具有不同电荷密度的交替垂直堆叠层结构的元件载体制造技术

本发明专利技术公开了一种元件载体(100)，涉及一种具有不同电荷密度的交替垂直堆叠层结构的元件载体，其包括多个低密度层结构(120)和多个高密度层结构(110)，多个高密度层结构(110)比多个低密度层结构具有更高的导电结构(131、132、171、172)的密度，其中，低密度层结构(120)和高密度层结构(110)交替垂直堆叠。

【技术实现步骤摘要】
具有不同电荷密度的交替垂直堆叠层结构的元件载体
本专利技术涉及一种元件载体及制造元件载体的方法。
技术介绍
按照惯例，用于携带电子元件的载体包括多层结构。具有板中板(board-in-board)技术的多层载体被设置为满足装置中更高扇出(fan-out)和更少可用空间的需要。在一个制造单元中制造这种载体照惯例与高成本和具有大量电子链接和连接的区域和具有少量电子链接和连接的区域之间的连接的困难的准确性和可靠性相关。
技术实现思路
本专利技术的目标是能够低成本设计具有非常简单的设计规则且同时具有高的扇出性能且在操作过程中可靠的元件载体。为了实现上述确定的目标，提供了根据本专利技术的元件载体和制造元件载体的方法。根据本专利技术的示例实施例，提供了一种元件载体，其中，元件载体包括多个低密度层结构、多个高密度层结构，多个高密度层结构比多个低密度层结构具有更高的导电结构的密度，其中，低密度层结构和高密度层结构交替垂直堆叠。根据本专利技术的另一示例实施例，提供了一种制造元件载体的方法，其中，该方法包括提供多个低密度层结构、提供比多个低密度层结构具有更高的导电结构的密度的多个高密度层结构、以及交替垂直堆叠低密度层结构和高密度层结构。在本申请的上下文中，术语“元件载体”可尤其表示在其上和/或其中为提供机械支撑和电气连接能够容纳一个或多个电子元件的任何支撑结构。在本申请的上下文中，术语“导电结构”可尤其表示能够传导电流的物理结构。特别地，导电结构能够传导信号。此外，导电结构可以是连续或图案化的层，或诸如过孔或衬垫的垂直互连结构。在本申请的上下文中，术语“导电结构的密度”可尤其表示每单位体积的多个导电元件或子结构。还可以集成不同尺寸的导电元件。因此，较高数量的较小导电元件可导致比较低数量的较大导电结构或元件更高的导电结构的密度。导电结构的密度可进一步被导电元件的厚度和/或可组成导电结构的部分的衬垫或过孔的环状垫圈的尺寸影响。此外，导电结构的密度可被过孔的直径或线对线的距离影响或限定。在本申请的上下文中，术语“低密度层结构”可尤其表示每单位面积可具有比高密度层结构更小数量的导电元件或子结构的结构。低密度层结构还可表示可包括相对较大的导电元件使得低数量的这种导电元件可被集成在一个单位体积中的结构。在本申请的上下文中，术语“高密度层结构”可尤其表示每单位面积可具有比低密度层结构更大数量的导电元件的结构。高密度层结构还可表示可包括相对较小的导电元件使得高数量的这种导电元件或子结构可被集成在一个单位体积中的结构。在本申请的上下文中，术语“交替垂直堆叠”可尤其表示至少一个高密度层结构可垂直设置在两个低密度层结构中间，且至少一个低密度层结构可垂直设置在两个高密度层结构中间。理所当然的，交替垂直堆叠还可表示一个低密度层结构可设置在两个高密度层结构中间。垂直堆叠还可表示低密度层结构的两个主表面中的一个的大部分与高密度层结构的两个主表面中的一个的大部分重叠。两个主表面中的一个的大部分可尤其为大于该一个主表面的90％，进一步地尤其大于该一个主表面的95％。该重叠可能甚至明显低于给定的数字。更特别地，术语“交替垂直堆叠”可表示包括至少一个“低密度-高密度-低密度-高密度”序列的堆栈。根据本专利技术的示例实施例，元件载体可包括低密度层结构的区域，对于具有非常简单的设计规则的元件载体的大部分，每个低密度层结构都包括低密度层子结构或元件。