一种纳米压印屏蔽玻璃及其制作方法技术

本发明专利技术提供一种纳米压印屏蔽玻璃及其制作方法，包括有机玻璃衬底、形成于有机玻璃衬底上、预先压印有图案沟槽的低粘度单体衬底层及绝缘层；低粘度单体衬底层外侧四周设置有导电银浆层以及形成于导电银浆层上的导电材料层；在低粘度单体衬底层的图案沟槽中设置有与图案形状对应的纳米导电层，通过在有机玻璃衬底上形成与沟槽图像相匹配的纳米导电层，采用纳米压印技术在玻璃上直接加工金属网格屏蔽层，产品的屏效、透光率、角度皆可根据实际要求进行调整，低粘度单体衬底层外侧四周设置有导电银浆层和导电材料层，这样的设计由于没有金属网伸出，所以只需在有机玻璃衬底边缘采用导电材料连接使其和外壳连接，产品使用更简单，效果更好。

【技术实现步骤摘要】
一种纳米压印屏蔽玻璃及其制作方法[
]本专利技术涉及玻璃生产制作方法
，尤其涉及一种可以灵活调节产品的屏效、透光率、角度等特征的纳米压印屏蔽玻璃及其制作方法。[
技术介绍
]近些年，随着电子电器设备的大量应用，电磁波在空间传播，造成了电子设备的相互干扰和信息泄漏，这样的情况下，就很容易带来电子设备以及自动控制系统的错误动作和信息被剽窃，同时对人造成危害。屏蔽玻璃可以对信号进行屏蔽处理，保证电子电器设备的安全性，传统屏蔽玻璃主要是采用玻璃加金属丝网工艺制作而成，金属网为进口产品，需要黑化处理，产品的成本很高，屏效主要取决于进口网，且对产品性能的改善空间很小。另外，金属网和显示屏有角度要求，否则会产生莫尔纹，这样一来产品的利用率更低。现有的纳米压印技术是在有机玻璃或复合玻璃的有机层采用纳米压印技术做出的，产品设计更灵活，莫尔纹可以通过模具设计避免，透光率、屏效皆可灵活设计。[
技术实现思路
]为克服现有技术所存在的问题，本专利技术提供一种可以灵活调节产品的屏效、透光率、角度等特征的纳米压印屏蔽玻璃及其制作方法。本专利技术解决技术问题的方案是提供一种纳米压印屏蔽玻璃及其制作方法，包括有机玻璃衬底、形成于有机玻璃衬底上、预先压印有图案沟槽的低粘度单体衬底层以及形成于低粘度单体衬底层上的绝缘层；在所述低粘度单体衬底层外侧四周设置有导电银浆层以及形成于导电银浆层上的导电材料层；在所述低粘度单体衬底层的图案沟槽中设置有与图案形状对应的纳米导电层。优选地，所述纳米导电层与低粘度单体衬底层的厚度相同。优选地，所述有机玻璃衬底的厚度范围为0.05-0.1毫米；图案沟槽的厚度范围为3-15微米；绝缘层的厚度范围为0.05-0.1毫米；导电银浆层的厚度范围为0.05-0.1毫米；导电材料层的厚度范围为0.3-1.5毫米。一种纳米压印屏蔽玻璃的制作方法，其特征在于：包括以下步骤，S1、制作具有图案沟槽的石英玻璃掩膜板；S2、压印低粘度的单体衬底；预备有机玻璃衬底，并将低粘度的单体溶液处理在有机玻璃衬底上，用步骤S1中制作好的石英玻璃掩膜板缓慢压在该有机玻璃衬底上，使单体溶液均匀填充到石英玻璃掩膜板的空腔中，制备得到单体衬底；S3、紫外光固化成型；用强度为100-300mw/cm2的紫外光对步骤S2中制得的单体衬底进行紫外光固化，固化时长为1-2分钟，使其成型，然后去除石英玻璃掩膜板；S4、蚀刻残留层；移除石英玻璃掩膜板后得到的单体衬底沟槽和石英玻璃掩膜板的深度一致，蚀刻处理单体衬底沟槽底部的残留层，得到更深的单体衬底沟槽；S5：进行图案转移；在单体衬底沟槽中印刷导电物质，形成与单体衬底沟槽图像相匹配的纳米导电层；S6、在单体衬底外侧周缘印刷一导电银浆层，在导电银浆层上再覆盖一层导电材料层；制备得到该纳米压印屏蔽玻璃。