偏置控制电路以及功率放大模块制造技术

技术编号:15344359 阅读:147 留言:0更新日期:2017-05-17 00:43
本发明专利技术的偏置控制电路能在抑制伴随着制造偏差而产生的偏置电压或偏置电流的变动的同时,抑制制造成本的增加。偏置控制电路包括:基准电压电路,该基准电压电路生成基准电压;电阻;温度依赖电流生成电路,该温度依赖电流生成电路基于基准电压生成依赖于温度变化的温度依赖电流,将温度依赖电流提供给电阻的一端;基准电压缓冲电路,该基准电压缓冲电路对电阻的另一端施加基准电压;恒定电流生成电路,该恒定电流生成电路基于基准电压生成用于驱动基准电压缓冲电路的恒定电流,将恒定电流提供给电阻的另一端;以及偏置生成电路,该偏置生成电路基于电阻一端的电压,对功率放大电路生成偏置电压或偏置电流。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】偏置控制电路以及功率放大模块
本专利技术涉及偏置控制电路以及功率放大模块。
技术介绍
移动电话等移动体通信设备中,为了放大向基站发送的无线频率(RF:RadioFrequency)信号的功率而使用功率放大模块。这样的功率放大模块中,提供给功率放大电路的偏置电压或偏置电流具有温度依赖性。例如,在专利文献1中公开了如下结构:即,将恒定电流与具有温度依赖性的电流合成而得的电流提供给一端接地的电阻从而转换为电压,并基于该电压生成具有温度依赖性的偏置电压或偏置电流。现有技术文献专利文献专利文献1:日本专利特开2009-218996号公报
技术实现思路
专利技术所要解决的技术问题在专利文献1中公开的结构中,基于带隙基准电压生成恒定电流时,一般使用电流镜电路。由此,在使用电流镜电路的情况下,若由于晶体管的制造偏差而导致构成电流镜电路的晶体管的尺寸的比例产生偏差,则恒定电流中也会产生偏差。若恒定电流中产生偏差,则偏置电压或偏置电流中也会产生偏差作为用于抑制由这样的偏差而产生的影响的一般方法,例如有以下方法:即,根据偏差,调整设置于生成恒定电流的电路中的电阻的电阻值。然而,在这样的方法中,制造过程变得复杂,从而导致制造成本的增加。本专利技术是鉴于上述情况而完成,其目的在于,在抑制伴随着制造偏差而产生的偏置电压或偏置电流的变动的同时,抑制制造成本的增加。解决技术问题所采用的技术手段本专利技术的一个方面所涉及的偏置控制电路包括:基准电压电路,该基准电压电路生成基准电压;电阻;温度依赖电流生成电路,该温度依赖电流生成电路基于基准电压生成依赖于温度变化的温度依赖电流,将温度依赖电流提供给电阻的一端;基准电压缓冲电路,该基准电压缓冲电路在电阻的另一端施加基准电压;恒定电流生成电路,该恒定电流生成电路基于基准电压生成用于驱动基准电压缓冲电路的恒定电流,将恒定电流提供给电阻的另一端;以及偏置生成电路,该偏置生成电路基于电阻一端的电压,对功率放大电路生成偏置电压或偏置电流。专利技术效果根据本专利技术,能在抑制伴随着制造偏差而产生的偏置电压或偏置电流的变动的同时,抑制制造成本的增加。附图说明[图1]是示出包含本专利技术的一个实施方式的功率放大模块的发送单元的构成例的图。[图2]是示出功率放大模块的构成的一个示例的图。[图3]是示出偏置控制电路的构成的一个示例的图。[图4]是示出温度依赖电流生成电路的一个示例的图。[图5]是示出温度依赖电流的变化的一个示例的图。[图6]是示出恒定电流生成电路的构成的一个示例的图。[图7]是示出偏置生成电路的构成的一个示例的图。[图8]是示出偏置生成电路的构成的另一示例的图。[图9]是示出了在将恒定电流与具有温度依赖性的电流合成而得的电流提供给一端接地的电阻从而转换为电压,并基于该电压生成具有温度依赖性的偏置电压的偏置控制电路中,偏置电压的偏差分布的一个示例的图[图10]是示出本实施方式的偏置控制电路中偏置电压的偏差的一个示例的图。具体实施方式以下,参照附图对本专利技术的一个实施方式进行说明。图1是示出包含本专利技术的一个实施方式的功率放大模块的发送单元的构成例的图。发送单元100例如用于在移动电话等移动体通信设备中向基站发送音频或数据等的各种信号。此外,移动通信设备也具备用于从基站接收信号的接收单元,但这里省略说明。如图1所示,发送单元100包含:调制部110、发送功率控制部120、功率放大模块130、前端部140以及天线150。调制部110基于HSUPA(HighSpeedUplinkPacketAccess:高速上行链路分组接入)或LTE(LongTermEvolution:长期演进)等的调制方式对输入信号进行调制,生成用于进行无线发送的高频(RF:RadioFrequency无线电频率)信号。RF信号例如为数百MHz至数GHz左右。发送功率控制部120基于发送功率控制信号对RF信号的功率进行调整并输出。发送功率控制信号例如基于从基站发送来的自适应功率控制(APC:AdaptivePowerControl)信号而生成。例如,基站能通过测定来自移动体通信设备的接收信号向移动体通信设备发送APC信号,作为将移动体通信设备中的发送功率调整至适当电平的指令。功率放大模块130将发送功率控制部120所输出的RF信号(RFIN)的功率放大至用于向基站进行发送所需要的电平,并输出放大信号(RFOUT)。前端部140对放大信号进行滤波、对从基站接收的接收信号进行开关等。前端部140所输出的放大信号经由天线150发送至基站。图2是示出功率放大模块130的构成的一个示例的图。功率放大模块130包含功率放大电路200以及偏置控制电路210。功率放大电路200将RF信号(RF-IN)的功率放大,并输出放大信号(RFOUT)。偏置控制电路210对功率放大电路200提供偏置电压VBIAS或偏置电流IBIAS。此外,在偏置电压VBIAS或偏置电流IBIAS为恒定的情况下,功率放大电路200的增益具有根据温度变化的特性。因此,本实施方式的功率放大模块130中,通过使偏置电压VBIAS或偏置电流IBIAS具有温度依赖性,从而抑制功率放大电路200的增益根据温度而变化的情况。图3是示出偏置控制电路210的构成的一个示例的图。偏置控制电路210包含:基准电压电路300、电阻310、温度依赖电流生成电路320、恒定电流生成电路330、基准电压缓冲电路340以及偏置生成电路350。基准电压电路300生成不依赖于温度的带隙基准电压VBG(以下简称为“基准电压”)。基准电压VBG例如为1.2V左右。温度依赖电流生成电路320基于基准电压VBG,生成依赖于温度变化的温度依赖电流IT。温度依赖电流IT提供给电阻310的一端(A侧)。温度依赖电流生成电路320的构成例将在后文中阐述。恒定电流生成电路330基于基准电压VBG,生成恒定电流IC。恒定电流IC提供给电阻310的另一端(B侧)。恒定电流IC用于驱动基准电压缓冲电路340。恒定电流生成电路330的构成例将在后文中阐述。基准电压缓冲电路340对电阻310的另一端(B侧)施加基准电压VBG。基准电压缓冲电路340例如包含运算放大器360以及P沟道MOSFET370。运算放大器360对非反相输入端子施加基准电压VBG,反相输入端子与P沟道MOSFET370的源极连接,输出端子与P沟道MOSFET370的栅极连接。P沟道MOSFET370的源极与电阻310的另一端(B侧)连接,漏极接地。基准电压缓冲电路340中,通过运算放大器360的虚短路,运算放大器360的反相输入端子以基准电压VBG进行工作。由此,在电阻310的另一端(B侧)施加了基准电压VBG。偏置生成电路350基于电阻310一端的电压VIN,对功率放大电路200生成偏置电压VBIAS或偏置电流IBIAS。偏置生成电路350的构成例将在后文中阐述。偏置控制电路210中,利用基准电压缓冲电路340将电阻310的另一端(B侧)的电压控制为基准电压VBG。此外,若将电阻310的电阻值设为R1,电阻310的一端(A侧)的电压VIN为VIN=VBG+IT×R1。电压VIN中,基准电压VBG为主导,因此,能抑制由偏差引起温度依赖电流IT的变动而导致的电压VIN的变动。图4是示出温度依本文档来自技高网...
偏置控制电路以及功率放大模块

