一种在同一衬底上集成红绿蓝晶片的制备方法技术

本发明专利技术提供了一种在同一衬底上集成红绿蓝晶片的制备方法，其包括以下步骤：首先将磊晶衬底粗化，在衬底上涂覆蚀刻胶，将事先做好的蓝光镂空光罩板放置在蚀刻胶上进行曝光，将曝光部分去除掉，再将衬底进行蓝光磊晶生长；再二次涂布一层光刻胶，将事先做好的绿光镂空光罩板放置在蚀刻胶上进行曝光，将曝光部分去除掉，然后磊晶生长；绿光磊晶完成后再第三次涂覆蚀刻胶，将事先做好的红光镂空光罩板放置在蚀刻胶上进行曝光，将曝光部分去除掉；放到绿光外延炉里磊晶生长，将蓝绿晶片作为一体进行裂片，得到统一衬底的RGB晶片。本发明专利技术通过在同一衬底上通过涂覆蚀刻胶、曝光、蚀刻镂空分别实现红、绿、蓝晶片磊晶生长，实现RGB微型化。

An integrated on the same substrate and preparation method of Kyanite tablets

The present invention provides an integrated on the same substrate and aquamarine tablets preparation method, which comprises the following steps: firstly, epitaxial substrate roughening on the substrate coated etching adhesive, the blue mask plate hollow placed in advance of the etching glue exposure, will remove part of the exposure. The substrate of blue epitaxial growth; the two is coated in a layer of photoresist, the green hollow mask plate placed in advance of the etching glue on exposure, will remove part of the exposure, then green epitaxial epitaxial growth; after the completion of the third coating etching glue, red hollow board placed well in advance of the mask in etching glue exposure, will remove part of exposure; in green epitaxial epitaxial growth furnace, the blue chip as one of lobes, RGB wafer uniform substrate. The present invention on the same substrate by etching by coating adhesive, exposure and etching respectively red, green, hollow piece langene epitaxial growth, realize the miniaturization of RGB.

