OLED显示装置及其制作方法制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种OLED显示装置及其制作方法，通过在红、绿、蓝色OLED器件的阳极层中分别设置第一、第二、第三透明半导体层，并且将所述第一、第二、第三透明半导体层设置为不同的厚度来实现红、绿、蓝色OLED器件的发光效率分别达到最佳，所述第一、第二、第三透明半导体层通过利用三道掩膜板进行等离子体增强化学气相沉积的方法沉积形成，与传统的OLED显示装置相比，本发明专利技术中分别设置于红、绿、蓝色OLED器件中的空穴传输层的厚度相等，可以采用一道普通金属掩膜板在同一道蒸镀制程中形成，由于利用FMM沉积无机膜的技术相对于沉积有机膜的技术更成熟且有更高的良率，所以从总体来讲，本发明专利技术的技术方案具有明显的制程优势。

OLED display device and manufacturing method thereof

The invention provides a OLED display device and its manufacturing method, the red, green and blue OLED device anode layer are respectively arranged in the first and the second, third transparent semiconductor layer, and the first, second, third transparent semiconductor layer are arranged in different thickness to the red, green and blue light emitting efficiency of OLED devices are the best, the first, second, third transparent semiconductor layer through the use of three methods of mask of plasma enhanced chemical vapor deposition of sedimentary formation, compared with the traditional OLED display device, a hole transport layer of the invention are respectively arranged on the red, green and blue OLED devices in the same thickness may, an ordinary metal mask in the same evaporation process in the formation of the FMM, due to the deposition of inorganic membrane technology to the deposition of organic film technology is more mature In general, the technical proposal of the invention has obvious process advantages.

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及显示
，尤其涉及一种OLED显示装置及其制作方法。
技术介绍
有机发光二极管(OrganicLight-EmittingDiode，OLED)显示器，也称为有机电致发光显示器，是一种新兴的平板显示装置，由于其具有自发光、驱动电压低、发光效率高、响应时间短、清晰度与对比度高、近180°视角、使用温度范围宽，可实现柔性显示与大面积全色显示等诸多优点，被业界公认为是最有发展潜力的显示装置。其优越性能和巨大的市场潜力，吸引了全世界众多厂家和科研机构投入到OLED显示面板的生产和研发中。OLED器件通常包括：基板、设于基板上的阳极、设于阳极上的空穴注入层、设于空穴注入层上的空穴传输层、设于空穴传输层上的发光层、设于发光层上的电子传输层、设于电子传输层上的电子注入层、及设于电子注入层上的阴极。