一种阵列基板、显示面板及显示装置制造方法及图纸

本实用新型专利技术公开了一种阵列基板、显示面板及显示装置，属于显示领域。所述阵列基板包括：第一信号线和第二信号线、与所述第一信号线和所述第二信号线电性连接的第一TFT和第二TFT；所述第一TFT包括通过第一过孔电性连接的第一导电层和第二导电层，所述第二TFT包括通过第二过孔电性连接的第三导电层和第四导电层；所述第一导电层与所述第一信号线连接，所述第三导电层与所述第二信号线连接；所述第一TFT的栅极位于所述第一导电层上，源极位于所述第二导电层上、漏极位于所述第四导电层上；所述第二TFT的栅极位于所述第三导电层上，漏极位于所述第二导电层上、源极位于所述第四导电层上。本实用新型专利技术可以减小阵列基板的边框的宽度。

Array substrate, display panel and display device

The utility model discloses an array substrate, a display panel and a display device, belonging to the display field. The array substrate comprises a first and second signal lines, and the first signal line and the second signal line electrically connected to the first TFT and second TFT; the first TFT through the first through hole is electrically connected with the first and second conductive layers, including the second TFT hole the electrical connection of the third and fourth conductive layers by second; the first conductive layer and the first signal line connected to the third conductive layer is connected with the second signal line; the gate of the first TFT in the first conductive layer, the source is located on the second conductive layer, the drain is located on the fourth conductive layer; the gate of the second TFT in the third conductive layer, a drain is located on the second conductive layer, the source is located on the fourth conductive layer. The utility model can reduce the width of the frame of the array substrate.

