薄膜晶体管及其制备方法、阵列基板技术

本发明专利技术提出一种薄膜晶体管及其制备方法、阵列基板，其中薄膜晶体管的制备方法包括：在基板上制备多晶硅层；在所述多晶硅层上顺序制备金属膜层及层间绝缘膜；在所述金属膜层上形成贯穿所述层间绝缘膜的第一过孔并制备源漏极。上述薄膜晶体管及其制备方法、阵列基板，通过在多晶硅层上增加一金属膜层，能够在刻蚀过孔时，保护多晶硅层，避免多晶硅层被误刻蚀，从而提高薄膜晶体管的良品率。由于刻蚀气体对绝缘层和金属膜层具有较高选择比，无需分两阶段进行刻蚀，亦无需使用含碳较高的C

Thin film transistor, method for producing the same, and array substrate

The invention provides a thin film transistor and a preparation method thereof, wherein the thin film transistor array substrate, including the preparation method comprises: a polysilicon layer on the substrate; in order to prepare the metal film and the interlayer insulating film on the polycrystalline silicon layer; forming through the interlayer insulating film of the first through hole and preparation the source drain on the metal film. The thin film transistor and its preparation method, array substrate by adding a metal layer on the polysilicon layer, in etching vias, protect the polysilicon layer, a polysilicon layer is etched to avoid error, so as to improve the yield rate of the thin film transistor. Since the etching gas has a higher selection ratio between the insulating layer and the metal film layer, the etching process does not need to be performed in two stages, and the C with higher carbon content is not needed