OLED器件的发光原理为半导体材料和有机发光材料在电场驱动下，通过载流子注入和复合导致发光。具体的，在一定电压驱动下，电子和空穴分别从阴极和阳极注入到电子传输层和空穴传输层，电子和空穴分别经过电子传输层和空穴传输层迁移到发光层，并在发光层中相遇，形成激子并使发光分子激发，后者经过辐射弛豫而发出可见光。为了制备具有窄带发射的OLED显示面板，人们通过改变OLED显示面板的结构，制备OLED显示面板的法布里-珀罗(Fabry-Perot)光学微腔来获得高亮度的窄带发射。光学微腔不仅实现了窄带发射，而且还使得发射强度相对于无微腔结构的器件而言大大增强。常规的Fabry-Perot光学微腔结构需要两个反射镜面，一般采用金属-金属结构，因此Fabry-Perot光学微腔结构的微腔总光程受制于OLED显示面板中有机膜层的厚度及折射率。具体的，对于全彩显示OLED显示装置来说，为了使红、绿、蓝色OLED器件分别达到最优化的发光效率，一般将不同颜色OLED器件中的空穴传输层设置为不同的厚度，来调节红、绿、蓝光的光程，利用Fabry-Perot共振原理计算出最佳光程，使红、绿、蓝色发光层分别位于第二反波节的位置，从而发光效率达到最大。这就要求所述红、绿、蓝色OLED器件的空穴传输层需要采用三道不同的精密金属掩膜板(FMM，FineMetalMask)并且通过三道蒸镀制程制备，从而增加了生产成本并延长了制程时间，同时由于制程的复杂性导致产品良率降低。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种OLED显示装置，能够实现红、绿、蓝色OLED器件的发光效率分别达到最佳，并且制程工艺成熟，能够降低成本，提高产品良率。本专利技术的目的还在于提供一种OLED显示装置的制作方法，能够实现红、绿、蓝色OLED器件的发光效率分别达到最佳，并且制程工艺成熟，能够降低成本，提高产品良率。为实现上述目的，本专利技术提供一种OLED显示装置，包括基板、以及数个阵列排布于所述基板上的红色OLED器件、绿色OLED器件及蓝色OLED器件；所述红色OLED器件、绿色OLED器件及蓝色OLED器件均包括在所述基板上从下到上依次设置的第一透明导电金属氧化物层、金属层、透明半导体层、第二透明导电金属氧化物层、空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层及阴极层；所述红色OLED器件、绿色OLED器件及蓝色OLED器件的透明半导体层分别为第一透明半导体层、第二透明半导体层及第三透明半导体层；所述红色OLED器件、绿色OLED器件及蓝色OLED器件的发光层分别为红色发光层、绿色发光层及蓝色发光层；所述第一、第二、第三透明半导体层的材料相同，且折射率为ηP；所述第二透明导电金属氧化物层的折射率为ηI；所述空穴注入层的折射率为ηJ；所述空穴传输层的折射率为ηT；所述红色发光层发出的红光的峰值波长为λR，所述绿色发光层发出的绿光的峰值波长为λG，所述蓝色发光层发出的蓝光的峰值波长为λB；所述第一、第二、第三透明半导体层的厚度分别定义为dRP、dGP、dBP，所述第二透明导电金属氧化物层的厚度定义为dI，所述空穴注入层的厚度定义为dJ，所述空穴传输层的厚度定义为dT；那么，所述dRP、dI、dJ、dT之间的关系满足关系式(1)：ηP×dRP+ηI×dI+ηJ×dJ+ηT×dT＝(2mR+1)λR/4(1)；其中，mR为自然数；所述dGP、dI、dJ、dT之间的关系满足关系式(2)：ηP×dGP+ηI×dI+ηJ×dJ+ηT×dT＝(2mG+1)λG/4(2)；其中，mG为自然数；所述dBP、dI、dJ、dT之间的关系满足关系式(3)：ηP×dBP+ηI×dI+ηJ×dJ+ηT×dT＝(2mB+1)λB/4(3)；其中，mB为自然数。所述第一、第二、第三透明半导体层的材料均为SiO2、TiO2、MgO、ZnO、Al2O3、SnO2、InO2、ZrO2、SiNx、Si3N4、MgF2、CaF2、ZnSe、或ZnS，其中，X>1；所述第一、第二、第三透明半导体层的透光率大于80％；所述第一、第二、第三透明半导体层的折射率均在1.0-3.5之间。所述第一、第二透明导电金属氧化物层的材料为氧化铟锡；所述金属层的材料为银。