【技术实现步骤摘要】
一种在同一衬底上集成红绿蓝晶片的制备方法
本专利技术涉及到LED发光晶片
，特别是一种在同一衬底上集成红绿蓝晶片的制备方法。
技术介绍
在LED行业最实现RGB最为为常见的方式是将独立的红、绿、蓝三色晶片放在同一LED支架中或将红、绿、蓝灯珠按一定的排布方式排列在一起来实现。现有的RGB实现方式是将独立的红、绿、蓝三色晶片放在同一LED支架中或将红、绿、蓝灯珠按一定的排布方式排列在一起来实现。但是以上两种方式都无法实现RGB的微型化，无法适应未来VR、AR对高解析度画面的需求。
技术实现思路
为解决上述技术问题，本专利技术提供了一种在同一衬底上集成红绿蓝晶片的制备方法，其包括以下步骤：S1:首先将衬底粗化，在衬底上涂上一层大于10um耐高温的蚀刻胶，将事先做好的蓝光镂空光罩板放置在蚀刻胶上，通过曝光、显影、蚀刻将曝光部分去除掉；S2：再将蚀刻后的衬底放到蓝光外延炉里磊晶生长，蓝光磊晶完成后，再二次涂布一层光刻胶，将事先做好的绿光镂空光罩板放置在蚀刻胶上，通过曝光、显影、蚀刻将曝光部分去除掉；S3：然后将蚀刻后的衬底放到绿光外延炉里磊晶生长，绿光磊晶完成后再第三次涂覆蚀刻胶，将事先做好的红光镂空光罩板放置在蚀刻胶上，通过曝光、显影、蚀刻将曝光部分去除掉；S4：最后再将蚀刻后的衬底放到绿光外延炉里磊晶生长，最后通过蒸镀、电极制作、测试工艺将蓝绿晶片作为一体进行裂片，得到统一衬底的RGB晶片。本专利技术具有以下有益效果：本专利技术通过在同一衬底上通过涂覆蚀刻胶镂空分别实现红、绿、蓝晶片磊晶实现，可以实现RGB微型化。当然，实施本专利技术的任一产品并不一定需要同时达到以上所述的所有优点。附图说明为了更清楚地说明本专利技术实施例的技术方案，下面将对实施例描述所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本专利技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。图1为本专利技术提供的在同一衬底上集成红绿蓝晶片的制备方法流程示意图。具体实施方式下面将结合本专利技术实施例中的附图，对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其它实施例，都属于本专利技术保护的范围。如图1所示，本专利技术实施例提供了一种在同一衬底上集成红绿蓝晶片的制备方法，其包括以下步骤：S1:首先将衬底粗化，在衬底上涂上一层大于10um耐高温的蚀刻胶(光刻胶)，将事先做好的蓝光镂空光罩板放置在蚀刻胶(光刻胶)上，通过曝光、显影、蚀刻(光刻)将曝光部分去除掉；S2：再将蚀刻(光刻)后的衬底放到蓝光外延炉里磊晶生长，蓝光磊晶完成后，再二次涂布一层光刻胶，将事先做好的绿光镂空光罩板放置在蚀刻胶(光刻胶)上，通过曝光、显影、蚀刻(光刻)将曝光部分去除掉；S3：然后将蚀刻(光刻)后的衬底放到绿光外延炉里磊晶生长，绿光磊晶完成后再第三次涂覆蚀刻胶(光刻胶)，将事先做好的红光镂空光罩板放置在蚀刻胶(光刻胶)上，通过曝光、显影、蚀刻(光刻)将曝光部分去除掉；S4：最后再将蚀刻(光刻)后的衬底放到绿光外延炉里磊晶生长，最后通过蒸镀、电极制作、测试工艺将蓝绿晶片作为一体进行裂片，得到统一衬底的RGB晶片。本专利技术通过在同一衬底上通过涂覆蚀刻胶(光刻胶)镂空分别实现红、绿、蓝晶片磊晶实现，可以实现RGB微型化。以上公开的本专利技术优选实施例只是用于帮助阐述本专利技术。优选实施例并没有详尽叙述所有的细节，也不限制该专利技术仅为所述的具体实施方式。显然，根据本说明书的内容，可作很多的修改和变化。本说明书选取并具体描述这些实施例，是为了更好地解释本专利技术的原理和实际应用，从而使所属
技术人员能很好地理解和利用本专利技术。本专利技术仅受权利要求书及其全部范围和等效物的限制。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种在同一衬底上集成红绿蓝晶片的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：S1:首先将衬底粗化，在衬底上涂上一层大于10um耐高温的蚀刻胶，将事先做好的蓝光镂空光罩板放置在蚀刻胶上，通过曝光、显影、蚀刻将曝光部分去除掉；S2：再将蚀刻后的衬底放到蓝光外延炉里磊晶生长，蓝光磊晶完成后，再二次涂布一层光刻胶，将事先做好的绿光镂空光罩板放置在蚀刻胶上，通过曝光、显影、蚀刻将曝光部分去除掉；S3：然后将蚀刻后的衬底放到绿光外延炉里磊晶生长，绿光磊晶完成后再第三次涂覆蚀刻胶，将事先做好的红光镂空光罩板放置在蚀刻胶上，通过曝光、显影、蚀刻将曝光部分去除掉；S4：最后再将蚀刻后的衬底放到绿光外延炉里磊晶生长，最后通过蒸镀、电极制作、测试工艺将蓝绿晶片作为一体进行裂片，得到统一衬底的RGB晶片。

【技术特征摘要】
1.一种在同一衬底上集成红绿蓝晶片的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：S1:首先将衬底粗化，在衬底上涂上一层大于10um耐高温的蚀刻胶，将事先做好的蓝光镂空光罩板放置在蚀刻胶上，通过曝光、显影、蚀刻将曝光部分去除掉；S2：再将蚀刻后的衬底放到蓝光外延炉里磊晶生长，蓝光磊晶完成后，再二次涂布一层光刻胶，将事先做好的绿光镂空光罩板放置在蚀刻胶...

【专利技术属性】
技术研发人员：丁磊，彭友，陈龙，
申请(专利权)人：安徽连达光电科技有限公司，
类型：发明
国别省市：安徽,34