优选地，所述纳米导电层采用高导电率的纳米铜或银制作而成。优选地，所述纳米导电层采用镍、铁或鈷制作而成。优选地，所述导电材料层为导电橡胶。优选地，所述石英玻璃掩膜板包括石英玻璃基板、镀射形成于石英玻璃基板上的金属铬薄膜以及形成于金属铬薄膜上的导电膜；在所述金属铬薄膜上利用光刻工艺得到铬薄膜图案沟槽。与现有技术相比，本专利技术一种纳米压印屏蔽玻璃及其制作方法通过在有机玻璃衬底上形成预先压印有图案沟槽的低粘度单体衬底层，且在低粘度单体衬底层的沟槽中印刷导电物质，形成与单体衬底沟槽图像相匹配的纳米导电层，采用纳米压印技术在玻璃上直接加工金属网格屏蔽层，产品的屏效、透光率、角度皆可根据实际要求进行调整，低粘度单体衬底层外侧四周设置有导电银浆层以及形成于导电银浆层上的导电材料层，这样的设计由于没有金属网伸出，所以只需在有机玻璃衬底边缘采用导电材料连接使其和外壳连接，产品使用更简单，效果更好。[附图说明]图1是本专利技术一种纳米压印屏蔽玻璃的层状结构示意图。图2是本专利技术一种纳米压印屏蔽玻璃的制作工艺流程图。[具体实施方式]为使本专利技术的目的，技术方案及优点更加清楚明白，以下结合附图及实施例，对本专利技术进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用于解释本专利技术，并不用于限定此专利技术。请参阅图1和图2，本专利技术一种纳米压印屏蔽玻璃1包括有机玻璃衬底11、形成于有机玻璃衬底11上、预先压印有图案沟槽的低粘度单体衬底层15以及形成于低粘度单体衬底层15上的绝缘层18；在所述低粘度单体衬底层15外侧四周设置有导电银浆层16以及形成于导电银浆层16上的导电材料层17；在所述低粘度单体衬底层15的图案沟槽中设置有与图案形状对应的纳米导电层13。通过在有机玻璃衬底11上形成预先压印有图案沟槽的低粘度单体衬底层15，且在低粘度单体衬底层15的沟槽中印刷导电物质，形成与单体衬底沟槽图像相匹配的纳米导电层13，采用纳米压印技术在玻璃上直接加工金属网格屏蔽层，产品的屏效、透光率、角度皆可根据实际要求进行调整，低粘度单体衬底层15外侧四周设置有导电银浆层16以及形成于导电银浆层16上的导电材料层17，这样的设计由于没有金属网伸出，所以只需在有机玻璃衬底11边缘采用导电材料连接使其和外壳连接，产品使用更简单，效果更好。优选地，所述纳米导电层13与低粘度单体衬底层15的厚度相同。优选地，所述有机玻璃衬底11的厚度范围为0.05-0.1毫米；图案沟槽的厚度范围为3-15微米；绝缘层18的厚度范围为0.05-0.1毫米；导电银浆层16的厚度范围为0.05-0.1毫米；导电材料层17的厚度范围为0.3-1.5毫米。