所述红色发光层、绿色发光层、及蓝色发光层均包括主体材料与掺杂染料；所述红色发光层的主体材料为CBP，掺杂染料为红色磷光染料，所述红色磷光染料为Ir(DBQ)2(acac)；所述绿色发光层的主体材料为CBP，掺杂染料为绿色磷光染料，所述绿色磷光染料为Ir(ppy)3；所述蓝色发光层的主体材料为AND，掺杂染料为蓝色荧光染料，所述蓝色荧光染料为BUBD-1；所述空穴注入层的材料包括HAT(CN)6；所述电子传输层的材料包括BPhen。所述阴极层的材料包括低功函数金属、低功函数金属与铜、金、银中的至少一种形成的合金、低功函数金属氮化物、以及低功函数金属氟化物中的至少一种；所述低功函数金属包括锂、镁、钙、锶、铝、铟中的至少一种。本专利技术还提供一种OLED显示装置的制作方法，包括如下步骤：步骤1、提供基板，所述基板具有数个阵列排布的红色像素区域、绿色像素区域及蓝色像素区域；在所述基板上对应所述红色像素区域、绿色像素区域及蓝色像素区域均由下至上依次沉积形成第一透明导电金属氧化物层及金属层；采用等离子体增强化学气相沉积法并利用三道掩膜板在所述金属层上对应红色像素区域、绿色像素区域及蓝色像素区域分别沉积形成透明半导体层，对应所述红色像素区域、绿色像素区域及蓝色像素区域的透明半导体层分别为第一透明半导体层、第二透明半导体层及第三透明半导体层；在所述透明半导体层上对应所述红色像素区域、绿色像素区域及蓝色像素区域均沉积形成第二透明导电金属氧化物层；步骤2、在所述第二透明导电金属氧化物层上对应所述红色像素区域、绿色像素区域及蓝色像素区域均由下至上依次沉积形成空穴注入层、空穴传输层；在所述空穴传输层上对应所述红色像素区域、绿色像素区域及蓝色像素区域分别沉积形成发光层，对应所述红色像素区域、绿色像素区域及蓝色像素区域的发光层分别为红色发光层、绿色发光层及蓝色发光层；在所述发光层上对应所述红色像素区域、绿色像素区域及蓝色像素区域均沉积形成电子传输层；步骤3、在所述电子传输层上对应所述红色像素区域、绿色像素区域及蓝色像素区域均沉积形成阴极层，得到分别对应所述红色像素区域、绿色像素区域及蓝色像素本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种OLED显示装置，其特征在于，包括基板(100)、以及数个阵列排布于所述基板(100)上的红色OLED器件(210)、绿色OLED器件(220)及蓝色OLED器件(230)；所述红色OLED器件(210)、绿色OLED器件(220)及蓝色OLED器件(230)均包括在所述基板(100)上从下到上依次设置的第一透明导电金属氧化物层(201)、金属层(202)、透明半导体层(203)、第二透明导电金属氧化物层(204)、空穴注入层(205)、空穴传输层(206)、发光层(207)、电子传输层(208)及阴极层(209)；所述红色OLED器件(210)、绿色OLED器件(220)及蓝色OLED器件(230)的透明半导体层(203)分别为第一透明半导体层(213)、第二透明半导体层(223)及第三透明半导体层(233)；所述红色OLED器件(210)、绿色OLED器件(220)及蓝色OLED器件(230)的发光层(207)分别为红色发光层(217)、绿色发光层(227)及蓝色发光层(237)；所述第一、第二、第三透明半导体层(213、223、233)的材料相同，且折射率为ηP；所述第二透明导电金属氧化物层(204)的折射率为ηI；所述空穴注入层(205)的折射率为ηJ；所述空穴传输层(206)的折射率为ηT；所述红色发光层(217)发出的红光的峰值波长为λR，所述绿色发光层(227)发出的绿光的峰值波长为λG，所述蓝色发光层(237)发出的蓝光的峰值波长为λB；所述第一、第二、第三透明半导体层(213、223、233)的厚度分别定义为dRP、dGP、dBP，所述第二透明导电金属氧化物层(204)的厚度定义为dI，所述空穴注入层(205)的厚度定义为dJ，所述空穴传输层(206)的厚度定义为dT；那么，所述dRP、dI、dJ、dT之间的关系满足关系式(1)：ηP×dRP+ηI×dI+ηJ×dJ+ηT×dT＝(2mR+1)λR/4   (1)；其中，mR为自然数；所述dGP、dI、dJ、dT之间的关系满足关系式(2)：ηP×dGP+ηI×dI+ηJ×dJ+ηT×dT＝(2mG+1)λG/4   (2)；其中，mG为自然数；所述dBP、dI、dJ、dT之间的关系满足关系式(3)：ηP×dBP+ηI×dI+ηJ×dJ+ηT×dT＝(2mB+1)λB/4   (3)；其中，mB为自然数。...

