覆盖层、包括所述覆盖层的OLED显示面板和电子设备制造技术

本发明专利技术涉及一种设置于OLED显示面板阴极之上的覆盖层，所述覆盖层的材料包括具有式(I)结构的含N化合物。本发明专利技术采用适合用于蒸镀方式的有机小分子作为覆盖层，具有实用可行性；所述覆盖层材料的分子为对称的分子结构，有利于分子的股则排布，可以提高成膜稳定性和光学性能，此外采用含有咔唑类苯并共轭结构的三胺衍生物，材料一般吸收区在紫外波段，对可见光吸收系数小；本发明专利技术采用的覆盖层材料在430～650nm波长范围内的折射率呈递减趋势，高波段与低波段之间的差值越小，即对R/G/B三色的折射率变化小，降低对R/G/B的出光效率影响偏差，在panel上具有实用性。

Cover layer, OLED display panel including the cover layer, and electronic equipment

The invention relates to a covering layer disposed over a cathode of a OLED display panel, which comprises a N compound having a structure of formula (I). The invention adopts suitable for small organic molecules evaporation as the covering layer, has practical feasibility; the molecular covering material for molecular structure symmetry, is in favor of the shares will be arranged, can improve the film stability and optical properties, in addition to the class of benzo carbazole containing three amine derivatives conjugated structure in general, the material absorption in UV, visible light absorption coefficient of small; the invention adopts the covering layer material decreased from 430 to 650nm in the wavelength range of refraction rate was high, the difference between the band and the low band is small, the refractive index of R/G/B's rate of change is small, to reduce the R/G/B the light efficiency impact bias, is practical in panel.

