高低电平混合有效开关复位电路制造技术

本实用新型专利技术揭示了一种高低电平混合有效开关复位电路，包括总复位电路、至少一低电平子复位电路、至少一高电平子复位电路，各低电平子复位电路、各高电平子复位电路分别与总复位电路连接；各低电平子复位电路包括第一上拉电阻、第一电容、第一开关、第一二极管；各高电平子复位电路包括第二下拉电阻、第二电容、第二开关、第二二极管；所述总复位电路包括第三上拉电阻、第三电容、总开关，第三电容与第三开关并联后一端接地，另一端作为复位信号端，并经第三上拉电阻接至电源端VCC。本实用新型专利技术高低电平混合开关复位电路，可实现一对多的复位操作，同时能延伸应用于其他一对多操作的场合的一种适用性较广的电路结构。

High-low level mixed effective switch reset circuit

The utility model discloses a high effective hybrid switch reset circuit, reset circuit, including at least one low level sub reset circuit, at least one high level sub reset circuit, the reset circuit, the low level sub sub high level reset circuit are respectively connected with the total reset circuit; each sub reset circuit comprises a low level the first pull-up resistor, a first capacitor, a first switch, a first diode; the high level sub reset circuit includes second pull-down resistors, second capacitors, second switches, second diodes; the total reset circuit includes third pull-up resistors, capacitors, third switch, third capacitors and third switch shunt after the end of the ground, the other end as a reset signal terminal, and by the third pull-up resistor connected to the power supply terminal VCC. The utility model relates to a reset circuit for a high-low level mixed switch, which can realize one or more reset operations, and can also be extended to other one or more operation occasions, and has a relatively wide circuit structure.

