一种防静电IGBT模块制造技术

本发明专利技术涉及半导体制造技术领域，尤其涉及一种防静电IGBT模块，通过在连接IGBT芯片栅极的第一信号端子和连接IGBT芯片漏极的第二信号端子之间添加电阻，并利用信号端子座、保护盖和导电胶对该电阻进行固定，从而降低IGBT模块在运输、传递和使用过程中由于栅极静电造成损坏的风险，同时降低了IGBT模块中保护部件脱落的风险；且在制造测试过程中，在IGBT模块出厂前进行电阻的添加和保护盖的添加操作，进而保证IGBT模块在测试过程中不会由于电阻引起测试上的误差。

An antistatic IGBT module

The invention relates to the field of semiconductor manufacturing technology, especially relates to an anti-static IGBT module, by adding resistance between the first signal terminals connected to the IGBT chip and IGBT chip connected to the gate drain second signal terminals, and cover and conductive adhesive to the resistance is fixed by signal terminal block, thereby reducing the protection module in IGBT transport transfer, and use of the process because of the risk of damage caused by static electricity grid, while reducing the risk of fall protection components in the IGBT module; and in the manufacturing test process, add and protective cover added operation resistance on the IGBT module factory, and ensure the IGBT module in the process of testing error caused by the test will not be because of resistance.

【技术实现步骤摘要】
一种防静电IGBT模块
本专利技术涉及半导体制造
，尤其涉及一种防静电IGBT模块。
技术介绍
IGBT(InsulatedGateBipolarTransistor)，绝缘栅双极型晶体管，是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件，兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。IGBT模块是一种标准尺寸的模块产品，由于其优越的开关性能被广泛的应用于电机驱动、感应加热、风能发电、光伏等领域。由于IGBT是栅极敏感器件，容易受到来自栅极的静电造成失效。而目前的IGBT模块，如图1所示，主要采用在外壳1外围添加防静电泡棉或者短路环4进行防静电保护，其中，2为底板，3为信号端子，5为功率端子。这种壳体外围添加防静电泡绵或者短路环保护方式，由于没有很好的固定措施，在运输过程中存在脱落的风险。另外在使用IGBT模块时，需要手动将防静电的泡棉或者短路环卸下，然后进行电路连接。在电路连接过程中，IGBT模块本身处于不进行防静电保护措施的状态，在此时间内对产品的触摸、焊接、运输均存在静电击穿的风险；这是本领域技术人员所不期望见到的。因此，如何降低IGBT模块在制造、运输及使用过程中的静电击穿风险成为本领域技术人员致力于研究的方向。
技术实现思路
针对上述存在的问题，本专利技术公开了一种防静电IGBT模块，包括：第一信号端子、第二信号端子、信号端子定位座、电阻、IGBT芯片和保护盖；所述电阻的一端通过所述第一信号端子与所述IGBT芯片上的栅极连接，所述电阻的另一端通过所述第二信号端子与所述IGBT芯片上的漏极连接；所述第一信号端子、所述第二信号端子和所述电阻均设置于所述信号端子定位座上，并利用所述信号端子定位座进行水平方向的定位；所述保护盖设置于所述信号端子定位座之上，以在垂直方向上对所述第一信号端子、所述第二信号端子和所述电阻进行定位。上述的防静电IGBT模块，其中，所述信号端子定位座上设置有两条横向槽口和一条纵向槽口，且所述两条横向槽口和一条纵向槽口形成一工字型结构；所述第一信号端子和所述第二信号端子分别设置于所述两条横向槽口中，所述电阻设置于所述纵向槽口中。上述的防静电IGBT模块，其中，所述保护盖设置有两个开孔。上述的防静电IGBT模块，其中，所述第一信号端子和所述第二信号端子均为镜像L型结构，所述镜像L型结构的水平部分嵌入设置于所述横向槽口中，所述镜像L型结构的竖直部分贯穿所述开孔设置。上述的防静电IGBT模块，其中，所述防静电IGBT模块还包括陶瓷覆铜板、底板和外壳；所述IGBT芯片固定设置于所述陶瓷覆铜板之上，所述陶瓷覆铜板固定设置于所述底板上；所述外壳环绕所述底板的边缘设置，并与所述保护盖连接。上述的防静电IGBT模块，其中，所述IGBT芯片固定通过焊接的方式固定设置于所述陶瓷覆铜板之上，所述陶瓷覆铜板通过焊接的方式固定设置于所述底板上。上述的防静电IGBT模块，其中，所述底板为镀镍紫铜板。上述的防静电IGBT模块，其中，所述保护盖下部设置有第一倒勾和凸起；所述外壳上设置有与所述第一倒勾相适配的第二倒勾，并设置有与所述凸起相适配的窗口。上述的防静电IGBT模块，其中，所述防静电IGBT模块还包括功率端子和功率端子定位座；所述功率端子焊接在所述陶瓷覆铜板上，所述功率端子定位座通过所述功率端子定位在所述底板上。上述的防静电IGBT模块，其中，所述电阻与所述第一信号端子和所述第二信号端子之间均通过导电胶进行连接。上述专利技术具有如下优点或者有益效果：本专利技术公开的一种防静电IGBT模块，通过在连接IGBT芯片栅极的第一信号端子和连接IGBT芯片漏极的第二信号端子之间添加电阻，并利用信号端子座、保护盖和导电胶对该电阻进行固定，从而降低IGBT模块在运输、传递和使用过程中由于栅极静电造成损坏的风险，同时降低了IGBT模块中保护部件脱落的风险；且在制造测试过程中，在IGBT模块出厂前进行电阻的添加和保护盖的添加操作，进而保证IGBT模块在测试过程中不会由于电阻引起测试上的误差。附图说明通过阅读参照以下附图对非限制性实施例所作的详细描述，本专利技术及其特征、外形和优点将会变得更加明显。在全部附图中相同的标记指示相同的部分。并未可以按照比例绘制附图，重点在于示出本专利技术的主旨。图1是现有技术中防静电IGBT模块的结构示意图；图2是本专利技术实施例中防静电IGBT模块的结构示意图；图3是本专利技术实施例中防静电IGBT模块的侧视图；图4是图3中A处的剖面示意图；图5是本专利技术实施例中防静电IGBT模块的侧视图；图6是图5中B处的剖面示意图；图7是本专利技术实施例中信号端子定位座的结构示意图；图8是本专利技术实施例中栅极保护盖的结构示意图。具体实施方式下面结合附图和具体的实施例对本专利技术作进一步的说明，但是不作为本专利技术的限定。如图2～6所示，本实施例涉及本专利技术公开了一种防静电IGBT模块，包括：第一信号端子21、第二信号端子22、底板23、外壳24、功率端子25、保护盖26、信号端子定位座27、陶瓷覆铜板28、连接线29、IGBT芯片30和电阻31；该IGBT芯片30上设置有栅极和漏极，且IGBT芯片30的栅极通过连接线29与第一信号端子21连接(即将IGBT芯片30的栅极通过连接线29引出到第一信号端子21上)，且IGBT芯片30的漏极通过连接线29与第二信号端子22连接(即将IGBT芯片30的漏极通过连接线29引出到第二信号端子22上)；电阻31的一端与第一信号端子21电连接，另一端与第二信号端子22相连接(即相当于电阻31连接在IGBT芯片30的栅极和漏极之间)；从而可以通过该电阻31有效降低IGBT模块在运输、传递和使用过程中由于栅极静电造成损坏的风险(图4中由于剖的位置在图3中A处的第一信号端子和第二信号端子之间，因此未示出第二信号端子)。且第一信号端子21、第二信号端子22和电阻31均设置于信号端子定位座27上，并利用信号端子定位座27进行水平方向的定位；保护盖26设置于信号端子定位座27之上，以在垂直方向上对第一信号端子21、第二信号端子22和电阻31进行定位，从而降低了IGBT模块中保护部件脱落的风险。IGBT芯片30固定设置于陶瓷覆铜板28之上，陶瓷覆铜板28固定设置于底板23上；外壳24环绕底板23的边缘设置，并与保护盖26连接。功率端子25焊接在陶瓷覆铜板28上。在本专利技术一个可选的实施例中，如图7所示，信号端子定位座27上设置有两条横向槽口271和一条纵向槽口272，且两条横向槽口271和一条纵向槽口22形成一工字型结构；上述第一信号端子21和第二信号端子22分别设置于两条横向槽口271中，电阻31设置于纵向槽口272中，以实现第一信号端子21、第二信号端子22和电阻31水平方向的定位。在本专利技术一个可选的实施例中，如图8所示(为了更清晰的示出保护盖26的结构，图8中是将保护盖26垂直翻转(旋转180°)后的示意图，即图中所示的上部实质是保护盖26的下部)，保护盖26上设置有两个开孔261，下部设置有第一倒勾263和凸起262，侧部也设置有凸块264。该第一倒勾263、凸起262和凸块264均用于与外壳24连接，且该外壳24上设置有与第一倒勾263相适配的第二倒本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种防静电IGBT模块，其特征在于，包括：第一信号端子、第二信号端子、信号端子定位座、电阻、IGBT芯片和保护盖；所述电阻的一端通过所述第一信号端子与所述IGBT芯片上的栅极连接，所述电阻的另一端通过所述第二信号端子与所述IGBT芯片上的漏极连接；所述第一信号端子、所述第二信号端子和所述电阻均设置于所述信号端子定位座上，并利用所述信号端子定位座进行水平方向的定位；所述保护盖设置于所述信号端子定位座之上，以在垂直方向上对所述第一信号端子、所述第二信号端子和所述电阻进行定位。

