The present invention is a Schottky diode T anode contact air bridge methods of electrode fabrication: including etched anode contact hole A diameter in lightly doped semiconductor material on the A diameter; the anode contact hole overlay anode contact hole B diameter; the formation of T type anode contact metal evaporation by air stripping process; lithography the lower bridge formation air bridge upper gum; photoetching glue; formed by evaporation air bridge metal stripping process, connecting T type anode contact metal and anode electrode plate, complete Schottky diode type T anode contact air bridge electrode; advantages: production method with T anode electrode air bridge, can effectively reduce the parasitic capacitance of anode electrode, enhance the Schottky diode cutoff frequency.
【技术实现步骤摘要】
一种肖特基二极管T型阳极接触空气桥电极制作方法
本专利技术涉及的是一种肖特基二极管电极制作方法,属于半导体器件领域。
技术介绍
太赫兹(THz)科学技术是近二十年来迅速发展的一个新兴交叉学科和研究热点,涉及电磁学、光电子学、光学、半导体物理学、材料科学、生物、医学等多门科学。太赫兹频段覆盖电磁频谱的0.3THz~3THz频率范围,是一个蕴含着丰富物理内涵的宽频段电磁辐射区域。在近乎所有的太赫兹技术应用系统中,太赫兹接收前端是系统的最核心技术,它完成太赫兹信号的频率变换。太赫兹分谐波混频器是太赫兹接收前端的关键部件。目前,在仅有的几类可工作于太赫兹频段的混频器中,只有基于平面肖特基二极管的太赫兹分谐波混频器可工作于室温,无需提供如液氦等以实现苛刻的低温环境。为了提高二极管的频率特性,需要减小阳极寄生电容。目前肖特基二极管阳极工艺中,常采用在n-层上生长氮化硅或氧化硅介质,然后开介质孔并进行接触金属填充形成肖特基阳极接触,由于氮化硅或氧化硅介质介电常数大于空气,在同等材料结构、阳极接触面积条件下阳极寄生电容必然大于无介质材料的情况。因此传统的肖特基二极管阳极制备方法存在一定的缺点。
技术实现思路
本专利技术提出的是一种肖特基二极管T型阳极接触空气桥电极制作方法,其目的旨在克服传统肖特基二极管阳极工艺中由于引入氧化硅或氮化硅介质导致的寄生电容偏大问题。通过制作T型阳极接触金属,阳极接触上方空气桥与半导体材料之间只有空气,由于空气的介电常数远小于氧化硅或氮化硅等介质,因此该制作方法可有效降低阳极寄生电容。本专利技术的技术解决方案:一种肖特基二极管T型阳极接触空气桥电极 ...
【技术保护点】
一种肖特基二极管T型阳极接触空气桥电极制作方法,其特征是包括以下步骤:1)在轻掺杂半导体外延材料即第一层光刻图形上旋涂第一层光刻胶,并光刻出A直径的第一层圆形阳极接触孔;2)在第一层光刻图形上旋涂第二层光刻胶,并光刻出B直径的第二层阳极接触孔,使其圆心与第一层光刻的阳极接触孔圆心重合;B直径大于A直径;3)蒸发阳极肖特基接触金属,并用有机溶剂丙酮将两层光刻胶去除,同时剥离出T型阳极接触金属;4)旋涂光刻胶并光刻,使阳极接触孔以及阳极电极板图形无光刻胶,而空气桥下方有光刻胶作为支撑;5)在第一层光刻图形上旋涂第二层光刻胶并光刻,形成空气桥以及阳极电极板上层胶图形;6)蒸发空气桥及阳极电极板金属,并用有机溶剂丙酮将两层光刻胶去除,同时剥离出阳极电极板以及连接电极板与阳极接触金属的空气桥结构,完成肖特基二极管T型阳极接触空气桥电极制作。
【技术特征摘要】
1.一种肖特基二极管T型阳极接触空气桥电极制作方法,其特征是包括以下步骤:1)在轻掺杂半导体外延材料即第一层光刻图形上旋涂第一层光刻胶,并光刻出A直径的第一层圆形阳极接触孔;2)在第一层光刻图形上旋涂第二层光刻胶,并光刻出B直径的第二层阳极接触孔,使其圆心与第一层光刻的阳极接触孔圆心重合;B直径大于A直径;3)蒸发阳极肖特基接触金属,并用有机溶剂丙酮将两层光刻胶去除,同时剥离出T型阳极接触金属;4)旋涂光刻胶并光刻,使阳极接触孔以及阳极电极板图形无光刻胶,而空气桥下方有光刻胶作为支撑;5)在第一层光刻图形上旋涂第二层光刻胶并光刻,形成空气桥以及阳极电极板上层胶图形;6)蒸发空气桥及阳极电极板金属,并用有机溶剂丙酮将两层光刻胶去除,同时剥离出阳极电极板以及连接电极板与阳极接触金属的空气桥结构,完成肖特基二极管T型阳极接触空气桥电极制作。2.根据权利要求1所述的一种肖特基二极管T型阳极接触空气桥电极制作方法,其特征是轻掺杂半导体材料是InP、GaAs或GaN,其掺杂浓度为1×1016cm-3到1×1018cm-3。3.根据权利要求1所述的一种肖特基二极管T型阳极接触空气桥电极制作方法,其特征是所述的蒸发肖特基阳极接触金属,如TiPtAu,金属总厚度大于第一层光刻胶厚度并小于两层光刻胶总厚度,完成蒸发后用有机溶剂丙酮溶液浸...
【专利技术属性】
技术研发人员:牛斌,吴少兵,范道雨,
申请(专利权)人:中国电子科技集团公司第五十五研究所,
类型:发明
国别省市:江苏,32
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