【技术实现步骤摘要】
覆盖层、包括所述覆盖层的OLED显示面板和电子设备
本专利技术属于有机电致发光材料领域，涉及一种覆盖层(cappinglayer)、包括所述覆盖层的OLED显示面板和电子设备，尤其涉及一类覆盖层材料与阴极材料的组合搭配及其在有机电致发光器件中的应用。
技术介绍
顶发射OLED电致发光装置中为了让光从装置顶部发出，在有机层两侧采用了全反射阳极和半透金属阴极。而常用的阴极金属材料为铝、镁、银、镱等金属或其合金。当发出的光以一定角度从有机层到阴极时，由于膜层折射率的不同，有一部分光会发生全反射，这样就只有一部分光被利用了。为了增加顶发射电致发光装置的出光率，有文献报道在半透阴极上增加一层高折射率的材料(结构如图1所示)可以提高光利用率，此技术称为CPL技术。IBM在磷光顶发射器件的阴极上用ZnSe作覆盖层，当膜层厚度一定，使光学穿透度降至最低时，提高了器件的微腔效应，将器件的出光效率提高至1.7倍。ZnSe虽然光学性能很好，但是作为无机物，热稳定太好，熔点可达到1100℃，用蒸镀成膜的方式有困难，并不适用于常用的器件制作条件，在panel上的可用性就更低了。有人使用一些常用的OLED有机材料作为覆盖层，如CBP或者三(8-羟基喹啉)铝(Alq3)。CBP和Alq3在可见光的范围内折射率为1.7至2.0，虽然可以起到一定的提高器件出光效率的作用，但是1.7的折射率使得覆盖层的效果一般。而且Alq3在蓝光波段有一定吸收，降低蓝光器件出光效率且影响色坐标，使得蓝光色纯度不够。现有技术CN104380842A，阴极均采用Mg、Ag、Al、Ca等常用阴极金属材料，并没有做特殊的限定。但是当阴极和覆盖层的透过率偏低时，即使有覆盖层，器件的出光效率同样也不理想。
技术实现思路
针对现有技术的不足，本专利技术的目的之一在于提供一种设置于OLED显示面板阴极之上的覆盖层，所述覆盖层的材料包括具有式(I)结构的含N化合物：式(I)中，n为大于等于2的整数；B为不存在，或选自具有至少2个断键的取代或未取代的C5～C10的环烷基、取代或未取代的C6～C30的芳香基中的任意一种；当B不存在时，n为2；A1、A2均各自独立地选自氢原子、氘原子、取代或未取代的C1～C6的链状烷基、取代或未取代的C2～C6的链状烯烃基、取代或未取代的C5～C10的环烷基、取代或未取代的C6～C30的芳香基、取代或未取代的C2～C30杂环芳香基、取代或未取代的苯丙五元杂环或中的任意一种，且A1、A2中至少有一个选自取代或未取代的苯丙五元杂环或X5选自氧原子、硫原子或中的任意1种；Ar选自键接于五元环碳碳双键的取代或未取代的芳香族烃基、取代或未取代的芳香族杂环基、取代或未取代的稠合多芳香族中的任意一种。本专利技术的目的之二是提供一种OLED显示面板，包括由下到上基板、阳极、有机叠层、阴极和覆盖层，所述阴极为半透明阴极；所述覆盖层为目的之一所述的覆盖层。本专利技术目的之三是提供一种电子设备，包括目的之二所述的OLED显示面板。与现有技术相比，本专利技术具有如下有益效果：(1)本专利技术采用适合用于蒸镀方式的有机小分子作为覆盖层，具有实用可行性；所述覆盖层材料的分子为对称的分子结构，有利于分子的股则排布，可以提高成膜稳定性和光学性能，此外采用含有咔唑类苯并共轭结构的三胺衍生物，材料一般吸收区在紫外波段，对可见光吸收系数小；(2)本专利技术采用的覆盖层材料在430～650nm波长范围内的折射率呈递减趋势，高波段与低波段之间的差值越小，即对R/G/B三色的折射率变化小，降低对R/G/B的出光效率影响偏差，在panel上具有实用性。(3)本专利技术采用所述覆盖层与阴极组合，能够获得较好的透光性，确保器件的整体出光效率。附图说明图1是OLED显示面板S1的结构示意图；图2为实施例1、对比例2和对比例3所述覆盖层的折射率波长的对应图。具体实施方式为便于理解本专利技术，本专利技术列举实施例如下。本领域技术人员应该明了，所述实施例仅仅是帮助理解本专利技术，不应视为对本专利技术的具体限制。在一个具体实施方式中，本专利技术提供了一种设置于OLED显示面板阴极之上的覆盖层，所述覆盖层的材料包括具有式(I)结构的含N化合物：式(I)中，n为大于等于2的整数；B为不存在，或选自具有至少2个断键的取代或未取代的C5～C10的环烷基、取代或未取代的C6～C30的芳香基中的任意一种；当B不存在时，n为2；此时是两个对称连接的含氮苯基，具有结构。A1、A2均各自独立地选自氢原子、氘原子、取代或未取代的C1～C6的链状烷基、取代或未取代的C2～C6的链状烯烃基、取代或未取代的C5～C10的环烷基、取代或未取代的C6～C30的芳香基、取代或未取代的C2～C30杂环芳香基取代或未取代的苯丙五元杂环或中的任意一种，且A1、A2中至少有一个选自取代或未取代的苯丙五元杂环或X5选自氧原子、硫原子或中的任意1种；Ar选自键接于五元环碳碳双键的取代或未取代的芳香族烃基、取代或未取代的芳香族杂环基、取代或未取代的稠合多芳香族中的任意一种。优选地，n为大于等于2的偶数，例如4、6、8、10、12等。n代表的是基团B上取代的含氮苯基的个数，偶数个的含氮苯基能够更好的使得式(I)结构的含N化合物呈对称性，更有利于形成折射率高、R/G/B波段的光吸收少且稳定性高的cappinglayer材料，提高有机电致发光装置的出光效率。在一个优选具体实施方式中，B为不存在或取代或未取代的C6～C30的芳香基中的任意一种。在一个优选具体实施方式中，所述取代或未取代的苯丙五元杂环选自如下结构中的任意一个：R1、R2、R3、R4、R5、R6均各自独立的选自氢原子、氘原子、取代或未取代的C1～C6的链状烷基、取代或未取代的C2～C6的链状烯烃基、取代或未取代的C5～C10的环烷基、取代或未取代的C6～C30的芳香基、取代或未取代的C2～C30杂环芳香基中的任意一种。在一个具体实施方式中，A1、A2中至少有一个选自中的任意1种。示例性地，本专利技术所述具有式(I)结构的含N化合物包括如下结构：在一个具体实施方式中，所述化合物包括：中的任意1种。优选地，所述覆盖层的折射率n需要满足如下条件：450～650nm波长之间的折射率n450～650nm>1.75，且450～650nm波长之间的消光系数在0.1以下；450nm的折射率和530nm的折射率之差n450nm-n530nm<0.2；510nm的折射率和620nm的折射率之差n510nm-n620nm<0.1。满足所述覆盖层折射率n的要求的材料，能够进一步实现器件的高发光效率，同时红光、绿光、蓝光出光效率和视角更为均衡效果。在一个具体实施方式中，所述覆盖层的厚度为40～100nm，例如42nm、44nm、47nm、48nm、50nm、55nm、57nm、59nm、62nm、64nm、67nm、68nm、70nm、75nm、77nm、79nm、82nm、84nm、87nm、88nm、90nm、95nm、97nm、99nm等。在一个具体实施方式中，所述覆盖层形成于所述OLED显示面板的半透明阴极远离基板一侧之后，能够使覆盖层和半透明阴极形成的叠层对450～650nm之间的光透过率≥65％，例如68％、69％、73％、77％、本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种设置于OLED显示面板阴极之上的覆盖层，其特征在于，所述覆盖层的材料包括具有式(I)结构的含N化合物：

