高强度防磁卡套及其制备方法技术

本发明专利技术公开了一种高强度防磁卡套及其制备方法，该高强度防磁卡套的制备方法包括：1)将聚乙烯、乙烯‑乙烯醇共聚物、纳米硫酸钡、纳米氧化钆、硫酸钙晶须、二硫化二苯并噻唑、硅灰石粉、氮化硅和氯丙基三甲氧基硅烷进行混炼以制得混炼物；2)将松香季戊四醇酯、钛酸钾晶须、麦麸、腈纶铜络合纤维、木质纤维与混炼物进行混炼、成型以制得高强度防磁卡套。通过该方法制得的该高强度防磁卡套具有优异的抗磁性能和力学性能，同时该制备方法具有原料易得、工序简单以及易于推广的特性。

High strength magnetic card sleeve and preparation method thereof

The invention discloses a high strength magnetic card and its preparation method, the high strength magnetic card set preparation method comprises the following steps: 1) will polyethylene, ethylene vinyl alcohol copolymer, nano barium sulfate, gadolinium oxide, calcium sulfate whisker, two vulcanized two benzothiazole, wollastonite powder, silicon nitride chlorine and propyltrimethoxysilane mixing to prepare mixing material; 2) rosin pentaerythritol ester, potassium titanate whisker, wheat bran, acrylic fiber, wood fiber and copper complex mixing material mixing, molding to produce high strength magnetic card set. The high strength magnetic manufactured by the method ferrule has excellent mechanical properties and water resistance properties, and the preparation method has easily obtained raw materials, simple process and easy popularization.

