The present invention relates to a method for Qinhuan g saturated solution preparation of graphite carbon nitride nano composite thin films, using a saturated solution of Qinhuan g g C
【技术实现步骤摘要】
用庚嗪环饱和溶液制备石墨相氮化碳复合纳米薄膜的方法
本专利技术涉及光电纳米薄膜领域,具体的说是一种用庚嗪环饱和溶液制备石墨相氮化碳复合纳米薄膜的方法。
技术介绍
氢气是一种高能量的清洁能源,燃烧后生成水,整个体系清洁可再生;而太阳能也是一种“取之不尽,用之不竭”的清洁可再生能源。利用太阳能,尤其是可见光分解水制氢具有重大的工业意义。目前制备石墨相氮化碳(g-C3N4)复合光电纳米薄膜的方法主有以下几种:将g-C3N4加载到其他光电纳米颗粒上,这种方法获得的复合纳米颗粒尺寸较大,比表面积很小,光催化效率很低;将g-C3N4加载其他光电纳米薄膜上的方法主要是化学气相沉积法,这种方法有很多缺点,比如:操作复杂、污染环境、原料利用率极低等,不适合制作大面积的一维g-C3N4复合纳米阵列,也不适合大批量生产。
技术实现思路
针对上述现有的加载方法存在的操作复杂、污染环境、原料利用率极低等问题,本专利技术提供一种用庚嗪环饱和溶液制备石墨相氮化碳复合纳米薄膜的方法。为解决上述技术问题,本专利技术采用的技术方案为:一种用庚嗪环饱和溶液制备石墨相氮化碳复合纳米薄膜的方法,包括以下步骤:步骤一:用水热法制备一维光电纳米薄膜材料;步骤二:以三聚氰胺为原料,用水热法制备庚嗪环白色粉末,并配制成饱和溶液,具体步骤如下:1)将三聚氰胺溶于无水乙醇中,加入0.2mol/L稀硝酸,搅拌反应得白色沉淀;2)将步骤1)所得反应液过滤,取滤饼于60℃条件下干燥12h,得到庚嗪环白色粉末;3)将步骤2)所得白色粉末放入容器中,加水搅拌直至粉末完全溶解,得庚嗪环饱和溶液;步骤三:制备一维g-C3N4光 ...
【技术保护点】
一种用庚嗪环饱和溶液制备石墨相氮化碳复合纳米薄膜的方法,其特征在于,包括以下步骤:步骤一:用水热法制备一维光电纳米薄膜材料;步骤二:以三聚氰胺为原料,用水热法制备庚嗪环白色粉末,并配制成饱和溶液,具体步骤如下:1)将三聚氰胺溶于无水乙醇中,加入0.2mol/L稀硝酸,搅拌反应得白色沉淀;2)将步骤1)所得反应液过滤,取滤饼于60℃条件下干燥12h,得到庚嗪环白色粉末;3)将步骤2)所得白色粉末放入容器中,加水搅拌直至粉末完全溶解,得庚嗪环饱和溶液;步骤三:制备一维g‑C
【技术特征摘要】
1.一种用庚嗪环饱和溶液制备石墨相氮化碳复合纳米薄膜的方法,其特征在于,包括以下步骤:步骤一:用水热法制备一维光电纳米薄膜材料;步骤二:以三聚氰胺为原料,用水热法制备庚嗪环白色粉末,并配制成饱和溶液,具体步骤如下:1)将三聚氰胺溶于无水乙醇中,加入0.2mol/L稀硝酸,搅拌反应得白色沉淀;2)将步骤1)所得反应液过滤,取滤饼于60℃条件下干燥12h,得到庚嗪环白色粉末;3)将步骤2)所得白色粉末放入容器中,加水搅拌直至粉末完全溶解,得庚嗪环饱和溶液;步骤三:制备一维g-C3N4光...
【专利技术属性】
技术研发人员:李立本,郝景刚,张少锋,任峰,周锋子,李小红,
申请(专利权)人:河南科技大学,
类型:发明
国别省市:河南,41
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