The invention discloses a cylindrical surface magnetron sputtering device. It includes coaxially disposed in the tubular substrate (5) cylindrical cathode in the target (4), connected tubular substrate (5) of the intake pipe and exhaust pipe (8), (6) and (5) and tubular substrate and a cylindrical cathode (4) electrically connected to the plasma excitation source (11), especially tubular substrate (5) through the insulating seat (9) and (1) the end flange is fixedly connected with the cylindrical cathode (4) by card (2) and end flange (1) sealing connection, cylindrical cathode (4) ends with the excitation source (13) electrically connected. It has the advantages of simple structure, small volume, low manufacturing cost, convenient installation, convenient use, good applicability, uniformity of cylindrical deposition layer, easy magnetron sputtering deposition layer is widely used in the cylindrical space.
【技术实现步骤摘要】
圆柱面磁控溅射装置
本专利技术涉及一种磁控溅射装置,尤其是一种圆柱面磁控溅射装置。
技术介绍
磁控溅射技术可通过调节靶的组分、溅射参数以及设备的机械结构等方法来改善膜层的性质和不受基片性质的影响,其产品具有优良的膜层均匀性、膜层与基片结合牢固,已在科研及工业生产领域得到了最为广泛的应用。近期,人们为了解决平面靶存在着的靶材利用率低、使用周期短、换靶时间长等缺陷,研制了圆柱形磁控溅射器,如中国专利技术专利CN101126152B于2010年4月21日公告的一种柱状磁控溅射器。该专利技术专利结合其中的图3和图4介绍了一种现有的圆柱磁控双面矩形磁控溅射器,该溅射器的磁场结构是由很多的长条形永磁体沿靶轴方向排列成几列;其工作方式主要有两种,一是靶芯带动磁极旋转、靶筒静止,形成四周溅射,二是靶芯固定,驱动装置带动靶材旋转,形成定向溅射。这种磁控溅射器虽可对圆柱面进行溅射,却也存在着不足之处,首先,采用永磁体提供工作磁场,其设备的结构较为复杂且体积庞大,在狭小的空间内无法使用;其次,基于溅射过程中,只有平行于靶材表面的磁场才会提高溅射的速率,故此种磁场的利用率较低;最后,在对圆柱状内壁进行溅射沉积时,由于多个长条形永磁体叠加后提供的工作磁场难以均匀,导致溅射沉积层的均匀度较差。
技术实现思路
本专利技术要解决的技术问题为克服现有技术中的不足之处,提供一种体积小、安装便捷,使用方便的圆柱面磁控溅射装置。为解决本专利技术的技术问题,所采用的技术方案为:圆柱面磁控溅射装置包括同轴心置于管状衬底中的圆柱阴极靶,连通管状衬底的进气管和排气管,以及与管状衬底和圆柱阴极靶电连接的等离子 ...
【技术保护点】
一种圆柱面磁控溅射装置,包括同轴心置于管状衬底(5)中的圆柱阴极靶(4),连通管状衬底(5)的进气管(8)和排气管(6),以及与管状衬底(5)和圆柱阴极靶(4)电连接的等离子体激发电源(11),其特征在于:所述管状衬底(5)经绝缘座(9)与端部法兰(1)固定连接;所述圆柱阴极靶(4)经卡套(2)与端部法兰(1)密封连接;所述圆柱阴极靶(4)的两端与励磁电源(13)电连接。
【技术特征摘要】
1.一种圆柱面磁控溅射装置,包括同轴心置于管状衬底(5)中的圆柱阴极靶(4),连通管状衬底(5)的进气管(8)和排气管(6),以及与管状衬底(5)和圆柱阴极靶(4)电连接的等离子体激发电源(11),其特征在于:所述管状衬底(5)经绝缘座(9)与端部法兰(1)固定连接;所述圆柱阴极靶(4)经卡套(2)与端部法兰(1)密封连接;所述圆柱阴极靶(4)的两端与励磁电源(13)电连接。2.根据权利要求1所述的圆柱面磁控溅射装置,其特征是管状衬底(5)与绝缘座(9)间串接有过渡法兰(3)。3.根据权利要求2所述的圆柱面磁控溅射装置,其特征是管状衬底(5)与过渡法兰(3)经密封卡箍(7)固定连接。4.根据权利要求3所述的圆柱面磁控溅射装置,其特征是端部法兰(1)经螺栓和绝缘座(9)与过渡法兰(3)固定...
【专利技术属性】
技术研发人员:徐大林,李新化,史同飞,王玉琦,
申请(专利权)人:中国科学院合肥物质科学研究院,
类型:发明
国别省市:安徽,34
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