【技术保护点】
一种偏置控制电路,其特征在于,包括:基准电压电路,该基准电压电路生成基准电压;电阻;温度依赖电流生成电路,该温度依赖电流生成电路基于所述基准电压生成依赖于温度变化的温度依赖电流,将所述温度依赖电流提供给所述电阻的一端;基准电压缓冲电路,该基准电压缓冲电路对所述电阻的另一端施加所述基准电压;恒定电流生成电路,该恒定电流生成电路基于所述基准电压生成用于驱动所述基准电压缓冲电路的恒定电流,将所述恒定电流提供给所述电阻的所述另一端;以及偏置生成电路,该偏置生成电路基于所述电阻的所述一端的电压,对功率放大电路生成偏置电压或偏置电流。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2014.08.28 JP 2014-1742601.一种偏置控制电路,其特征在于,包括:基准电压电路,该基准电压电路生成基准电压;电阻;温度依赖电流生成电路,该温度依赖电流生成电路基于所述基准电压生成依赖于温度变化的温度依赖电流,将所述温度依赖电流提供给所述电阻的一端;基准电压缓冲电路,该基准电压缓冲电路对所述电阻的另一端施加所述基准电压;恒定电流生成电路,该恒定电流生成电路基于所述基准电压生成用于驱动所述基准电压缓冲电路的恒定电流,将所述恒定电流提供给所述电阻的所述另一端;以及偏置生成电路,该偏置生成电路基于所述电阻的所述一端的电压,对功率放大电路生成偏置电压或偏置电流。2.如权利要求1所述的偏置控制电路,其特征在于,所述基准电压缓冲电路包含运算放大器以及P沟...

【专利技术属性】
技术研发人员:原泽良明森泽文雅
申请(专利权)人:株式会社村田制作所
类型:发明
国别省市:日本,JP

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