离子注入工具以及离子注入方法技术

一种离子注入工具包括工艺室、压板、离子源、以及多个控制单元。压板存在于工艺室中并且被配置成保持晶圆。离子源被配置成将离子束提供至晶圆上。控制单元存在于压板上并且被配置成施加多个物理场，该物理场能够影响离子束的离子至晶圆上的运动。

Ion implantation tool and ion implantation method

An ion implantation tool includes a process chamber, a press plate, an ion source, and a plurality of control units. The platen exists in the process chamber and is configured to hold the wafer. The ion source is configured to provide the ion beam to the wafer. The control unit in the plate and is configured to a plurality of physical field, the physical field can affect the movement of ions to the wafer by ion beam.

【技术实现步骤摘要】
离子注入工具以及离子注入方法
本专利技术实施例涉及离子注入工具以及离子注入方法。
技术介绍
在半导体器件中形成的IC的增大的密度已经驱动了集成电路(IC)的制造。这通常是通过实施更积极的设计规则，以允许更大密度的IC器件形成来实现的。尽管如此，诸如晶体管的IC器件的增加的密度也增加了处理具有降低的部件尺寸的半导体器件的复杂度。
技术实现思路
根据本专利技术的一些实施例，提供了一种离子注入工具，包括：工艺室；压板，存在于所述工艺室中并且被配置成保持晶圆；离子源，被配置成将离子束提供至所述晶圆上；以及多个控制单元，存在于所述压板上并且被配置成施加多个物理场，所述物理场能够影响所述离子束的离子至所述晶圆上的运动。根据本专利技术的另一些实施例，还提供了一种离子注入工具，包括：工艺室；压板，存在于所述工艺室中并且被配置成保持晶圆；离子源，被配置成将离子束提供至晶圆上；至少一个第一无源元件，存在于所述压板上；至少一个第一驱动单元，被配置成驱动所述第一无源元件以产生能够影响所述离子束的离子至所述晶圆上的运动的第一场；至少一个第二无源元件，存在于所述压板上；以及至少一个第二驱动动单元，被配置成驱动所述第二无源元件以产生能够影响所述离子束的离子至所述晶圆上的运动的第二场。根据本专利技术的又一些实施例，还提供了一种离子注入方法，包括：将离子束提供至晶圆上；以及施加能够影响所述离子束的离子分别至所述晶圆的多个区域上的运动的多个物理场。附图说明当结合附图进行阅读时，根据下面详细的描述可以最佳地理解本专利技术的方面。应该强调的是，根据工业中的标准实践，各个部件未按比例绘制。实际上，为了清楚地讨论，各个部件的尺寸可以任意地增加或减少。图1是根据本专利技术的一些实施例的离子注入工具的侧视图。图2是根据本专利技术的一些实施例在图1中示出的离子注入工具的压板的正视图，其中通过压板保持的晶圆未示出。图3是根据本专利技术的一些实施例的离子注入工具的压板的正视图，其中通过压板保持的晶圆未示出。图4是根据本专利技术的一些实施例的沿在图3中示出的线4-4截取的截面图。图5是根据本专利技术的一些实施例的在图3中示出的区域5的放大图。图6是根据本专利技术的一些实施例的离子注入工艺的操作的流程图。图7是根据本专利技术的一些实施例的离子注入工具的压板的截面图，其中该截面是沿与图4的例子中的压板的相似平面截取的。图8是根据本专利技术的一些实施例的离子注入工具的压板的截面图，其中该截面是沿与图4的例子中的压板的相似平面截取的。图9是根据本专利技术的一些实施例的离子注入工具的压板的正视图，其中通过压板保持的晶圆未示出。图10是根据本专利技术的一些实施例的沿在图9中示出的线10-10截取的截面图。图11是根据本专利技术的一些实施例的离子注入工具的压板的截面图，其中该截面是沿与图10的例子中的压板的相似平面截取的。图12是根据本专利技术的一些实施例的离子注入工具的压板的截面图，其中该截面是沿与图10的例子中的压板的相似平面截取的。具体实施方式以下公开内容提供了许多用于实现本专利技术的不同特征的不同实施例或实例。以下描述组件和布置的具体实例以简化本专利技术。当然，这些仅仅是实例而不旨在限制。