The invention discloses a method for cultivating bulbocodioides potted plant, which comprises the following steps: (1) choose pseudobulb; (2) configuration matrix; (3) choose the flower pot; (4) the basin; (5) training; (6) the management of water and fertilizer; (7) shaping regulation; (8) disease pest control. The invention can improve bulbocodioides quality, prolong the florescence, improve bulbocodioides potted ornamental value.
【技术实现步骤摘要】
一种独蒜兰盆花的栽培方法
本专利技术涉及植物栽培
,具体涉及一种独蒜兰盆花的栽培方法。
技术介绍
独蒜兰(Pleionebulbocodioides)又名一叶兰,兰科独蒜兰属植物但独蒜兰多生长于腐殖质多的岩缘或溪涧流域内苔藓覆盖的岩石壁上,海拔1800-2500米,主要分布在四川西南部和云南西北部;其圆锥状卵形的假鳞茎高度可达3.0-4.0cm,直茎2.0-2.5cm,鲜重4.0-5.0g,干重1.5-1.9g;干燥假鳞茎有清热解毒、化痰散结等功效。它的花葶直立,顶端常开1朵花,花苞片为倒披针形,呈淡紫红色,花紫红色,花瓣为镰刀状倒披针形,唇瓣近圆形,色泽较浅但具紫红色斑和白色褶片,花冠直茎为6-8cm,花型奇特,色彩艳丽,自然花期为4-5月,单花花期较长,开花时叶片比较小,属于先花后叶类型。若改变其栽培环境,则对其花期影响较大,若采用现有的花草栽培方法来培养独蒜兰,可能导致其出现花期较短、品质不佳等问题,不能满足人们对其观赏需求。
技术实现思路
针对现有技术中的上述不足,本专利技术提供了一种独蒜兰盆花的栽培方法,可有效解决独蒜兰在栽培环境变化时,出现的品质不佳,花期较短,无法满足人们对其观赏需求的问题。为实现上述目的,本专利技术解决其技术问题所采用的技术方案是:一种独蒜兰盆花的栽培方法,包括以下步骤:(1)选择假鳞茎选取2.5g以上的假鳞茎备用;(2)配置基质调节基质pH值为6.0~7.0,并在使用前3天用消毒剂对基质进行消毒,所述基质包括腐殖质、蛭石和独蒜兰原生地土壤,其中,腐殖质、蛭石和独蒜兰原生地土壤的体积比为3~5:3~5:1~3;(3)选择花 ...
【技术保护点】
一种独蒜兰盆花的栽培方法,其特征在于,包括以下步骤:(1)选择假鳞茎待独蒜兰叶片脱落后,采收假鳞茎,选取2.5g以上的假鳞茎备用;(2)配置基质调节基质pH值为6.0~7.0,并在使用前3天用消毒剂对基质进行消毒,所述基质包括腐殖质、蛭石和独蒜兰原生地土壤;其中,腐殖质、蛭石和独蒜兰原生地土壤的体积比为3~5:3~5:1~3;(3)选择花盆选择浅色、盆高和盆口直茎为8*8cm以及有多个预制排水孔的聚乙烯塑料盆作为种植容器,并用陶粒垫于聚乙烯塑料盆底部,形成1.0~1.5cm的透气层,在按照植株高度与盆高比例为3:2的原则,1~3株种植,每株间距4~5cm,且假鳞茎与盆缘的距离均为2~2.5cm;(4)上盆将假鳞茎栽种于盆土中,假鳞茎的覆土深度以刚覆盖其根系,与根颈平齐为准,并且其根系平铺于土壤中,与土壤表面之间距离为1~2cm,然后再向盆中加入基质至盆满;(5)培养将上盆后的假鳞茎置于温室中,温室温度白天15~20℃、晚上15~20℃、相对湿度90%~95%、光强3000~3300lx、白天二氧化碳浓度80~150ppm、晚上二氧化碳浓度200~300ppm,每天光照14~16h,温室 ...
【技术特征摘要】
1.一种独蒜兰盆花的栽培方法,其特征在于,包括以下步骤:(1)选择假鳞茎待独蒜兰叶片脱落后,采收假鳞茎,选取2.5g以上的假鳞茎备用;(2)配置基质调节基质pH值为6.0~7.0,并在使用前3天用消毒剂对基质进行消毒,所述基质包括腐殖质、蛭石和独蒜兰原生地土壤;其中,腐殖质、蛭石和独蒜兰原生地土壤的体积比为3~5:3~5:1~3;(3)选择花盆选择浅色、盆高和盆口直茎为8*8cm以及有多个预制排水孔的聚乙烯塑料盆作为种植容器,并用陶粒垫于聚乙烯塑料盆底部,形成1.0~1.5cm的透气层,在按照植株高度与盆高比例为3:2的原则,1~3株种植,每株间距4~5cm,且假鳞茎与盆缘的距离均为2~2.5cm;(4)上盆将假鳞茎栽种于盆土中,假鳞茎的覆土深度以刚覆盖其根系,与根颈平齐为准,并且其根系平铺于土壤中,与土壤表面之间距离为1~2cm,然后再向盆中加入基质至盆满;(5)培养将上盆后的假鳞茎置于温室中,温室温度白天15~20℃、晚上15~20℃、相对湿度90%~95%、光强3000~3300lx、白天二氧化碳浓度80~150ppm、晚上二氧化碳浓度200~300ppm,每天光照14~16h,温室于每3天后的早晨6:00~7:00时换气一次,于温室中将假鳞茎培养至花蕾期;(6)水肥管理假鳞茎上盆后,定根水一次浇足,培养期间,换气水每15天浇灌一次,直至花芽和叶芽开始生长;独蒜兰花蕾期和开花前期无需施肥,花期和新鳞茎生长期施用独蒜兰专用肥,将独蒜兰专用肥和水按质量比为1:100混合,用干陶粒吸附,再按照每盆1~2g的施肥量将干陶粒装于聚乙烯塑料盆中;所述独蒜兰专用肥包括尿素、硝酸钙、硝酸钾、硫酸镁、磷酸二氢钾和磷酸二氢钠;其中,尿素、硝酸钙、...
【专利技术属性】
技术研发人员:蔡仕珍,叶充,龙聪颖,邓辉茗,李西,潘远智,宋会兴,刘光立,
申请(专利权)人:四川农业大学,
类型:发明
国别省市:四川,51
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