每个都包括高密度层子结构或元件的高密度层结构可用于元件载体的区域，在该区域处电子元件连接至为具有高的扇出信号的电子元件的元件载体。因此，高密度层子结构的区域可选择性地位于真正需要连接至携带的电子元件的元件载体的区域中。在没有电子元件连接至元件载体的区域中，仅提供低密度层子结构。包括低密度层子结构的低密度层结构组成的模块可与包括高密度层子结构的高密度层结构组成的模块分开制造。在分开制造的过程中，元件载体可通过将高密度层结构组成的模块与低密度层结构组成的模块组合起来组装。多个低密度层结构与多个高密度层结构的交替垂直堆叠可具有下列优势：可实现高扇出且同时可以低成本制造元件载体。此外，由于低数量的导电元件，多个低密度层结构比多个高密度层结构更不易于出错且具有更好的冷却特性。同时，可以更好的方式保证元件载体的平面度，且可简化元件载体的厚度控制(这对后期过程尤其有利)。通过采取上述措施，可实现元件载体的整体结构的更好的稳定性，因为在高密度层结构中在没有过度增加元件载体的厚度的情况下可以处理对扇出做出大量努力。例如，在具有许多接触的大的球状矩阵排列(BGA)的方案中，仅提供高密度层结构将是有利的但将会引起高度问题。提供低密度层结构可对此做出补偿，使得整个系统保持平衡且可获得平整表面。在下文中，将说明元件载体的进一步的示例实施例和制造元件载体的方法。在实施例中，导电结构的不同密度可以是下列中的一个或多个：每单位体积导电子结构或元件的数量，与各自的高密度层结构相比，各自的低密度层结构的数量可能较低；和/或各自的低密度层结构或高密度层结构的组成的复杂度，与各自的高密度层结构相比，各自的低密度层结构的复杂度可能较低，和/或多个低密度层结构或多个高密度层结构中的各自一个组成的堆叠层子结构或元件的数量，与各自的高密度层结构相比，各自的低密度层结构的数量可能较低，和/或各自的低密度层结构或高密度层结构组成的各自的层子结构的厚度，与各自的高密度层结构相比，各自的低密度层结构的厚度可能较大，和/或各自的低密度层结构或高密度层结构组成的层子结构的一种或多种材料，和/或各自的低密度层结构或高密度层结构的高频适用性(对于高密度层结构可能存在)或缺乏高频适用性(对于低密度层结构可能存在)，和/或被限定为各自的低密度层结构或高密度层结构的每体积的子结构的数量的集成密度，与各自的高密度层结构相比，各自的低密度层结构的集成密度可能较低。关于术语，层结构(例如多层模块或层压件或其中具有多个嵌体的处理层)可由多层子结构或元件(例如连续或图案化的层或诸如过孔的布局嵌体(layoutinlay))组成。不同的低密度层结构或高密度层结构的不同的结构复杂度可对应于各自的低密度层结构或高密度层结构的导电特征和/或电绝缘特征的不同集成密度。例如，各自的低密度层结构或高密度层结构的每体积的过孔的数量可以是对此的量度。在一个元件载体中的高密度层结构和低密度层结构的结合可以变为可能。当层子结构(尤其导电层子结构和/或电绝缘层子结构)的数量对于不同的低密度层结构或高密度层结构不同时，尤其当标准层厚度对于不同的低密度层元件和高密度层元件相同时，具有较高数量的高密度层结构中的层子结构和具有较低数量的低密度层结构中的层子结构的元件载体(尤其结合不同的整体厚度)可自由组合。基本层元件或子结构的基本(或标准)厚度对于不同的低密度层结构或高密度层结构可以变化，多个基本层元件或子结构用于形成层压类型的元件载体。这可对各自的低密度层结构或高密度层结构的功能具有影响。此外，可以设置具有不同厚度的低密度层子结构和高密度层子结构的组合。甚至不同材料组合的不同低密度层结构和高密度层结构可被自由组合在共同的元件载体中。例如，适用于低密度层结构的第一材料可与适用于高密度层结构的第二材料组合。在实施例中，多本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种元件载体(100)，其包括：多个低密度层结构(120)；多个高密度层结构(110)，其比所述多个低密度层结构(120)具有更高的导电结构(131、132、171、172)的密度；其中，所述低密度层结构(120)和所述高密度层结构(110)交替垂直堆叠。

