阵列基板及其制造方法、掩膜版、显示装置制造方法及图纸

本发明专利技术公开一种阵列基板及其制造方法、掩膜版、显示装置，属于显示技术领域。阵列基板包括：衬底基板以及依次设置在衬底基板上的像素电极、栅极、栅绝缘层、源漏极层、钝化层和像素连接线，源漏极层包括源极和漏极，栅绝缘层上设置有第一孔状结构，钝化层位于第一孔状结构内的部分设置有第二孔状结构，钝化层位于第一孔状结构外的部分设置有漏极过孔，第二孔状结构的侧壁与第一孔状结构的侧壁不接触，像素连接线通过第二孔状结构和漏极过孔将像素电极与漏极连接，本发明专利技术解决了显示装置容易出现暗线不良的问题，达到了避免显示装置出现暗线不良的效果。本发明专利技术用于显示装置。

Array substrate and manufacturing method thereof, mask plate and display device

The invention discloses an array substrate and a manufacturing method thereof, a mask plate and a display device, belonging to the display technology field. The array substrate includes a substrate and a pixel electrode are sequentially arranged on a substrate, a gate electrode, a gate insulating layer, a source drain electrode layer, a passivation layer and a pixel connecting line, source drain layer including a source electrode and a drain electrode, a gate insulating layer is arranged on the first hole structure, a passivation layer located in the hole within the structure part is provided with a second hole structure, the passivation layer is located on the first hole structure outside part is provided with a drain hole, the side wall of the side wall and the first hole shaped structure second hole shaped structure does not contact the pixel connection line through the second hole structure and drain holes to the pixel electrode and the drain is connected, the invention solves the display device prone to dark defects, to avoid adverse effects appear dark line display device. The invention is used in a display device.