【技术实现步骤摘要】
薄膜晶体管及其制备方法、阵列基板
本专利技术涉及显示
，尤其涉及一种薄膜晶体管及其制备方法、包括该薄膜晶体管的阵列基板。
技术介绍
多晶硅(p-si)薄膜晶体管(ThinFilmTransistor，TFT)由于具有响应时间快、容易实现重掺杂、沟道电流稳定等优点，在显示领域得到了广泛应用。在多晶硅薄膜晶体管的制备工艺中，制备源/漏极之前，先进行过孔工艺，在p-si层以上形成过孔。传统的过孔工艺，一是仅采用CF4/O2气体进行刻蚀，这种工艺由于刻蚀气体对绝缘膜和p-Si的选择比低，而出现p-Si层同时被刻蚀掉的问题。为了提高对绝缘膜和p-Si的选择比，另一种工艺是在采用CF4/O2气体进行刻蚀一定时间之后，使用C4F8和C2HF5等含碳较高的气体继续刻蚀。但是，使用了C4F8和C2HF5等气体的情况下，CFx的反应性生成物附着在设备腔室内，导致设备需要经常维护保养，缩短了设备的维护保养周期。
技术实现思路
有鉴于此，有必要提供一种薄膜晶体管及其制备方法、阵列基板，能够避免多晶硅层被误刻蚀，保护多晶硅层，同时延长设备的维护保养周期，节省工业生产成本。本专利技术公开了一种薄膜晶体管的制备方法，其包括：在基板上制备多晶硅层；在所述多晶硅层上顺序制备金属膜层及层间绝缘膜；在所述金属膜层上形成贯穿所述层间绝缘膜的第一过孔并制备源漏极。在其中一个实施例中，所述在所述金属膜层上形成贯穿所述层间绝缘膜的第一过孔，为：采用含氟的预设气体进行刻蚀，在所述金属膜层上形成贯穿所述层间绝缘膜的第一过孔。在其中一个实施例中，所述在所述多晶硅层上顺序制备金属膜层及层间绝缘膜，包括：在所述多晶硅层对应于源漏极的区域上制备金属膜层；在所述多晶硅层上制备层间绝缘膜，所述层间绝缘膜覆盖所述金属膜层。在其中一个实施例中，所述在所述多晶硅层上制备层间绝缘膜，包括：在所述多晶硅层上顺序制备栅极绝缘膜、栅极及层间绝缘膜；并且，所述在所述金属膜层上形成贯穿所述层间绝缘膜的第一过孔，为：在所述金属膜层上形成贯穿所述层间绝缘膜及所述栅极绝缘膜的第一过孔。在其中一个实施例中，所述在所述多晶硅层对应于源漏极的区域上制备金属膜层，包括：在所述多晶硅层上制备栅极绝缘膜；在对应于源漏极的区域上形成贯穿所述栅极绝缘膜的第二过孔；在所述栅极绝缘膜上分别制备栅极及金属膜层，所述金属膜层覆盖所述第二过孔；并且，所述在所述多晶硅层上制备层间绝缘膜，为：在所述栅极绝缘膜上制备层间绝缘膜，所述层间绝缘膜覆盖所述栅极和所述金属膜层。在其中一个实施例中，所述在基板上制备多晶硅层之前，所述薄膜晶体管的制备方法还包括：在所述基板上顺序制备栅极和栅极绝缘膜；所述在基板上制备多晶硅层，为：在所述栅极绝缘膜上制备多晶硅层。在其中一个实施例中，在制备栅极之前，所述薄膜晶体管的制备方法还包括：在所述基板上制备缓冲层。本专利技术还公开了一种薄膜晶体管，所述薄膜晶体管采用如上述任一项所述的制备方法制备得到。在其中一个实施例中，所述金属膜层采用与栅极相同的金属材料。本专利技术还公开了一种阵列基板，其包括如上述任一项所述的薄膜晶体管。上述薄膜晶体管及其制备方法、阵列基板，通过在多晶硅层上增加一金属膜层，能够在刻蚀过孔时，保护多晶硅层，避免多晶硅层被误刻蚀，从而提高薄膜晶体管的良品率。由于刻蚀气体对绝缘层和金属膜层具有较高选择比，无需分两阶段进行刻蚀，亦无需使用含碳较高的C4F8和C2HF5等气体，因此不会在设备腔室内生成CFx的反应性生成物，从而延长设备的维护保养周期，节省了工业生产成本，还减轻了环境污染。附图说明为了更清楚地说明本专利技术实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本专利技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他实施例的附图。图1为本专利技术一实施例的薄膜晶体管的制备方法的流程示意图；图2a为本专利技术另一实施例的薄膜晶体管的制备方法的流程示意图；图2b为本专利技术又一实施例的薄膜晶体管的制备方法的流程示意图；图3a为本专利技术一具体实施例的薄膜晶体管的的制备方法的流程示意图；图3b为本专利技术一具体实施例制备得到的薄膜晶体管的结构示意图；图4a为本专利技术另一具体实施例的薄膜晶体管的的制备方法的流程示意图；图4b为本专利技术另一具体实施例制备得到的薄膜晶体管的结构示意图；图5a为本专利技术又一具体实施例的薄膜晶体管的的制备方法的流程示意图；图5b为本专利技术又一具体实施例制备得到的薄膜晶体管的结构示意图。具体实施方式为了使本专利技术的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下结合附图及实施例，对本专利技术进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本专利技术，并不用于限定本专利技术。在本专利技术的描述中，需要理解的是，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括至少一个该特征。在本专利技术的描述中，“多个”的含义是至少两个，例如两个，三个等，除非另有明确具体的限定。下面结合附图描述根据本专利技术实施例的薄膜晶体管及其制备方法、阵列基板。例如，本专利技术一实施例的薄膜晶体管的制备方法，包括：在基板上制备多晶硅层；在所述多晶硅层上顺序制备金属膜层及层间绝缘膜；在所述金属膜层上形成贯穿所述层间绝缘膜的第一过孔并制备源漏极。例如，上述制备方法，为顶栅结构的薄膜晶体管的制备方法。又如，上述制备方法，为底栅结构的薄膜晶体管的制备方法。请参阅图1，其为本专利技术一实施例的薄膜晶体管的制备方法的流程示意图。该制备方法包括：S110，在基板上制备多晶硅层。例如，在玻璃基板上制备多晶硅层。又如，在柔性基板上制备多晶硅层。又如，在柔性聚合物基板上制备多晶硅层。在一个实施例中，所述制备方法用于制备顶栅结构的薄膜晶体管。此时，一种实施方式是，直接在基板上制备多晶硅层。另一种实施方式是，在基板上制备缓冲层，然后在缓冲层上制备多晶硅层。又一种实施方式是，当采用柔性基板时，为了提高柔性基板的水汽阻隔能力，在柔性基板上制备水汽阻隔层，在水汽阻隔层上制备多晶硅层；或者，在水汽阻隔层上顺序制备缓冲层及多晶硅层。在另一个实施例中，所述制备方法用于制备底栅结构的薄膜晶体管。此时，在制备多晶硅层之前，先在基板上顺序制备栅极和栅极绝缘膜，在栅极绝缘膜上制备多晶硅层。其中，一种实施方式是，直接在基板上顺序制备栅极和栅极绝缘膜。另一种实施方式是，在基板上制备缓冲层，然后在缓冲层上顺序制备栅极和栅极绝缘膜。又一种实施方式是，当采用柔性基板时，为了提高柔性基板的水汽阻隔能力，在柔性基板上制备水汽阻隔层，在水汽阻隔层上顺序制备栅极和栅极绝缘膜；或者，在水汽阻隔层上顺序制备缓冲层、栅极和栅极绝缘膜。其中，缓冲层为SiOx层、SiNx层或SiOx层与SiNx层的堆叠组合。例如，缓冲层为单层SiOx层，或者单层SiNx层，或者多层SiOx层，或者多层SiNx层，或者至少一层SiOx层与至少一层SiNx层的堆叠。S120，在所述多晶硅层上顺序制备金属膜层及层间绝缘膜。作为一种实施方式，该金属膜层完全覆盖多晶硅层。例如，该金属膜层为一层或多层。又如，该金属膜本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，包括：在基板上制备多晶硅层；在所述多晶硅层上顺序制备金属膜层及层间绝缘膜；在所述金属膜层上形成贯穿所述层间绝缘膜的第一过孔并制备源漏极。

【技术特征摘要】
1.一种薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，包括：在基板上制备多晶硅层；在所述多晶硅层上顺序制备金属膜层及层间绝缘膜；在所述金属膜层上形成贯穿所述层间绝缘膜的第一过孔并制备源漏极。2.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述在所述金属膜层上形成贯穿所述层间绝缘膜的第一过孔，为：采用含氟的预设气体进行刻蚀，在所述金属膜层上形成贯穿所述层间绝缘膜的第一过孔。3.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述在所述多晶硅层上顺序制备金属膜层及层间绝缘膜，包括：在所述多晶硅层对应于源漏极的区域上制备金属膜层；在所述多晶硅层上制备层间绝缘膜，所述层间绝缘膜覆盖所述金属膜层。4.如权利要求3所述的制备方法，其特征在于，所述在所述多晶硅层上制备层间绝缘膜，包括：在所述多晶硅层上顺序制备栅极绝缘膜、栅极及层间绝缘膜；并且，所述在所述金属膜层上形成贯穿所述层间绝缘膜的第一过孔，为：在所述金属膜层上形成贯穿所述层间绝缘膜及所述栅极绝缘膜的第一过孔。5.如权利要求3所述的制备方法，其...

【专利技术属性】
技术研发人员：铃木浩司，陈卓，张毅先，苏君海，李建华，
申请(专利权)人：信利惠州智能显示有限公司，
类型：发明
国别省市：广东,44