【技术特征摘要】
1.一种OLED显示装置，其特征在于，包括基板(100)、以及数个阵列排布于所述基板(100)上的红色OLED器件(210)、绿色OLED器件(220)及蓝色OLED器件(230)；所述红色OLED器件(210)、绿色OLED器件(220)及蓝色OLED器件(230)均包括在所述基板(100)上从下到上依次设置的第一透明导电金属氧化物层(201)、金属层(202)、透明半导体层(203)、第二透明导电金属氧化物层(204)、空穴注入层(205)、空穴传输层(206)、发光层(207)、电子传输层(208)及阴极层(209)；所述红色OLED器件(210)、绿色OLED器件(220)及蓝色OLED器件(230)的透明半导体层(203)分别为第一透明半导体层(213)、第二透明半导体层(223)及第三透明半导体层(233)；所述红色OLED器件(210)、绿色OLED器件(220)及蓝色OLED器件(230)的发光层(207)分别为红色发光层(217)、绿色发光层(227)及蓝色发光层(237)；所述第一、第二、第三透明半导体层(213、223、233)的材料相同，且折射率为ηP；所述第二透明导电金属氧化物层(204)的折射率为ηI；所述空穴注入层(205)的折射率为ηJ；所述空穴传输层(206)的折射率为ηT；所述红色发光层(217)发出的红光的峰值波长为λR，所述绿色发光层(227)发出的绿光的峰值波长为λG，所述蓝色发光层(237)发出的蓝光的峰值波长为λB；所述第一、第二、第三透明半导体层(213、223、233)的厚度分别定义为dRP、dGP、dBP，所述第二透明导电金属氧化物层(204)的厚度定义为dI，所述空穴注入层(205)的厚度定义为dJ，所述空穴传输层(206)的厚度定义为dT；那么，所述dRP、dI、dJ、dT之间的关系满足关系式(1)：ηP×dRP+ηI×dI+ηJ×dJ+ηT×dT＝(2mR+1)λR/4(1)；其中，mR为自然数；所述dGP、dI、dJ、dT之间的关系满足关系式(2)：ηP×dGP+ηI×dI+ηJ×dJ+ηT×dT＝(2mG+1)λG/4(2)；其中，mG为自然数；所述dBP、dI、dJ、dT之间的关系满足关系式(3)：ηP×dBP+ηI×dI+ηJ×dJ+ηT×dT＝(2mB+1)λB/4(3)；其中，mB为自然数。2.如权利要求1所述的OLED显示装置，其特征在于，所述第一、第二、第三透明半导体层(213、223、233)的材料均为SiO2、TiO2、MgO、ZnO、Al2O3、SnO2、InO2、ZrO2、SiNx、Si3N4、MgF2、CaF2、ZnSe、或ZnS，其中，X>1；所述第一、第二、第三透明半导体层(213、223、233)的透光率大于80％；所述第一、第二、第三透明半导体层(213、223、233)的折射率均在1.0-3.5之间。3.如权利要求1所述的OLED显示装置，其特征在于，所述第一、第二透明导电金属氧化物层(201、204)的材料为氧化铟锡；所述金属层(202)的材料为银。4.如权利要求1所述的OLED显示装置，其特征在于，所述红色发光层(217)、绿色发光层(227)、及蓝色发光层(237)均包括主体材料与掺杂染料；所述红色发光层(217)的主体材料为CBP，掺杂染料为红色磷光染料，所述红色磷光染料为Ir(DBQ)2(acac)；所述绿色发光层(227)的主体材料为CBP，掺杂染料为绿色磷光染料，所述绿色磷光染料为Ir(ppy)3；所述蓝色发光层(237)的主体材料为AND，掺杂染料为蓝色荧光染料，所述蓝色荧光染料为BUBD-1；所述空穴注入层(205)的材料包括HAT(CN)6；所述电子传输层(208)的材料包括BPhen。5.如权利要求1所述的OLED显示装置，其特征在于，所述阴极层(209)的材料包括低功函数金属、低功函数金属与铜、金、银中的至少一种形成的合金、低功函数金属氮化物、以及低功函数金属氟化物中的至少一种；所述低功函数金属包括锂、镁、钙、锶、铝、铟中的至少一种。6.一种OLED显示装置的制作方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤1、提供基板(100)，所述基板(100)具有数个阵列排布的红色像素区域(110)、绿色像素区域(120)及蓝色像素区域(130)；在所述基板(100)上对应所述红色像素区域(110)、绿色像素区域(120)及蓝色像素区域(130)均由下至上依次沉积形成第一透明导电金属氧化物层(201)及金属层(202)；采用等离子体增强化学气相沉积法并利用三道掩膜板在所述金属层(202)上对应红色像素区域(110)、绿色像素区域(120)及蓝色像素区域(130)分别沉积形成透明半导体层(203)，对应所述红色像素区域(110)、绿色像素区域(120)及蓝色像素区域(130)的透明半导体...

【专利技术属性】
技术研发人员：汤金明，倪晶，
申请(专利权)人：武汉华星光电技术有限公司，
类型：发明
国别省市：湖北;42