【技术特征摘要】
1.一种防静电IGBT模块，其特征在于，包括：第一信号端子、第二信号端子、信号端子定位座、电阻、IGBT芯片和保护盖；所述电阻的一端通过所述第一信号端子与所述IGBT芯片上的栅极连接，所述电阻的另一端通过所述第二信号端子与所述IGBT芯片上的漏极连接；所述第一信号端子、所述第二信号端子和所述电阻均设置于所述信号端子定位座上，并利用所述信号端子定位座进行水平方向的定位；所述保护盖设置于所述信号端子定位座之上，以在垂直方向上对所述第一信号端子、所述第二信号端子和所述电阻进行定位。2.如权利要求1所述的防静电IGBT模块，其特征在于，所述信号端子定位座上设置有两条横向槽口和一条纵向槽口，且所述两条横向槽口和一条纵向槽口形成一工字型结构；所述第一信号端子和所述第二信号端子分别设置于所述两条横向槽口中，所述电阻设置于所述纵向槽口中。3.如权利要求2所述的防静电IGBT模块，其特征在于，所述保护盖设置有两个开孔。4.如权利要求3所述的防静电IGBT模块，其特征在于，所述第一信号端子和所述第二信号端子均为镜像L型结构，所述镜像L型结构的水平部分嵌入设置于所述横向槽口中，所述镜像L型结构的竖直部...

【专利技术属性】
技术研发人员：车湖深，于今，杨小川，
申请(专利权)人：中航重庆微电子有限公司，
类型：发明
国别省市：重庆,50