一种纳米压印屏蔽玻璃的制作方法，其特征在于：包括以下步骤，S1、制作具有图案沟槽的石英玻璃掩膜板；S2、压印低粘度的单体衬底；预备有机玻璃衬底11，并将低粘度的单体溶液处理在有机玻璃衬底11上，用步骤S1中制作好的石英玻璃掩膜板缓慢压在该有机玻璃衬底11上，使单体溶液均匀填充到石英玻璃掩膜板的空腔中，制备得到单体衬底；S3、紫外光固化成型；用强度为100-300mw/cm2的紫外光对步骤S2中制得的单体衬底进行紫外光固化，固化时长为1-2分钟，使其成型，然后去除石英玻璃掩膜板；S4、蚀刻残留层；移除石英玻璃掩膜板后得到的单体衬底沟槽和石英玻璃掩膜板的深度一致，蚀刻处理单体衬底沟槽底部的残留层，得到更深的单体衬底沟槽；移除石英玻璃掩膜板后得到的沟槽和石英玻璃掩膜板的深度一致，如果要想达到更深的深度，需要对其进行蚀刻处理，把沟槽底部的残留层蚀刻掉，得到更深的沟槽；S5：进行图案转移；在单体衬底沟槽中印刷导电物质，形成与单体衬底沟槽图像相匹配的纳米导电层13；S6、在单体衬底外侧周缘印刷一导电银浆层16，在导电银浆层16上再覆盖一层导电材料层17；制备得到该纳米压印屏蔽玻璃1。由于纳米导电层13的导电材质线径处于1-5微米级别，容易被破环掉，一旦有损坏现象，屏蔽层的孔洞就会变大，从而降低了屏蔽效能。通过在单体衬底外侧周缘印刷一导电银浆层16，再在导电银浆层16上覆盖一层导电材料层17，使其垂直接触电阻在0.1MPa压力下小于0.5欧姆，以保证屏蔽屏和壳体充分接触。优选地，所述纳米导电层13采用高导电率的纳米铜或银制作而成。优选地，所述纳米导电层13采用镍、铁或鈷制作而成。对于20MHz以上高频段通常采用高导电率的纳米级材料，如纳米铜或银；而对应低频段的屏蔽要求本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种纳米压印屏蔽玻璃，其特征在于：包括有机玻璃衬底、形成于有机玻璃衬底上、预先压印有图案沟槽的低粘度单体衬底层以及形成于低粘度单体衬底层上的绝缘层；在所述低粘度单体衬底层外侧四周设置有导电银浆层以及形成于导电银浆层上的导电材料层；在所述低粘度单体衬底层的图案沟槽中设置有与图案形状对应的纳米导电层。

【技术特征摘要】
1.一种纳米压印屏蔽玻璃，其特征在于：包括有机玻璃衬底、形成于有机玻璃衬底上、预先压印有图案沟槽的低粘度单体衬底层以及形成于低粘度单体衬底层上的绝缘层；在所述低粘度单体衬底层外侧四周设置有导电银浆层以及形成于导电银浆层上的导电材料层；在所述低粘度单体衬底层的图案沟槽中设置有与图案形状对应的纳米导电层。2.如权利要求1所述的一种纳米压印屏蔽玻璃，其特征在于：所述纳米导电层与低粘度单体衬底层的厚度相同。3.如权利要求1所述的一种纳米压印屏蔽玻璃，其特征在于：所述有机玻璃衬底的厚度范围为0.05-0.1毫米；图案沟槽的厚度范围为3-15微米；绝缘层的厚度范围为0.05-0.1毫米；导电银浆层的厚度范围为0.05-0.1毫米；导电材料层的厚度范围为0.3-1.5毫米。4.一种纳米压印屏蔽玻璃的制作方法，其特征在于：包括以下步骤，S1、制作具有图案沟槽的石英玻璃掩膜板；S2、压印低粘度的单体衬底；预备有机玻璃衬底，并将低粘度的单体溶液处理在有机玻璃衬底上，用步骤S1中制作好的石英玻璃掩膜板缓慢压在该有机玻璃衬底上，使单体溶液均匀填充到石英玻璃掩膜板的空腔中，制备得到单体衬底；S3、紫外光固化成型；用强...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘振栋，
申请(专利权)人：索曼电子深圳有限公司，
类型：发明
国别省市：广东,44