【技术实现步骤摘要】
高强度防磁卡套及其制备方法
本专利技术涉及卡套，具体地，涉及高强度防磁卡套及其制备方法。
技术介绍
卡套是卡片的保护套，主要起到保护卡片的作用，如防潮、防水、防折断等。现有的卡套大部分是高分子卡套，基本能够满足防潮、防水、防折断的功能。但是现有的卡片大部分是磁卡，如银行卡、校园卡、身份证等均是带有芯片或者磁条的。磁条卡使用中会受到诸多外界磁场因素的干扰，经常存在消磁的情况：如磁条卡在钱包、皮夹中距离磁扣太近，甚至与磁扣发生接触；与女士皮包、男士手包磁扣太近或接触；与带磁封条的通讯录、笔记本接触；与手机套上的磁扣、汽车钥匙等磁性物体接触；与手机等能够产生电磁辐射的设备长时间放在一起；与电视机、收录机等有较强磁场效应的家用电器距离过近；在超市使用时，与超市中防盗用的消磁设备距离太近甚至接触；多张磁条卡放在一起时，两张卡的磁条互相接触。但是，现有的卡套往往不能有效地起到防磁的功能，进而使得卡片产生消磁现象，导致芯片中数据遗失。
技术实现思路
本专利技术的目的是提供一种高强度防磁卡套及其制备方法，通过该方法制得的该高强度防磁卡套具有优异的抗磁性能和力学性能，同时该制备方法具有原料易得、工序简单以及易于推广的特性。为了实现上述目的，本专利技术提供了一种高强度防磁卡套的制备方法，包括：1)将聚乙烯、乙烯-乙烯醇共聚物、纳米硫酸钡、纳米氧化钆、硫酸钙晶须、二硫化二苯并噻唑、硅灰石粉、氮化硅和氯丙基三甲氧基硅烷进行混炼以制得混炼物；2)将松香季戊四醇酯、钛酸钾晶须、麦麸、腈纶铜络合纤维、木质纤维与混炼物进行混炼、成型以制得高强度防磁卡套。本专利技术还提供了一种高强度防磁卡套，该高强度防磁卡套通过上述的制备方法制备而得。在上述技术方案中，本专利技术通过各步骤以及各原料的协同作用，使得制得的高强度防磁卡套具有优异的的抗磁性能和力学性能，同时该制备方法具有原料易得、工序简单以及易于推广的特性。本专利技术的其他特征和优点将在随后的具体实施方式部分予以详细说明。具体实施方式以下对本专利技术的具体实施方式进行详细说明。应当理解的是，此处所描述的具体实施方式仅用于说明和解释本专利技术，并不用于限制本专利技术。本专利技术提供了一种高强度防磁卡套的制备方法，包括：1)将聚乙烯、乙烯-乙烯醇共聚物、纳米硫酸钡、纳米氧化钆、硫酸钙晶须、二硫化二苯并噻唑、硅灰石粉、氮化硅和氯丙基三甲氧基硅烷进行混炼以制得混炼物；2)将松香季戊四醇酯、钛酸钾晶须、麦麸、腈纶铜络合纤维、木质纤维与混炼物进行混炼、成型以制得高强度防磁卡套。在本专利技术的步骤1)中，各物料的用量可以在宽的范围内选择，但是为了使制得的高强度防磁卡套具有更优异的的抗磁性能和力学性能，优选地，在步骤1)中，相对于100重量份的聚乙烯，乙烯-乙烯醇共聚物的用量为47-56重量份，纳米硫酸钡的用量为11-14重量份，纳米氧化钆的用量为0.8-1.6重量份，硫酸钙晶须的用量为3-7重量份，二硫化二苯并噻唑的用量为21-28重量份，硅灰石粉的用量为14-21重量份，氮化硅的用量为3-5重量份，氯丙基三甲氧基硅烷的用量为22-27重量份。在本专利技术的步骤1)中，纳米硫酸钡与纳米氧化钆的粒径可以在宽的范围内选择，但是为了使制得的高强度防磁卡套具有更优异的的抗磁性能和力学性能，优选地，在步骤1)中，纳米硫酸钡与纳米氧化钆各自独立地满足以下条件：粒径为20-40nm。在本专利技术的步骤1)中，硫酸钙晶须的尺寸可以在宽的范围内选择，但是为了使制得的高强度防磁卡套具有更优异的的抗磁性能和力学性能，优选地，在步骤1)中，硫酸钙晶须满足以下条件：直径为1-8um，长度为30-200um。在本专利技术的步骤1)中，混炼的条件可以在宽的范围内选择，但是为了使制得的高强度防磁卡套具有更优异的的抗磁性能和力学性能，优选地，在步骤1)中，混炼满足以下条件：混炼温度为215-230℃，混炼时间为4-6h。在本专利技术的步骤2)中，各物料的用量可以在宽的范围内选择，但是为了使制得的高强度防磁卡套具有更优异的的抗磁性能和力学性能，优选地，在步骤2)中，相对于100重量份的混炼物，松香季戊四醇酯的用量为34-55重量份，钛酸钾晶须的用量为4-11重量份，麦麸的用量为42-48重量份，腈纶铜络合纤维的用量为10-18重量份，木质纤维的用量为12-19重量份。在本专利技术的步骤2)中，钛酸钾晶须的尺寸可以在宽的范围内选择，但是为了使制得的高强度防磁卡套具有更优异的的抗磁性能和力学性能，优选地，在步骤2)中，钛酸钾晶须满足以下条件：直径为0.2-1.2um，长度为10-100um。在本专利技术的步骤2)中，腈纶铜络合纤维的尺寸可以在宽的范围内选择，但是为了使制得的高强度防磁卡套具有更优异的的抗磁性能和力学性能，优选地，在步骤2)中，腈纶铜络合纤维至少满足以下条件：直径为10-20um。在本专利技术的步骤2)中，木质纤维的尺寸可以在宽的范围内选择，但是为了使制得的高强度防磁卡套具有更优异的的抗磁性能和力学性能，优选地，在步骤2)中，木质纤维至少满足以下条件：直径为25-45um。在本专利技术的步骤2)中，混炼的条件可以在宽的范围内选择，但是为了使制得的高强度防磁卡套具有更优异的的抗磁性能和力学性能，优选地，在步骤2)中，所述混炼满足以下条件：混炼温度为205-210℃，混炼时间为40-80min。本专利技术还提供了一种高强度防磁卡套，该高强度防磁卡套通过上述的制备方法制备而得。以下将通过实施例对本专利技术进行详细描述。实施例11)将聚乙烯、乙烯-乙烯醇共聚物、纳米硫酸钡(粒径为30nm)、纳米氧化钆(粒径为30nm)、硫酸钙晶须(直径为5um，长度为100um)、二硫化二苯并噻唑、硅灰石粉、氮化硅和氯丙基三甲氧基硅烷按照100：50：12：1.2：5：25：18：4：25的重量比于220℃下进行混炼5h以制得混炼物；2)将混炼物、松香季戊四醇酯、钛酸钾晶须(直径为0.8um，长度为70um)、麦麸、腈纶铜络合纤维(直径为15um)、木质纤维(直径为35um)按照100：45：8：44：16：17的重量比于208℃下进行混炼50min、挤出成型以制得高强度防磁卡套A1。实施例21)将聚乙烯、乙烯-乙烯醇共聚物、纳米硫酸钡(粒径为20nm)、纳米氧化钆(粒径为20nm)、硫酸钙晶须(直径为1um，长度为30um)、二硫化二苯并噻唑、硅灰石粉、氮化硅和氯丙基三甲氧基硅烷按照100：47：11：0.8：3：21：14：3：22的重量比于215℃下进行混炼4h以制得混炼物；2)将混炼物、松香季戊四醇酯、钛酸钾晶须(直径为0.2um，长度为10um)、麦麸、腈纶铜络合纤维(直径为10um)、木质纤维(直径为25um)按照100：34：4：42：10：12的重量比于205℃下进行混炼40min、挤出成型以制得高强度防磁卡套A2。实施例31)将聚乙烯、乙烯-乙烯醇共聚物、纳米硫酸钡(粒径为40nm)、纳米氧化钆(粒径为40nm)、硫酸钙晶须(直径为8um，长度为200um)、二硫化二苯并噻唑、硅灰石粉、氮化硅和氯丙基三甲氧基硅烷按照100：56：14：1.6：7：28：21：5：27的重量比于230℃下进行混炼6h以制得混炼物；2)将混炼物、松香季戊四醇酯、钛酸钾晶须(直径为1.2um，长度为100um)、麦麸、腈纶铜络本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种高强度防磁卡套的制备方法，其特征在于，包括：1)将聚乙烯、乙烯‑乙烯醇共聚物、纳米硫酸钡、纳米氧化钆、硫酸钙晶须、二硫化二苯并噻唑、硅灰石粉、氮化硅和氯丙基三甲氧基硅烷进行混炼以制得混炼物；2)将松香季戊四醇酯、钛酸钾晶须、麦麸、腈纶铜络合纤维、木质纤维与所述混炼物进行混炼、成型以制得所述高强度防磁卡套。