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及显示
，特别涉及一种阵列基板及其制造方法、掩膜版、显示装置。
技术介绍
液晶显示装置(英文：LiquidCrystalDisplay；简称：LCD)是一种应用广泛的显示装置，其主要部件为液晶面板，液晶面板包括对盒成形的阵列基板和彩膜基板，以及充填在阵列基板和彩膜基板之间的液晶，阵列基板中设置有薄膜晶体管(英文：(ThinFilmTransistor；简称：TFT)，LCD通过公共电极以及与TFT连接的像素电极产生电场来控制液晶偏转，实现图像显示。请参考图1，其示出了相关技术提供的一种阵列基板0的结构示意图，参见图1，阵列基板0包括：衬底基板01以及依次设置在衬底基板01上的像素电极02、栅极03、栅绝缘层04、有源层05、源漏极层06、钝化层07和像素连接线08，像素电极02与栅极03位于同一层，源漏极层06包括源极061和漏极062，栅绝缘层04上设置有第一过孔(图1中未标出)，钝化层07上设置有漏极过孔(图1中未标出)和第二过孔(图1中未标出)，第二过孔与第一过孔在钝化层07与栅绝缘层04的交界处连通，像素连接线08通过漏极过孔、第二过孔和第一过孔将像素电极02与漏极062连接。其中，第二过孔和第一过孔通过一次构图工艺形成。在实现本专利技术的过程中，专利技术人发现相关技术至少存在以下问题：钝化层与栅绝缘层的材质不同，使得在形成第二过孔和第一过孔的过程中，钝化层与栅绝缘层的刻蚀速率不同，从而钝化层与栅绝缘层的交界处容易形成缺口，像素连接线在钝化层与栅绝缘层的交界处容易发生断裂，导致相应的子像素无法实现图像显示，显示装置在显示的过程中容易出现暗线不良。
技术实现思路
为了解决显示装置容易出现暗线不良的问题，本专利技术提供一种阵列基板及其制造方法、掩膜版、显示装置。所述技术方案如下：第一方面，提供一种阵列基板，所述阵列基板包括：衬底基板，以及设置在所述衬底基板上的显示单元；所述显示单元包括：依次设置在所述衬底基板上的像素电极、栅极、栅绝缘层、源漏极层、钝化层和像素连接线，所述源漏极层包括源极和漏极，所述栅绝缘层上设置有第一孔状结构，所述钝化层位于所述第一孔状结构内的部分设置有第二孔状结构，所述钝化层位于所述第一孔状结构外的部分设置有漏极过孔，所述第二孔状结构的侧壁与所述第一孔状结构的侧壁不接触，所述像素连接线通过所述第二孔状结构和所述漏极过孔将所述像素电极与所述漏极连接。可选地，所述显示单元还包括：设置在所述栅绝缘层上的有源层，所述有源层在所述衬底基板上的正投影与所述栅极在所述衬底基板上的正投影存在重叠区域，所述源极和所述漏极分别与所述有源层接触。可选地，所述栅极与所述像素电极位于同一层；所述像素连接线的形成材料与所述像素电极的形成材料相同。第二方面，提供一种阵列基板的制造方法，所述方法包括：在衬底基板上形成显示单元，所述显示单元包括：依次形成在所述衬底基板上的像素电极、栅极、栅绝缘层、源漏极层、钝化层和像素连接线，所述源漏极层包括源极和漏极，所述栅绝缘层上形成有第一孔状结构，所述钝化层位于所述第一孔状结构内的部分形成有第二孔状结构，所述钝化层位于所述第一孔状结构外的部分形成有漏极过孔，所述第二孔状结构的侧壁与所述第一孔状结构的侧壁不接触，所述像素连接线通过所述第二孔状结构和所述漏极过孔将所述像素电极与所述漏极连接。可选地，所述在衬底基板上形成显示单元，包括：在所述衬底基板上依次形成所述像素电极、所述栅极和所述栅绝缘层；通过一次构图工艺在所述栅绝缘层上形成所述第一孔状结构；在形成有所述栅绝缘层的衬底基板上依次形成所述源漏极层和所述钝化层，所述钝化层部分位于所述第一孔状结构内；通过一次构图工艺在所述钝化层上形成所述第二孔状结构和所述漏极过孔，所述第二孔状结构位于所述第一孔状结构内，所述漏极过孔位于所述第一孔状结构外，且所述第二孔状结构的侧壁与所述第一孔状结构的侧壁不接触；在形成有所述钝化层的衬底基板上形成所述像素连接线，所述像素连接线通过所述第二孔状结构和所述漏极过孔将所述像素电极与所述漏极连接。可选地，所述显示单元还包括：设置在所述栅绝缘层上的有源层，在所述衬底基板上依次形成所述像素电极、所述栅极和所述栅绝缘层之后，所述方法还包括：在形成有所述栅绝缘层的衬底基板上形成所述有源层，所述有源层在所述衬底基板上的正投影与所述栅极在所述衬底基板上的正投影存在重叠区域；所述在形成有所述栅绝缘层的衬底基板上依次形成所述源漏极层和所述钝化层，包括：在形成有所述有源层的衬底基板上依次形成所述源漏极层和所述钝化层，所述源极和所述漏极分别与所述有源层接触。可选地，所述显示单元还包括：设置在所述栅绝缘层上的有源层，所述在衬底基板上形成显示单元，包括：在所述衬底基板上依次形成所述像素电极、所述栅极、所述栅绝缘层、初始有源层、源漏极材质层和光刻胶层；采用第一掩膜版对形成有所述光刻胶层的衬底基板依次进行曝光、显影后得到光刻胶图形，所述光刻胶图形包括：第一光刻胶区域、第二光刻胶区域、第三光刻胶区域和光刻胶完全去除区域，所述第三光刻胶区域、所述第二光刻胶区域和所述第一光刻胶区域的光刻胶的厚度依次减小，所述第一掩膜版包括第一半透光区域、第二半透光区域、完全透光区域和遮光区域，所述第一半透光区域的透光率大于所述第二半透光区域的透光率，所述第一光刻胶区域与所述第一半透光区域对应，所述第二光刻胶区域与所述第二半透光区域对应，所述第三光刻胶区域与所述遮光区域对应，所述光刻胶完全去除区域与所述完全透光区域对应；依次对所述光刻胶完全去除区域在所述源漏极材质层上的对应区域，以及所述光刻胶完全去除区域在所述栅绝缘层上的对应区域进行刻蚀，使所述栅绝缘层上形成所述第一孔状结构；采用灰化工艺对所述光刻胶图形进行处理，使所述第一光刻胶区域的光刻胶完全去除，所述第二光刻胶区域的光刻胶和所述第三光刻胶区域的光刻胶的厚度减小；对所述第一光刻胶区域在所述源漏极材质层上的对应区域进行刻蚀，得到初始源漏极层；采用灰化工艺对灰化后的所述光刻胶图形再次进行处理，使所述第二光刻胶区域的光刻胶完全去除，所述第三光刻胶区域的光刻胶的厚度减小；依次对所述第二光刻胶区域在所述初始源漏极层上的对应区域，以及所述第二光刻胶区域在所述初始有源层上的对应区域进行刻蚀，得到所述源漏极层和所述有源层；剥离所述第三光刻胶区域的光刻胶；在形成有所述源漏极层的衬底基板上形成所述钝化层，所述钝化层部分位于所述第一孔状结构内；通过一次构图工艺在所述钝化层上形成所述第二孔状结构和所述漏极过孔，所述第二孔状结构位于所述第一孔状结构内，所述漏极过孔位于所述第一孔状结构外，且所述第二孔状结构的侧壁与所述第一孔状结构的侧壁不接触；在形成有所述钝化层的衬底基板上形成所述像素连接线，所述像素连接线通过所述第二孔状结构和所述漏极过孔，将所述像素电极与所述漏极连接。可选地，所述栅极与所述像素电极位于同一层；所述像素连接线的形成材料与所述像素电极的形成材料相同。第三方面，提供一种掩膜版，所述掩膜版包括：第一半透光区域、第二半透光区域、完全透光区域和遮光区域，所述第一半透光区域的透光率大于所述第二半透光区域的透光率。第四方面，提供一种显示装置，所述显示装置包括第一方面所提供的阵列基板。本专利技术提供的技术方案带来的有本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种阵列基板，其特征在于，所述阵列基板包括：衬底基板，以及设置在所述衬底基板上的显示单元；所述显示单元包括：依次设置在所述衬底基板上的像素电极、栅极、栅绝缘层、源漏极层、钝化层和像素连接线，所述源漏极层包括源极和漏极，所述栅绝缘层上设置有第一孔状结构，所述钝化层位于所述第一孔状结构内的部分设置有第二孔状结构，所述钝化层位于所述第一孔状结构外的部分设置有漏极过孔，所述第二孔状结构的侧壁与所述第一孔状结构的侧壁不接触，所述像素连接线通过所述第二孔状结构和所述漏极过孔将所述像素电极与所述漏极连接。

