用的负离子发生器，其特征在于由桥式整流输入电路、稳压集成控制电路、高频变压器、光耦电压控制电路、多倍整流电路、负离子释放单元、发生器外壳和机体外壳构成，桥式整流输入电路电源输入端和220V交流电源通过导线连接，桥式整流输入电路正极电源输出端和稳压集成控制电路正极电源输入端、高频变压器初次绕组一端通过导线连接，稳压集成控制电路电源输出端和高频变压器初次绕组另一端通过导线连接，高频变压器次级绕组第一个、第二个输出端分别和光耦电压控制电路两个控制电源输入端通过导线连接，高频变压器次级绕组第一个输出端和多倍整流电路第一电源输入端通过导线连接，高频变压器次级绕组第二个输出端和多倍整流电路第二电源输入端通过导线连接，高频变压器次级绕组第三个、第四个输出端分别和光耦电压控制电路信号输入两端通过导线连接，光耦电压控制电路信号输出端和稳压集成控制电路反馈信号输入端通过导线连接，多倍整流电路电源输出端和负离子释放单元一端通过导线连接，桥式整流输入电路负极电源输出端和稳压集成控制电路负极电源输入端、高频变压器次级绕组第四个输出端、光耦电压控制电路负极电源输入端通过导线接地，桥式整流输入电路、稳压集成控制电路、高频变压器、光耦电压控制电路、多倍整流电路、负离子释放单元安装在发生器外壳内部，发生器外壳安装在机体外壳内部。2.根据权利要求1所述的一种大空间使用的负离子发生器，其特征在于桥式整流输入电路由硅整流二极管和保险丝、电解电容组成，硅整流二极管有四只，保险丝一端和第一只硅整流二极管负极、第二只硅整流二极管正极通过导线连接，第三只硅整流二极管负极和第四只硅整流二极管正极通过导线连接，第二只硅整流二极管正极和第四只硅整流二极管正极、电解电容正极通过导线连接，第一只硅整流二极管负极和第三只硅整流二极管正极、电解电容负极通过导线接地。3.根据权利要求1所述的一种大空间使用的负离子发生器，其特征在于稳压集成控制电路由AC-DC转换开关电路、电解电容、瞬变二极管、电阻和瓷片电容组成稳压集成控制电路，AC-DC转换开关管型号是TOP223YN，电阻一端和瓷片电容一端通过导线连接，电阻另一端和瞬变二极管负极、瓷片电容另一端通过导线连接，瞬变二极管正极和AC-DC转换开关管A1输出端3脚通过导线连接，AC-DC转换开关管的控制端2脚和电解电容正极通过导线连接，AC-DC...

【专利技术属性】
技术研发人员：周丰怀，
申请(专利权)人：山东艾尔维特健康科技有限公司，
类型：发明
国别省市：山东,37