【技术特征摘要】
1.一种高强度防磁卡套的制备方法，其特征在于，包括：1)将聚乙烯、乙烯-乙烯醇共聚物、纳米硫酸钡、纳米氧化钆、硫酸钙晶须、二硫化二苯并噻唑、硅灰石粉、氮化硅和氯丙基三甲氧基硅烷进行混炼以制得混炼物；2)将松香季戊四醇酯、钛酸钾晶须、麦麸、腈纶铜络合纤维、木质纤维与所述混炼物进行混炼、成型以制得所述高强度防磁卡套。2.根据权利要求1所述的制备方法，其中，在步骤1)中，相对于100重量份的所述聚乙烯，所述乙烯-乙烯醇共聚物的用量为47-56重量份，所述纳米硫酸钡的用量为11-14重量份，所述纳米氧化钆的用量为0.8-1.6重量份，所述硫酸钙晶须的用量为3-7重量份，所述二硫化二苯并噻唑的用量为21-28重量份，所述硅灰石粉的用量为14-21重量份，所述氮化硅的用量为3-5重量份，所述氯丙基三甲氧基硅烷的用量为22-27重量份。3.根据权利要求2所述的制备方法，其中，在步骤1)中，所述纳米硫酸钡与纳米氧化钆各自独立地满足以下条件：粒径为20-40nm。4.根据权利要求2所述的制备方法，其中，在步骤1)中，所述硫酸钙晶须满足以下条件：直径为1-8um，长度为30-200...

【专利技术属性】
技术研发人员：杨潘，李军，唐锲，王飞，
申请(专利权)人：安徽达尔智能控制系统股份有限公司，
类型：发明
国别省市：安徽,34