【技术实现步骤摘要】
一种阵列基板、显示面板及显示装置
本技术涉及显示领域，特别涉及一种阵列基板、显示面板及显示装置。
技术介绍
平板显示器因其具有体积小、耗电小等优点受到了广泛的应用，平板显示器包括阵列基板，阵列基板上设有多个像素单元和多根信号线，通过该多根信号线可以控制该多个像素单元显示画面。在阵列基板的工作过程中，信号线很容易产生静电荷，当静电荷积累达到一定程度时，会使像素单元无法正常工作，所以需要在阵列基板上设置防静电结构，用以将信号线上的静电荷消散。防静电结构设置在阵列基板的边缘，其包括短路环和多个防静电电路，每个防静电电路的一端与一根信号线连接，另一端与短路环连接；当某根信号线上的静电荷积累达到一定程度时，与该根信号线连接的防静电电路导通，静电荷可以通过该防静电电路流入短路环，再通过短路环导通其它的防静电电路，然后通过其他的防静电电路将该静电荷分散到其它的信号线，如此将该根信号线产生的静电荷进行分散和消耗。在实现本技术的过程中，专利技术人发现现有技术至少存在以下问题：防静电结构包括短路环和多个防静电电路两部分结构，为了使静电荷更好的消散，短路环往往设置的较宽，导致布板面积较大，平板显示器的边框较宽。
技术实现思路
为了解决现有技术的问题，一方面，本技术实施例提供了一种阵列基板，所述阵列基板包括：第一信号线和第二信号线、与所述第一信号线和所述第二信号线电性连接的第一TFT和第二TFT；所述第一TFT包括通过第一过孔电性连接的第一导电层和第二导电层，所述第一导电层与所述第二导电层至少部分交叠，所述第一过孔位于所述交叠区，所述第二TFT包括通过第二过孔电性连接的第三导电层和第四导电层，所述第三导电层与所述第四导电层至少部分交叠，所述第二过孔位于所述交叠区；所述第一导电层与所述第一信号线连接，所述第三导电层与所述第二信号线连接；所述第一TFT的栅极位于所述第一导电层上，源极位于所述第二导电层上、漏极位于所述第四导电层上；所述第二TFT的栅极位于所述第三导电层上，漏极位于所述第二导电层上、源极位于所述第四导电层上。可选的，还包括：第一透明导电层和第二透明导电层；所述第一透明导电层覆盖部分所述第二导电层和所述第一过孔中露出的所述第一导电层，用于连接所述第一导电层和所述第二导电层；所述第二透明导电层覆盖部分所述第四导电层和所述第二过孔中露出的所述第三导电层，用于连接所述第三导电层和所述第四导电层。可选的，所述第一TFT的源极位于所述第二导电层的第一引出部，漏极位于所述第四导电层的第一引出部；所述第二TFT的漏极位于所述第二导电层的第二引出部，源极位于所述第四导电层的第二引出部。可选的，所述第二导电层的一端和所述第四导电层的一端形成2字形槽，使所述第二导电层的一端形成有两个端面且所述两个端面均与所述第一信号线平行；所述两个端面中靠近所述第一信号线的一端面为所述第一引出部，另一端面为所述第二引出部。可选的，所述第二导电层的第一引出部和第二引出部、所述第四导电层的第一引出部和第二引出部均为尖点结构。可选的，还包括：在所述第一导电层和所述第三导电层D上形成的栅绝缘层。可选的，还包括：在所述栅绝缘层上形成的所述第一TFT的第一有源层和所述第二TFT的第二有源层。可选的，还包括：公共电极线，所述公共电极线通过TFT与其最近的信号线电性连接。可选的，所述第一导电层的宽度和所述第二导电层的宽度相等，所述第一导电层的宽度方向和所述第二导电层的宽度方向均与所述第一信号线平行。可选的，还包括：在所述第二导电层和所述第四导电层上形成的钝化层。另一方面，本技术实施例提供一种显示面板，所述显示面板包括所述阵列基板。另一方面，本技术实施例提供一种显示装置，所述显示装置包括所述显示面板。本技术实施例提供的技术方案带来的有益效果是：通过在任意相邻的两根信号线之间设有第一TFT和第二TFT，第一TFT连接第一信号线和第二信号线且其栅极与第一信号线连接，第二TFT连接第一信号线和第二信号线且其栅极与第二信号线连接。这样当第一信号线上产生较多的静电荷时，第一TFT导通并将静电荷分散到第二信号线，当第二信号线上产生较多的静电荷时，第二TFT导通并将静电荷分散到第一信号线，如此可以实现将静电荷分散到多根信号线上，同时第一TFT和第二TFT会消耗一部分静电荷，可以防止静电荷积累，达到将静电荷消散的目的，无需在阵列基板的边缘设置短路环，可以减小阵列基板的边框的宽度。附图说明为了更清楚地说明本技术实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。图1是本技术实施例一提供的第一防静电电路的结构示意图；图2是本技术实施例一提供的第一防静电电路的电路图；图3是本技术实施例一提供的第一防静电电路的A1-A2向剖视图；图4是本技术实施例一提供的第一导电层和第三导电层的结构示意图；图5是本技术实施例一提供的第二导电层和第四导电层的结构示意图；图6是本技术实施例二提供的第一防静电电路的结构示意图；图7是本技术实施例二提供的第二导电层和第四导电层的结构示意图。其中，C第一导电层；D第三导电层；E栅绝缘层；F第二导电层，F1第二导电层的第一引出部，F2第二导电层的第二引出部，F3第二导电层的第三引出部，F4第二导电层的第四引出部；G第四导电层，G1第四导电层的第一引出部，G2第四导电层的第二引出部，G3第四导电层的第三引出部，G4第四导电层的第四引出部；H钝化层；I第一过孔；J第一透明导电层；Q第二透明导电层；N玻璃基板；S1第一信号线；S2第二信号线；S3第三信号线；S4第四信号线；1第一TFT，11第一TFT的源极，12第一TFT的漏极，13第一TFT的栅极，14第一有源层；2第二TFT，21第二TFT的漏极，22第二TFT的源极，23第二TFT的栅极，24第二有源层；3第三TFT，31第三TFT的源极，32第三TFT的漏极；4第四TFT，41第四TFT的漏极，42第四TFT的漏极；5第五TFT，51第五TFT的源极；6第六TFT。具体实施方式为使本技术的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合附图对本技术实施方式作进一步地详细描述。实施例一如图1所示，且参见图2，本技术实施例提供了一种阵列基板，该阵列基板包括：第一信号线S1和第二信号线S2、与第一信号线S1和第二信号线S2电性连接的第一TFT1和第二TFT2；第一TFT1包括通过第一过孔I电性连接的第一导电层C和第二导电层F，第一导电层C与第二导电层F至少部分交叠，第一过孔I位于该交叠区，第二TFT2包括通过第二过孔Q电性连接的第三导电层D和第四导电层G，第三导电层D与第四导电层G至少部分交叠，第二过孔Q位于该交叠区；第一导电层C与第一信号线S1连接，第三导电层D与第二信号线S2连接；第一TFT1的栅极位于第一导电层C上，源极位于第二导电层F上、漏极位于第四导电层G上；第二TFT2的栅极位于第三导电层D上，漏极位于第二导电层F上、源极位于第四导电层G上。其中，第一导电层C的宽度和第二导电层F的本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种阵列基板，其特征在于，所述阵列基板包括：第一信号线和第二信号线、与所述第一信号线和所述第二信号线电性连接的第一TFT和第二TFT；所述第一TFT包括通过第一过孔电性连接的第一导电层和第二导电层，所述第一导电层与所述第二导电层至少部分交叠，所述第一过孔位于所述交叠区，所述第二TFT包括通过第二过孔电性连接的第三导电层和第四导电层，所述第三导电层与所述第四导电层至少部分交叠，所述第二过孔位于所述交叠区；所述第一导电层与所述第一信号线连接，所述第三导电层与所述第二信号线连接；所述第一TFT的栅极位于所述第一导电层上，源极位于所述第二导电层上、漏极位于所述第四导电层上；所述第二TFT的栅极位于所述第三导电层上，漏极位于所述第二导电层上、源极位于所述第四导电层上。

【技术特征摘要】
1.一种阵列基板，其特征在于，所述阵列基板包括：第一信号线和第二信号线、与所述第一信号线和所述第二信号线电性连接的第一TFT和第二TFT；所述第一TFT包括通过第一过孔电性连接的第一导电层和第二导电层，所述第一导电层与所述第二导电层至少部分交叠，所述第一过孔位于所述交叠区，所述第二TFT包括通过第二过孔电性连接的第三导电层和第四导电层，所述第三导电层与所述第四导电层至少部分交叠，所述第二过孔位于所述交叠区；所述第一导电层与所述第一信号线连接，所述第三导电层与所述第二信号线连接；所述第一TFT的栅极位于所述第一导电层上，源极位于所述第二导电层上、漏极位于所述第四导电层上；所述第二TFT的栅极位于所述第三导电层上，漏极位于所述第二导电层上、源极位于所述第四导电层上。2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，还包括：第一透明导电层和第二透明导电层；所述第一透明导电层覆盖部分所述第二导电层和所述第一过孔中露出的所述第一导电层，用于连接所述第一导电层和所述第二导电层；所述第二透明导电层覆盖部分所述第四导电层和所述第二过孔中露出的所述第三导电层，用于连接所述第三导电层和所述第四导电层。3.根据权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，所述第一TFT的源极位于所述第二导电层的第一引出部，漏极位于所述第四导电层的第一引出部；所述第二TFT的漏极位于所述第二导电层的第二...

【专利技术属性】
技术研发人员：李盼，程鸿飞，先建波，乔勇，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，
类型：新型
国别省市：北京,11