【技术实现步骤摘要】
高低电平混合有效开关复位电路
本技术属于开关复位
，涉及一种开关复位电路，尤其涉及一种高低电平混合有效开关复位电路。
技术介绍
随着高新技术的迅速发展，越来越多的场合用到集成芯片，传统对芯片的复位包括上电复位，开关复位，但仅适用于单个芯片的复位，而不能对多个芯片同时进行复位操作。有鉴于此，如今迫切需要设计一种新的复位方式，以便克服现有复位方式存在的上述缺陷。
技术实现思路
本技术所要解决的技术问题是：提供一种高低电平混合有效开关复位电路，可实现一对多的复位操作，同时能延伸应用于其他一对多操作的场合的一种适用性较广的电路结构。为解决上述技术问题，本技术采用如下技术方案：一种高低电平混合有效开关复位电路，所述复位电路包括：总复位电路、至少一低电平子复位电路、至少一高电平子复位电路，各低电平子复位电路分别经低压降二级管与总复位电路连接，各高电平子复位电路分别经低压降二极管与推挽电路的输出端；总复位信号端与推挽电路的控制端门极相连；各低电平子复位电路用于对应低电平子系统复位，各高电平子复位电路用于对应高电平子系统复位。作为本技术的一种优选方案，各低电平子复位电路包括第一上拉电阻、第一电容、第一开关、第一二极管，第一电容与第一开关并联后一端接地，另一端作为低电平子复位信号端，并经第一上拉电阻接至电源端VCC；各低电平子系统的低电平子复位信号端分别通过各自的第一二极管与总复位信号端连接在一起，且各第一二极管的PN结电流导通方向均流入总复位信号端。作为本技术的一种优选方案，各个第一二极管采用低导通压降的锗管。作为本技术的一种优选方案，各高电平子复位电路包括第二下拉电阻、第二电容、第二开关、第二二极管，第二电容与第二开关并联后一端接至电源端VCC，另一端作为高电平子复位信号端，并经第二下拉电阻接地；各高电平子系统的高电平子复位信号端分别通过各自的第二二极管与推挽电路的输出端连接在一起，且各第二二极管的PN结电流导通方向均流出推挽电路输出端。作为本技术的一种优选方案，各第二二极管均采用低导通压降的锗管。作为本技术的一种优选方案，所述总复位电路包括第三上拉电阻、第三电容、总开关，第三电容与第三开关并联后一端接地，另一端作为总复位信号端，并经第三上拉电阻接至电源端VCC。作为本技术的一种优选方案，总复位信号端控制P沟道、N沟道构成的推挽电路的门极，各高电平子系统的高电平子复位信号端分别通过对应第二二极管与推挽电路输出端连接在一起，且各第二二极管的PN结电流导通方向均流出推挽电路输出端；各低电平子系统的低电平子复位信号端分别通过对应第一二极管与总复位信号端连接。作为本技术的一种优选方案，所述推挽电路包括P沟道的第一MOS管Q1、N沟道的第二MOS管Q2，第一MOS管Q1的栅极、第二MOS管Q2的栅极连接总复位信号端，第一MOS管Q1的源极连接电源端VCC，第二MOS管Q2的源极接地，第一MOS管Q1的漏极、第二MOS管Q2的漏极连接各个第二二极管的正极。作为本技术的一种优选方案，子系统信号端与总信号端的信号流向是单向的，且通过低压降二极管连接实现。本技术的有益效果在于：本技术提出的高低电平混合有效开关复位电路，填充了对子系统电路或芯片组批量复位处理设计的空白，兼容了不同极性的复位信号，能够利用成本极低的元器件实现同时对多个复位信号极性相同或不同的电路进行复位操作，并且能延伸应用于其他一对多操作的场合(如基于此电路结构的统一按键或开关入网、离网操作；基于此电路结构的统一点亮LED灯操作等)。附图说明图1为本技术高低电平混合有效开关复位电路的电路示意图。具体实施方式下面结合附图详细说明本技术的优选实施例。实施例一请参阅图1，本技术揭示了一种高低电平混合有效开关复位电路，所述复位电路包括：总复位电路、至少一低电平子复位电路、至少一高电平子复位电路，各低电平子复位电路、各高电平子复位电路分别与总复位电路连接；各低电平子复位电路用于对应低电平子系统复位，各高电平子复位电路用于对应高电平子系统复位；各低电平子复位电路包括第一上拉电阻、第一电容、第一开关、第一二极管，第一电容与第一开关并联后一端接地，另一端作为低电平子复位信号端，并经第一上拉电阻接至电源端VCC；各低电平子系统的低电平子复位信号端分别通过第一二极管与总复位信号端连接在一起，且各第一二极管的PN结电流导通方向均流入总复位信号端；各高电平子复位电路包括第二下拉电阻、第二电容、第二开关、第二二极管，第二电容与第二开关并联后一端接至电源端VCC，另一端作为高电平子复位信号端，并经第二下拉电阻接地；各高电平子系统的高电平子复位信号端分别通过第二二极管与总复位信号端连接在一起，且各第二二极管的PN结电流导通方向均流出推挽电路输出端；所述总复位电路包括第三上拉电阻、第三电容、总开关，第三电容与第三开关并联后一端接地，另一端作为总复位信号端，并经第三上拉电阻接至电源端VCC；总复位信号端控制P沟道、N沟道构成的推挽电路的门极，各高电平子系统的高电平子复位信号端分别通过对应第二二极管与推挽电路输出端连接在一起，且各第二二极管的PN结电流导通方向均流出推挽电路输出端；各低电平子系统的低电平子复位信号端分别通过第一二极管与总复位信号端连接；所述推挽电路包括P沟道的第一MOS管Q1、N沟道的第二MOS管Q2，第一MOS管Q1的栅极、第二MOS管Q2的栅极连接总复位信号端，第一MOS管Q1的源极连接电源端VCC，第二MOS管Q2的源极接地，第一MOS管Q1的漏极、第二MOS管Q2的漏极连接各个第二二极管的正极；系统上电时，各个低电平子系统的低电平子复位电路中的第一电容两端电压从0突变，这时低电平子复位电路对第一电容充电，电流经第一电容流入地，低电平子复位信号端为低电平，完成对低电平子电路系统上电复位过程；当某低电平子系统中的第一开关闭合后，该低电平子系统记为第一低电平子系统，第一低电平子系统的低电平子复位信号端被短接至地，呈低电平，与此同时其他低电平子系统的低电平子复位信号端和总复位信号端因各第一上拉电阻常态为高电平，由于第一低电平子系统的第一二极管的单向导电性，此时第一低电平子系统的低电平子复位信号端的低电平因第一低电平子系统的第一二极管处于未导通状态，而不会受到其他低电平子复位信号端上以及总复位信号端上高电平的影响，保持低电平，从而对该第一低电平子系统复位，即实现各个低电平子系统的单独复位功能；当总开关闭合时，总复位信号端被短接至地，呈低电平，与此同时各低电平子系统的低电平子复位信号端因第一上拉电阻常态为高电平，因此在第一二极管两端产生电势差，致使第一二极管单向导通，电流从电源端VCC先后流经第一上拉电阻、第一二极管、总开关后流入地；各个第一二极管均被导通，各个低电平子复位信号端的电压均等于所接第一二极管的前向导通压降，成功复位各个低电平子系统；为保证可靠复位，各个第一二极管均采用低导通压降的锗管，导通压降为0.3V,为低电平，成功复位各个低电平子系统；系统上电时，各个高电平子系统的高电平子复位电路中的第二电容两端电压从0突变，这时高电平子复位电路对第二电容充电，电流经第二电容、第二下拉电阻后流入地，高电平子复本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种高低电平混合有效开关复位电路，其特征在于，所述复位电路包括：总复位电路、至少一低电平子复位电路、至少一高电平子复位电路，各低电平子复位电路分别经低压降二级管与总复位电路连接，各高电平子复位电路分别经低压降二极管与推挽电路的输出端；总复位信号端与推挽电路的控制端门极相连；各低电平子复位电路用于对应低电平子系统复位，各高电平子复位电路用于对应高电平子系统复位。

【技术特征摘要】
1.一种高低电平混合有效开关复位电路，其特征在于，所述复位电路包括：总复位电路、至少一低电平子复位电路、至少一高电平子复位电路，各低电平子复位电路分别经低压降二级管与总复位电路连接，各高电平子复位电路分别经低压降二极管与推挽电路的输出端；总复位信号端与推挽电路的控制端门极相连；各低电平子复位电路用于对应低电平子系统复位，各高电平子复位电路用于对应高电平子系统复位。2.根据权利要求1所述的高低电平混合有效开关复位电路，其特征在于：各低电平子复位电路包括第一上拉电阻、第一电容、第一开关、第一二极管，第一电容与第一开关并联后一端接地，另一端作为低电平子复位信号端，并经第一上拉电阻接至电源端VCC；各低电平子系统的低电平子复位信号端分别通过各自的第一二极管与总复位信号端连接在一起，且各第一二极管的PN结电流导通方向均流入总复位信号端。3.根据权利要求2所述的高低电平混合有效开关复位电路，其特征在于：各个第一二极管采用低导通压降的锗管。4.根据权利要求1所述的高低电平混合有效开关复位电路，其特征在于：各高电平子复位电路包括第二下拉电阻、第二电容、第二开关、第二二极管，第二电容与第二开关并联后一端接至电源端VCC，另一端作为高电平子复位信号端，并经第二下拉电阻接地；各高电平子系统的高电平子复位...

【专利技术属性】
技术研发人员：张敏，王苏晓，朱祥辉，
申请(专利权)人：上海雍敏信息科技有限公司，
类型：新型
国别省市：上海,31