【技术特征摘要】
1.一种元件载体(100)，其包括：多个低密度层结构(120)；多个高密度层结构(110)，其比所述多个低密度层结构(120)具有更高的导电结构(131、132、171、172)的密度；其中，所述低密度层结构(120)和所述高密度层结构(110)交替垂直堆叠。2.根据权利要求1所述的元件载体(100)，其中，所述导电结构(131、132、171、172)的密度的标准说明选自包含以下组成的组：各自的低密度层结构(120)或高密度层结构(110)的每单位体积的导电元件的数量；所述各自的低密度层结构(120)或高密度层结构(110)的组成的复杂度；堆叠层子结构的数量，所述各自的低密度层结构(120)或高密度层结构(110)由所述堆叠层子结构组成；各自的堆叠层子结构的厚度，所述各自的多个低密度层结构(120)或多个高密度层结构(110)由所述各自的堆叠层子结构组成；堆叠层子结构的一种或多种材料，所述各自的多个低密度层结构(120)或多个高密度层结构(110)由所述堆叠层子结构组成；所述各自的低密度层结构(120)或高密度层结构(110)的高频适用性或缺乏高频适用性；集成密度，其被限定为所述各自的低密度层结构(120)或高密度层结构(110)的每体积的子结构的数量。3.根据权利要求1或2中任一项所述的元件载体(100)，其中，所述多个低密度层结构(120)的至少一个包括腔体；并且其中，所述多个高密度层结构(110)的至少一个被设置在所述腔体(240)中。4.根据权利要求1或2中任一项所述的元件载体(100)，其中，所述多个低密度层结构(120)的至少一个包括腔体(240)；其中，所述多个高密度层结构(110)中的至少两个被设置在所述腔体(240)中；并且其中，所述多个低密度层结构(120)的至少一个被垂直插入在所述腔体(240)中设置的所述多个高密度层结构(110)中的至少两个之间。5.根据权利要求3或4所述的元件载体(100)，其中，粘合结构(250)被设置在所述腔体(240)的表面上。6.根据权利要求1-5中任一项所述的元件载体(100)，其中，粘合结构(250)被设置在所述多个低密度层结构(120)的至少一个和所述多个高密度层结构(110)的至少一个中间。7.根据权利要求5或6所述的元件载体(100)，其中，所述粘合结构(250)包括导电粘合剂。8.根据权利要求5-7中任一项所述的元件载体(100)，其中，所述粘合结构(250)包括包含各向异性导电膜(250)和各向异性导电胶的组中的至少一个。9.根据权利要求1-8中任一项所述的元件载体(100)，其中，包含所述多个高密度层结构(110)和所述多个低密度层结构(120)的组中的至少一个包括或包含至少一个电绝缘层子结构和至少一个导电层子结构的堆栈。10.根据权利要求9所述的元件载体(100)，其中，所述至少一个电绝缘层子结构包括包含树脂尤其是双马来酰亚胺-三嗪树脂、氰酸酯、玻璃尤其是玻璃纤维预浸材料、聚酰胺、液晶聚合物、环氧基积聚膜、FR4材料、FR5材料、陶瓷和金属氧化物的组中的至少一个。11.根据权利要求9或10所述的元件载体(100)，其中，所述至少一个导电层子结构包括包含铜、铝和镍的组中的至少一个。12.根据权利要求1-11中任一项所述的元件载体(100)，其中，所述元件载体(100)成形为板。13.根据权利要求1-12中任一项所述的元件载体(100)，其中，所述元件载体(100)被配置为包含印刷电路板和基板的组中的一个。14.根据权利...

【专利技术属性】
技术研发人员：米卡埃尔·图奥米宁，
申请(专利权)人：奥特斯中国有限公司，
类型：发明
国别省市：上海,31