例如，在下面的描述中第一部件在第二部件上方或者在第二部件上的形成可以包括其中第一部件和第二部件以直接接触形成的实施例，并且也可以包括其中可以在第一部件和第二部件之间形成额外的部件，使得第一和第二部件可以不直接接触的实施例。而且，本专利技术在各个实例中可以重复参考数字和/或字母。该重复是出于简明和清楚的目的，而其本身并未指示所讨论的各个实施例和/或配置之间的关系。本文中所使用的术语是仅用于描述特定实施例的目的，而不是为了限制本专利技术。如本文中所使用的，除非上下文清楚地表明，否则单数“一”，“一个”和“该”旨在也包括复数形式。应当进一步理解，当在本专利技术中使用术语“包括”和/或“包含”，或“包括”和/或“包括”或“具有”和/或“有”时，指定阐述的部件、区域、整数、步骤、操作、元件、和/或组件的存在，但不排除附加的一个或多个其他部件、区域、整数、步骤、操作、元件、组件和/或它们的组的存在。而且，为便于描述，在此可以使用诸如“在...之下”、“在...下方”、“下部”、“在...之上”、“上部”等空间相对术语，以描述如图所示的一个元件或部件与另一个(或另一些)原件或部件的关系。除了图中所示的方位外，空间相对位置术语旨在包括器件在使用或操作中的不同方位。装置可以以其他方式定向(旋转90度或在其他方位上)，并且本文使用的空间相对描述符可以同样地作相应的解释。除非另有规定，在此使用的所有术语(包括技术术语和科学术语)具有如本专利技术所属领域的普通技术人员通常理解的相同的含义。还应该理解，诸如常用字典定义的那些术语应该解释为具有与它们在相关领域和本专利技术的上下文中的含义一致的含义，而不应该解释为理想化的或过于正式的含义，除非本文明确地加以定义。参考图1和图2。图1是根据本专利技术的一些实施例的离子注入工具100的侧视图。图2是根据本专利技术的一些实施例在图1中示出的离子注入工具100的压板104的正视图，其中通过压板104保持的晶圆105未示出。离子注入工具100包括工艺室101、压板104、离子源102、以及控制单元108。压板104存在于工艺室101中并且被配置成保持晶圆，例如，上文提及的晶圆105。离子源102被配置成将离子束103提供至晶圆105上，其中离子束103包括正离子或负离子。控制单元108存在于压板104上并且被配置成施加多个物理场，该物理场能够影响至晶圆105上的离子束103的离子的运动。此外，在一些实施例中，为了产生物理场，控制单元108在压板104的面向晶圆105的表面106附近布置成阵列。在一些实施例中，在压板104的面向晶圆105的表面106上产生物理场，其中物理场通过超距作用影响离子束103的离子的运动。在离子注入工艺期间，在由离子源102提供的离子束103的离子到达晶圆105之前，离子束103的离子的运动受到物理场的影响。因此，离子束103的离子至晶圆105上的分配能够通过物理场控制。此外，可通过物理场更均匀地控制离子束103，使得在离子束103的边缘处的束均匀性提高，从而提高离子注入工艺的注入质量。提供以下描述以解释物理场如何影响至晶圆105上的离子束103的离子的运动。图3是根据本专利技术的一些实施例的离子注入工具200的压板104的正视图，其中通过压板104保持的晶圆(例如，上文提及的晶圆105)未示出。图4是根据本专利技术的一些实施例的沿在图3中示出的线4-4截取的截面图。如图3和图4所示，控制单元108包括电极110和电势供应器112。电极110存在于压板104上，并且电势供应器112电连接至电极110中的至少一个。在一些实施例中，多个电极110电连接至电势供应器112，并且其他的电极110电连接至地电势。通过此配置，当电势供应器112为电连接至其上的电极110提供正电势时，在压板104的表面106上产生物理场。以不同的方法解释，由于通过正电势产生物理场，因此物理场中的至少一个是电场。在这种涉及产生电场的实施例中，离子束103的离子的运动被电场影响。在一些实施例中，控制单元108中的至少一个被视为电势供应器，其中，电势供应器被配置成产生电场中的至本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种离子注入工具，包括：工艺室；压板，存在于所述工艺室中并且被配置成保持晶圆；离子源，被配置成将离子束提供至所述晶圆上；以及多个控制单元，存在于所述压板上并且被配置成施加多个物理场，所述物理场能够影响所述离子束的离子至所述晶圆上的运动。

【技术特征摘要】
2015.10.28 US 14/925,8751.一种离子注入工具，包括：工艺室；压板，存在于所述工艺室中并且被配置成...

【专利技术属性】
技术研发人员：李圣伟，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾,71