The present invention provides a light emitting LED on the same substrate to achieve blue and green and red fluorescent powder, which comprises the following steps: epitaxial substrate roughening, photoresist is coated with a layer of more than 10 mu m high temperature; the blue hollow mask plate placed in advance of the photoresist, exposure to the optical part is removed; the substrate lithography of epitaxial growth, blue epitaxy is completed, the two is coated in a layer of photoresist mask, green hollow plate placed in advance of the photoresist, will remove part of the substrate after exposure; lithography on green epitaxial furnace in the epitaxial growth. Finally through deposition, the electrode manufacture, testing process as one of the green and blue chip lobes, uniform substrate with green and blue chip. In the same substrate by epitaxial growth of super narrow wavelength (50nm) blue and green chips, red phosphor collocation ultra narrow wavelength can be output color gamut could exceed the 100% standard NTSC wide color gamut LED.
【技术实现步骤摘要】
一种在同一衬底上实现蓝绿光加红光荧光粉的发光LED
本专利技术涉及到LED
,特别是一种在同一衬底上实现蓝绿光加红光荧光粉发光LED。
技术介绍
在LED行业最为常见的方式是蓝光LED搭配黄色荧光粉产生白光,目前市面上有蓝光LED搭配黄色荧光粉产生白光和蓝光LED搭配绿色荧光粉以及红色荧光粉产生白光,特别是蓝光LED搭配氟化物荧光粉的高色域方案,目前已被日亚以及通用电气申请为专利。现有的LED白光技术为蓝光LED搭配黄色荧光粉产生白光,但是此种方式所产生的白光色域覆盖率低,导致颜色失真,色彩不饱和,不能满足现代人对色彩的需求。基于该原因,为提升白光的色域,通过蓝光LED搭配红色荧光粉以及绿色荧光粉来实现,但是由于材料以及工艺的原因导致绿色荧光粉的半波宽不像红光那样做的窄(在7.5nm左右),进而导致色域不能够做到100%甚至更高。而目前LED的技术相对成熟,LED晶片的半波宽可以做的很窄,可以做到25nm左右。这样通过在同一衬底通过磊晶生长出超窄波长(50nm以下)的蓝光、绿光LED,在搭配超窄波长(在7.5nm左右)的红色荧光粉便可制备出色域可以超出100%标准NTSC的广色域LED。
技术实现思路
为解决上述技术问题,本专利技术提供了一种在同一衬底上实现蓝绿光加红光荧光粉的发光LED,其包括以下步骤:S1:将衬底粗化,在衬底上涂上一层大于10μm耐高温的光刻胶;将事先做好的蓝光镂空光罩板放置在光刻胶上,通过曝光、显影、光刻将曝光部分去除掉;S2:将光刻后的衬底放到蓝光外延炉里磊晶生长,蓝光磊晶完成后,再二次涂布一层光刻胶,将事先做好的绿色镂空光罩板放 ...
【技术保护点】
一种在同一衬底上实现蓝绿光加红光荧光粉的发光LED,其特征在于,包括以下步骤:S1:将衬底粗化,在衬底上涂上一层大于10μm耐高温的光刻胶;将事先做好的蓝光镂空光罩板放置在光刻胶上,通过曝光、显影、光刻将曝光部分去除掉;S2:将光刻后的衬底放到蓝光外延炉里磊晶生长,蓝光磊晶完成后,再二次涂布一层光刻胶,将事先做好的绿色镂空光罩板放置在光刻胶上,通过曝光、显影、光刻将曝光部分去除掉;S3:将光刻后的衬底放到绿光外延炉里磊晶生长,最后通过蒸镀、电极制作、测试工艺将蓝绿LED作为一体进行裂片,得到统一衬底的蓝绿光LED。
【技术特征摘要】
1.一种在同一衬底上实现蓝绿光加红光荧光粉的发光LED,其特征在于,包括以下步骤:S1:将衬底粗化,在衬底上涂上一层大于10μm耐高温的光刻胶;将事先做好的蓝光镂空光罩板放置在光刻胶上,通过曝光、显影、光刻将曝光部分去除掉;S2:将光刻后的衬底放到蓝光外延炉里磊晶生长,蓝光磊晶完成后,再二次涂布一层光刻胶,将事先做好的绿色镂空光罩板放置在光刻胶上,通过曝光、显影、光刻将曝光部分去除掉;S3:将光刻后的衬底放到绿光外延炉里磊晶生长,最后通过蒸镀、电极制作、测试...
【专利技术属性】
技术研发人员:丁磊,彭友,陈龙,
申请(专利权)人:安徽连达光电科技有限公司,
类型:发明
国别省市:安徽,34
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