The technical proposal of the invention is: choose a plating area of bismuth telluride thermoelectric cooling chip plating processing method, the process of using photosensitive adhesive masking technology, need for electroplating glue - exposure - regional developing contact drops for other regions by electroplating, plating photogelatin protection, to be in after plating the sensitive glue to get rid of, reach the purpose of electroplating area. The technological layout is reasonable and feasible, and the consumption of nickel, tin and gold is saved, and the recycling of the cutting powder is improved, and the adhesive power of the surface coating of the product is good, and the production cost is greatly reduced.
【技术实现步骤摘要】
一种碲化铋温差致冷芯片的选择电镀区域加工方法
本专利技术涉及碲化铋芯片加工
,具体涉及一种碲化铋温差致冷芯片的选择区域电镀的加工方法。
技术介绍
碲化铋是生产半导体的重要材料,具有较好的温差致冷性,但是目前大多采用把碲化铋圆柱体先切成碲化铋基体的基体进行挂镀,然后再进行分切成为长方体的芯片焊接在基板上。关于碲化铋的电镀工艺,申请公布号为CN104451797A的中国专利公开了一种碲化铋基体的镀锡加工方法,包括如下步骤:A,进行超声波碱性脱脂的步骤;B,进行硫酸中和与活化的步骤;C,进行电镀底镍的步骤;D,进行电镀锡的步骤;E,进行锡层保护处理的步骤。本专利技术还提出一种补充剂,各组分的质量比是:丙炔醇0.15±0.01%、双苯磺酰亚胺0.15±0.01%、丁炔二醇0.12±0.02%、十二烷基硫酸钠0.35±0.03%、糖精0.02±0.01%、丁炔二醇0.12±0.02%、余量为去离子水。这样的工艺造成在把碲化铋基体的基体切割成长方体的时候产生大量的碲化铋粉末,且电镀层镍锡金等一起混入切割粉末中,不利于碲化铋的回收。碲化铋是贵重稀有金属,同时电镀的黄金也是贵重金属,切割位置上的镀金层造成成本浪费。
技术实现思路
本专利技术旨在提供一种碲化铋温差致冷芯片的选择电镀区域加工方法,以解决现有不能将碲化铋粉末直接回收再利用,而且无法将镍锡金从碲化铋粉末中分离出来,造成浪费大,生产成本高的问题。具体方案如下:一种碲化铋温差致冷芯片的选择电镀区域加工方法,其特征在于包括如下步骤:S1,进行感光胶选择性遮蔽的步骤:将碲化铋基体涂覆感光胶,而后进行选择性曝光,再后进行 ...
【技术保护点】
一种碲化铋温差致冷芯片的选择电镀区域加工方法,其特征在于包括如下步骤:S1,进行感光胶选择性遮蔽的步骤:将碲化铋基体涂覆感光胶,而后进行选择性曝光,再后进行显影,以使待电镀区域暴露,其它区域由耐电镀的感光胶覆盖保护;S2,进行金属层电镀的步骤:将步骤S1处理后的碲化铋基体放入电镀液中进行电镀处理;S3,进行感光胶去除的步骤:将步骤S2处理后的碲化铋基体进行去胶,把碲化铋基体表面的感光胶去除,电镀区域和未电镀区域显现出来,即实现了碲化铋温差致冷芯片的选择电镀区域加工。
【技术特征摘要】
1.一种碲化铋温差致冷芯片的选择电镀区域加工方法,其特征在于包括如下步骤:S1,进行感光胶选择性遮蔽的步骤:将碲化铋基体涂覆感光胶,而后进行选择性曝光,再后进行显影,以使待电镀区域暴露,其它区域由耐电镀的感光胶覆盖保护;S2,进行金属层电镀的步骤:将步骤S1处理后的碲化铋基体放入电镀液中进行电镀处理;S3,进行感光胶去除的步骤:将步骤S2处理后的碲化铋基体进行去胶,把碲化铋基体表面的感光胶去除,电镀区域和未电镀区域显现出来,即实现了碲化铋温差致冷芯片的选择电镀区域加工。2.根据权利要求1所述的碲化铋温差致冷芯片的选择电镀区域加工方法,其特征在于,步骤S1之前,还包括进行碲化铋基体预处理的如下步骤S0:A,进行超声波脱脂的步骤:把碲化铋温差致冷芯片放入溶液A进行超声波脱脂,除去表面的油脂;B,进行硫酸中和与活化的步骤:在溶液B里中和除去碲化铋温差致冷芯片表面碱性物质并对产品表面的氧化层进行活化;C,进行吹水烘干的步骤:将残留在产品表面的去离子水去处干净进入烘干,确保产品表面的干燥洁净。3.根据权利要求1所述的碲化铋温差致冷芯片的选择电镀区域加工方法,其特征在于,步骤S1具体包括有如下步骤:D,进行涂胶的步骤:将碲化铋基体两面涂上一层0.03-0.05毫米厚度的耐酸感光胶;E,进行烘干的步骤:在黄光环境下,90-110度将碲化铋基体烘干2-4分钟;F,进行曝光的步骤:根据碲化铋芯片的两端尺寸要求制作感光菲霖底片,上下两底片完全重叠固定,再将涂好感光胶的碲化铋基体放在两片感光菲霖底片之间,一起固定在曝光机内,进行曝光工艺,曝光后放置30分钟进行固化;G,进行显影的步骤:将曝光固化后的碲化铋基体进行显影,即可把需要电镀的区域显露出来,其他区域全部由感光胶覆盖;H,进行烘干的步骤:90-110度将碲化铋基体烘干3-5分钟。4.根据权利要求1所述的碲化铋温差致冷芯片的选择电镀区域加工方法,其特征在于,步骤S2具体包括有如下步骤:I,进行冲击预镀镍的步骤:在温度为20±5℃的溶液D中进行电镀镍,在碲化铋温差致冷芯片上获取一个表面良好的镀镍底层,为电镀镍...
【专利技术属性】
技术研发人员:陈天顺,李南生,
申请(专利权)人:鹏南科技厦门有限公司,
类型:发明
国别省市:福建,35
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