带有循环媒介自动控温结构的薄膜沉积设备加热底盘制造技术

本发明专利技术属于半导体薄膜沉积应用及制造技术领域，具体涉及一种带有循环媒介自动控温结构的薄膜沉积设备加热底盘，在加热底盘的上盘体和下盘体之间通过媒介导流槽盖板和媒介挡板的固定配合形成所述循环媒介自动控温结构，通过循环媒介的自动控温，可以实现加热底盘温度的自动调节，能够精确的控制加热底盘的温度，解决了现有技术中设备产能低，晶圆和加热底盘升温较快降温较慢的问题。

Thin film deposition equipment heating chassis with circulating medium automatic temperature control structure

The invention belongs to the field of semiconductor thin film deposition application and manufacturing technology field, in particular to thin film deposition equipment chassis with a circulation medium heating automatic temperature control structure, through the fixed media guide groove cover plate and the baffle media form the circulation medium in heating automatic temperature control structure between the chassis upper body and the lower plate body, the automatic temperature control loop the media, automatically adjust the heating temperature of the chassis can be realized, can accurately control the temperature of the heating chassis, solve the equipment in existing technology, low productivity, and wafer heating chassis warming faster temperature drop slowly.

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于半导体薄膜沉积应用及制造
，具体涉及一种带有循环媒介自动控温结构的薄膜沉积设备加热底盘。
技术介绍
半导体设备在进行沉积反应时往往需要使晶圆及腔室加热或维持在沉积反应所需要的温度，所以加热底盘必需具备加热结构以满足给晶圆预热的目的。大多数半导体薄膜沉积设备，在沉积过程中还会有等离子体参与沉积反应，因等离子体能量的释放以及化学气体间反应的能量释放，加热底盘及晶圆的温度会随着射频及工艺时间的增加温度会不断的上升，如果在进行相同温度下的工艺，需要等待加热盘降到相同的温度后才能进行，这样会耗费大量的时间，设备的产能相对比较低，如果晶圆和加热底盘的温度升温过快，温度会超出薄膜所需承受的温度，致使薄膜失败。为了解决工艺过程中加热盘温升过快降温慢的问题，我们需要有能够自动调节加热底盘温度的系统，来保证加热底盘的温度。
技术实现思路
为了解决上述技术问题，本专利技术提供了一种带有循环媒介自动控温结构的薄膜沉积设备加热底盘，通过循环媒介的自动控温，可以实现加热底盘温度的自动调节，能够精确的控制加热底盘的温度。本专利技术是这样实现的，带有循环媒介自动控温结构的薄膜沉积设备加热底盘，，在加热底盘的上盘体和下盘体之间通过媒介导流槽盖板和媒介挡板的固定配合形成循环媒介自动控温结构，上盘体的下表面边缘有外侧凸台和内侧凸台，两圈凸台之间形成环形沟槽，内侧凸台分布有三个导流口，上盘体上还设置有陶瓷柱孔和热电偶孔；媒介挡板为一个圆盘结构，从边缘向上下两侧有凸起，在一侧突起上分布有三个挡板媒介出口，挡板媒介出口与上盘体内侧凸台的导流口位置对应，媒介挡板上还设有媒介流通孔和挡板通孔，挡板通孔位置与上盘体陶瓷柱孔的位置对应；下盘体盘面上设有与上盘体陶瓷柱孔对应的螺纹孔以及与热电偶孔对应的热电偶安装螺纹孔，在下盘体盘面靠近中心的位置设有媒介入口和媒介出口，以媒介入口为中心，在下盘体盘面上向外辐射三个导流槽，导流槽两侧设凸台，用于和导流槽盖板焊接，形成媒介流道，导流槽终端有终端孔，当上盘体和下盘体固定一体后，终端孔对应在环形沟槽的范围内。进一步地，上盘体内侧凸台的三个导流口均匀分布，将内侧凸台的圆周分成三个相等的圆弧。进一步地，导流槽盖板的端部设有端孔，端孔与导流槽的终端孔位置对应。进一步地，将媒介挡板焊接在上盘体上时，上盘体外侧凸台与媒介挡板不设媒介出口一侧的突起高度在一个平面上。与现有技术相比，本专利技术的优点在于，通过循环媒介的自动控温，可以实现加热底盘温度的自动调节，能够精确的控制加热底盘的温度，解决了现有技术中设备产能低，晶圆和加热底盘升温较快降温较慢的问题。附图说明下面结合附图及实施方式对本专利技术作进一步详细的说明：图1为加热底盘爆炸结构示意图；图2为加热底盘上盘体结构示意图；图3为媒介挡板结构示意图；图4为导流槽盖板结构示意图；图5为加热底盘下盘体结构示意图。具体实施方式为了使本专利技术的目的、技术方案及优点更加清楚明白，下面结合实施例及附图，对本专利技术进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用于解释本专利技术，并不用于限定本专利技术。参考图1-图5，本专利技术提供了一种带有循环媒介自动控温结构的薄膜沉积设备加热底盘，是通过在加热底盘的上盘体1和下盘体5之间通过媒介导流槽盖板4和媒介挡板3的固定配合形成循环媒介自动控温结构。上盘体1的下表面边缘有外侧凸台和内侧凸台，两圈凸台之间形成环形沟槽9，内侧凸台分布有三个导流口11，上盘体1上还设置有陶瓷柱孔8和热电偶孔10；媒介挡板3为一个圆盘结构，从边缘向上下两侧有凸起，在一侧突起上分布有三个挡板媒介出口20，挡板媒介出口20与上盘体1内侧凸台的导流口11位置对应，媒介挡板3上还设有媒介流通孔19和挡板通孔18，挡板通孔18位置与上盘体陶瓷柱孔8的位置对应；下盘体5盘面上设有与上盘体1陶瓷柱孔8对应的螺纹孔7以及与热电偶孔10对应的热电偶安装螺纹孔16，在下盘体5盘面靠近中心的位置设有媒介入口13和媒介出口12，以媒介入口13为中心，在下盘体5盘面上向外辐射三个导流槽14，导流槽14两侧设凸台，用于和导流槽盖板4焊接，形成媒介流道，导流槽14终端有终端孔15，当上盘体1和下盘体5固定一体后，终端孔15对应在环形沟槽9的范围内。上盘体1内侧凸台的三个导流口优选均匀分布，将内侧凸台的圆周分成三个相等的圆弧。为了使媒介流动更畅通，作为技术方案的改进，在导流槽盖板的端部设有端孔17，端孔17与导流槽的终端孔15位置对应。为了使上盘体1和下盘体5能够精准对接，保证焊接的效果，作为技术方案的改进，将媒介挡板3焊接在上盘体1上时，上盘体1外侧凸台与媒介挡板3不设媒介出口一侧的突起高度在一个平面上。在进行安装时，首先将加热底盘下盘体5与导流槽盖板4焊接，然后将媒介挡板3各开孔位置与加热底盘上盘体1各结构相对应并焊接于加热底盘上盘体1上；焊接完成后再将加热底盘上盘体1与加热底盘下盘体5通过真空钎焊的方式进行焊接，然后将陶瓷柱2，安装在陶瓷柱孔8内，通过陶瓷柱安装螺母6对陶瓷柱2进行固定，完成整个控温盘的加工。本文档来自技高网...