【技术特征摘要】
1.一种阵列基板，其特征在于，所述阵列基板包括：衬底基板，以及设置在所述衬底基板上的显示单元；所述显示单元包括：依次设置在所述衬底基板上的像素电极、栅极、栅绝缘层、源漏极层、钝化层和像素连接线，所述源漏极层包括源极和漏极，所述栅绝缘层上设置有第一孔状结构，所述钝化层位于所述第一孔状结构内的部分设置有第二孔状结构，所述钝化层位于所述第一孔状结构外的部分设置有漏极过孔，所述第二孔状结构的侧壁与所述第一孔状结构的侧壁不接触，所述像素连接线通过所述第二孔状结构和所述漏极过孔将所述像素电极与所述漏极连接。2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述显示单元还包括：设置在所述栅绝缘层上的有源层，所述有源层在所述衬底基板上的正投影与所述栅极在所述衬底基板上的正投影存在重叠区域，所述源极和所述漏极分别与所述有源层接触。3.根据权利要求1或2所述的阵列基板，其特征在于，所述栅极与所述像素电极位于同一层；所述像素连接线的形成材料与所述像素电极的形成材料相同。4.一种阵列基板的制造方法，其特征在于，所述方法包括：在衬底基板上形成显示单元，所述显示单元包括：依次形成在所述衬底基板上的像素电极、栅极、栅绝缘层、源漏极层、钝化层和像素连接线，所述源漏极层包括源极和漏极，所述栅绝缘层上形成有第一孔状结构，所述钝化层位于所述第一孔状结构内的部分形成有第二孔状结构，所述钝化层位于所述第一孔状结构外的部分形成有漏极过孔，所述第二孔状结构的侧壁与所述第一孔状结构的侧壁不接触，所述像素连接线通过所述第二孔状结构和所述漏极过孔将所述像素电极与所述漏极连接。5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述在衬底基板上形成显示单元，包括：在所述衬底基板上依次形成所述像素电极、所述栅极和所述栅绝缘层；通过一次构图工艺在所述栅绝缘层上形成所述第一孔状结构；在形成有所述栅绝缘层的衬底基板上依次形成所述源漏极层和所述钝化层，所述钝化层部分位于所述第一孔状结构内；通过一次构图工艺在所述钝化层上形成所述第二孔状结构和所述漏极过孔，所述第二孔状结构位于所述第一孔状结构内，所述漏极过孔位于所述第一孔状结构外，且所述第二孔状结构的侧壁与所述第一孔状结构的侧壁不接触；在形成有所述钝化层的衬底基板上形成所述像素连接线，所述像素连接线通过所述第二孔状结构和所述漏极过孔将所述像素电极与所述漏极连接。6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，所述显示单元还包括：设置在所述栅绝缘层上的有源层，在所述衬底基板上依次形成所述像素电极、所述栅极和所述栅绝缘层之后，所述方法还包括：在形成有所述栅绝缘层的衬底基板上形成所述有源层，所述有源层在所述衬底基板上的正投影与所述栅极在所述衬底基板上的正投影存在重叠区域；所述在形成有所述栅绝缘层的衬底基板上依次形成所述源漏极层和所述钝化层，包括：在形...

【专利技术属性】
技术研发人员：万云海，杨成绍，姜涛，唐新阳，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，合肥鑫晟光电科技有限公司，
类型：发明
国别省市：北京;11