【技术特征摘要】
1.一种设置于OLED显示面板阴极之上的覆盖层，其特征在于，所述覆盖层的材料包括具有式(I)结构的含N化合物：式(I)中，n为大于等于2的整数；B为不存在，或选自具有至少2个断键的取代或未取代的C5～C10的环烷基、取代或未取代的C6～C30的芳香基中的任意一种；当B不存在时，n为2；A1、A2均各自独立地选自氢原子、氘原子、取代或未取代的C1～C6的链状烷基、取代或未取代的C2～C6的链状烯烃基、取代或未取代的C5～C10的环烷基、取代或未取代的C6～C30的芳香基、取代或未取代的C2～C30杂环芳香基、取代或未取代的苯丙五元杂环或中的任意一种，且A1、A2中至少有一个选自取代或未取代的苯丙五元杂环或X5选自氧原子、硫原子或中的任意1种；Ar选自键接于五元环碳碳双键的取代或未取代的芳香族烃基、取代或未取代的芳香族杂环基、取代或未取代的稠合多芳香族中的任意一种。2.如权利要求1所述的覆盖层，其特征在于，n为大于等于2的偶数。3.如权利要求1所述的覆盖层，其特征在于，B为不存在或取代或未取代的C6～C30的芳香基中的任意一种。4.如权利要求1所述的覆盖层，其特征在于，所述取代或未取代的苯丙五元杂环选自如下结构中的任意一个：R1、R2、R3、R4、R5、R6均各自独立的选自氢原子、氘原子、取代或未取代的C1～C6的链状烷基、取代或未取代的C2～C6的链状烯烃基、取代或未取代的C5～C10的环烷基、取代或未取代的C6～C30的芳香基、取代或未取代的C2～C30杂环芳香基中的任意一种。5.如权利要求1所述的覆盖层，其特征在于，A1、A2中至少有一个选自中的任意1种。6.如权利要求1所述的覆盖层，其特征在于，所述化合物包括：中的任意1种。7.如权利要求1所述的覆盖层，其特征在于，所述覆盖层的折射率n需要满足如下条件：450～650nm波长之间的折射率...

【专利技术属性】
技术研发人员：王湘成，任泓扬，何为，滨田，牛晶华，柳晨，
申请(专利权)人：上海天马有机发光显示技术有限公司，天马微电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：上海,31