【技术保护点】
带有循环媒介自动控温结构的薄膜沉积设备加热底盘，其特征在于，在所述加热底盘的上盘体和下盘体之间通过媒介导流槽盖板和媒介挡板的固定配合形成所述循环媒介自动控温结构，所述上盘体的下表面边缘有外侧凸台和内侧凸台，两圈凸台之间形成环形沟槽，内侧凸台分布有三个导流口，所述上盘体上还设置有陶瓷柱孔和热电偶孔；所述媒介挡板为一个圆盘结构，从边缘向上下两侧有凸起，在一侧突起上分布有三个挡板媒介出口，挡板媒介出口与所述上盘体内侧凸台的导流口位置对应，所述媒介挡板上还设有媒介流通孔和挡板通孔，挡板通孔位置与所述上盘体陶瓷柱孔的位置对应；所述下盘体盘面上设有与所述上盘体陶瓷柱孔对应的螺纹孔以及与热电偶孔对应的热电偶安装螺纹孔，在下盘体盘面靠近中心的位置设有媒介入口和媒介出口，以媒介入口为中心，在下盘体盘面上向外辐射三个导流槽，导流槽两侧设凸台，用于和所述导流槽盖板焊接，形成媒介流道，导流槽终端有终端孔，当所述上盘体和下盘体固定一体后，所述终端孔对应在所述环形沟槽的范围内。

【技术特征摘要】
1.带有循环媒介自动控温结构的薄膜沉积设备加热底盘，其特征在于，在所述加热底盘的上盘体和下盘体之间通过媒介导流槽盖板和媒介挡板的固定配合形成所述循环媒介自动控温结构，所述上盘体的下表面边缘有外侧凸台和内侧凸台，两圈凸台之间形成环形沟槽，内侧凸台分布有三个导流口，所述上盘体上还设置有陶瓷柱孔和热电偶孔；所述媒介挡板为一个圆盘结构，从边缘向上下两侧有凸起，在一侧突起上分布有三个挡板媒介出口，挡板媒介出口与所述上盘体内侧凸台的导流口位置对应，所述媒介挡板上还设有媒介流通孔和挡板通孔，挡板通孔位置与所述上盘体陶瓷柱孔的位置对应；所述下盘体盘面上设有与所述上盘体陶瓷柱孔对应的螺纹孔以及与热电偶孔对应的热电偶安装螺纹孔，在下盘体盘面靠近中心的位置设有媒介入口和媒介出口，以媒介入口为中心，在...

【专利技术属性】
技术研发人员：吕光泉，吴凤丽，郑英杰，张建，
申请(专利权)人：沈阳拓荆科技有限公司，
类型：发明
国别省市：辽宁;21