A photovoltaic device includes a light source and a photovoltaic device, the photovoltaic device includes a semiconductor substrate, the optical gain of low resistivity in the insulating layer, the insulating layer exposes the low resistivity semiconductor substrate optical gain part of the opening, the graphene layer, a first electrode and a second electrode, wherein the low light resistance gain on the semiconductor substrate, the graphene layer part located in the opening of the low resistivity semiconductor optical gain, the other part is positioned on the insulating layer and the first electrode is disposed in the opening, and a portion of the optical gain the low resistivity semiconductor substrate contact, on the other a part of contact with the graphene layer and the second electrode is positioned on the insulating layer and the graphene layer, the part with the graphene layer, and the other part of the insulating layer in contact, among them, the light The energy of the source emission light is greater than the low resistance optical gain band gap of the semiconductor substrate. The photovoltaic device of the invention has simple structure and small size, and has potential applications in micro nano devices and flexible devices.
【技术实现步骤摘要】
一种光伏装置以及一种产生光伏效应的方法
本专利技术属于半导体
,尤其涉及一种光伏装置以及一种产生光伏效应的方法。
技术介绍
自从1947年贝尔实验室的科学家巴丁(JohnBardeen)和布拉顿(WalterBrattain)专利技术了半导体晶体管之后,PN结作为现代半导体器件的基本结构单元在现代半导体光电组件和系统中得到了广泛的应用。基于PN结原理的光伏效应,贝尔实验室于1954年第一次做出了光电转换效率为6%的实用单晶硅光伏电池,开创了光伏发电的新纪元。半个多世纪以来,所有开发和利用的光伏器件都遵循这一原理。但是,传统半导体PN结复杂的器件工艺和较大的器件尺寸限制了其广泛应用,尤其在微纳器件和柔性器件的应用中有较大的局限性。
技术实现思路
因此,本专利技术的目的在于克服上述现有技术的缺陷,提供一种光伏装置,包括光源和光伏器件,所述光伏器件包括低阻光增益半导体衬底、位于所述低阻光增益半导体衬底上的绝缘层、所述绝缘层的暴露出所述低阻光增益半导体衬底的一部分的开口、石墨烯层、第一电极和第二电极,其中,所述石墨烯层的一部分位于所述开口中的所述低阻光增益半导体上,另一部分位于所述绝缘层上,所述第一电极位于所述开口中,其一部分与所述低阻光增益半导体衬底接触,另一部分与所述石墨烯层接触,所述第二电极位于所述绝缘层和所述石墨烯层上,其一部分与所述石墨烯层接触,另一部分与所述绝缘层接触,其中,所述光源发射的光的能量大于所述低阻光增益半导体衬底的带隙。根据本专利技术的光伏装置,优选地,所述低阻光增益半导体衬底为低阻有机半导体或低阻无机半导体。根据本专利技术的光伏装置,优 ...
【技术保护点】
一种光伏装置,包括光源和光伏器件,所述光伏器件包括低阻光增益半导体衬底、位于所述低阻光增益半导体衬底上的绝缘层、所述绝缘层的暴露出所述低阻光增益半导体衬底的一部分的开口、石墨烯层、第一电极和第二电极,其中,所述石墨烯层的一部分位于所述开口中的所述低阻光增益半导体上,另一部分位于所述绝缘层上,所述第一电极位于所述开口中,其一部分与所述低阻光增益半导体衬底接触,另一部分与所述石墨烯层接触,所述第二电极位于所述绝缘层和所述石墨烯层上,其一部分与所述石墨烯层接触,另一部分与所述绝缘层接触,其中,所述光源发射的光的能量大于所述低阻光增益半导体衬底的带隙。
【技术特征摘要】
1.一种光伏装置,包括光源和光伏器件,所述光伏器件包括低阻光增益半导体衬底、位于所述低阻光增益半导体衬底上的绝缘层、所述绝缘层的暴露出所述低阻光增益半导体衬底的一部分的开口、石墨烯层、第一电极和第二电极,其中,所述石墨烯层的一部分位于所述开口中的所述低阻光增益半导体上,另一部分位于所述绝缘层上,所述第一电极位于所述开口中,其一部分与所述低阻光增益半导体衬底接触,另一部分与所述石墨烯层接触,所述第二电极位于所述绝缘层和所述石墨烯层上,其一部分与所述石墨烯层接触,另一部分与所述绝缘层接触,其中,所述光源发射的光的能量大于所述低阻光增益半导体衬底的带隙。2.根据权利要求1所述的光伏装置,其中,所述低阻光增益半导体衬底为低阻有机半导体或低阻无机半导体。3.根据权利要求1所述的光伏装置,其中,所述低阻光增益半导体衬底为单一块体或多层半导体薄膜。4.根据权利要求3所述的光伏装置,其中,...
【专利技术属性】
技术研发人员:郭丽伟,杨军伟,陈小龙,
申请(专利权)人:中国科学院物理研究所,
类型:发明
国别省市:北京,11
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