一种刻蚀方法和装置制造方法及图纸

本发明专利技术提供了一种刻蚀方法和装置，其中，所述方法包括：调用预先设置的工艺配方，其中，所述工艺配方中设置有对晶片进行刻蚀的工艺项以及对各工艺项的配置；判断当前执行的工艺项是否为调用的所述工艺配方中的刻蚀项；若否，则按照所述工艺配方中对当前工艺项的配置，对当前晶片进行所述当前工艺项所指示的操作；若是，则从预先缓存的刻蚀时间中获取所述当前晶片对应的刻蚀时间，按照所述工艺配方中对所述刻蚀项的配置以及获取的所述刻蚀时间，对所述当前晶片进行刻蚀。通过本发明专利技术提供的刻蚀方案，按照缓存的与各片晶片对应的刻蚀时间对晶片进行刻蚀，可以使同一批晶片刻蚀后的膜厚均达到目标膜厚的标准。

Etching method and apparatus

The present invention provides an etching method and device, wherein, the method comprises the following steps: formulation, calling the preset one, the formula is provided in the etching process of the wafer and the process of the implementation of the current configuration; judging whether a process for etching the call process in the formula; if not, according to the formula of the current process of the configuration, the current process items indicated by the wafer; if so, the current is obtained from the corresponding wafer etching time pre caching in the etching time, the etching according to the configuration of the the process formula and obtain the etching time, the etching on the current wafer. According to the etching scheme provided by the invention, the wafer can be etched according to the etching time corresponding to each chip chip, and the thickness of the film after the same batch of wafers can reach the standard of the film thickness.

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体
，特别是涉及一种刻蚀方法和装置。
技术介绍
在半导体制造产业中，针对不同的刻蚀机、不同的刻蚀需求都会涉及到工艺配方，刻蚀机通过该工艺配方对晶片执行刻蚀的相关操作。其中，工艺配方中包含刻蚀加工过程的多个工艺项即步骤、各工艺项的工艺参数以及各工艺项持续时间。目前，本领域技术人员通过同一刻蚀机对同一批晶片进行刻蚀时，均是为刻蚀机设置一套工艺配方，该批晶片中的每片晶片进行刻蚀时，均通过重复执行设置的工艺配方来完成整个刻蚀过程。其中，在该工艺配方中包括刻蚀项以及刻蚀项的相关配置，具体地，对刻蚀项的相关配置包括：刻蚀时间、刻蚀速率。也就是说，同一批晶片中的各片晶片在刻蚀时均会按照同一刻蚀速率刻蚀相同的时间。现有的这种刻蚀方案，工艺配方中刻蚀时间均是通过理想的初始膜厚来确定的，而在实际实现过程中，一批晶片在刻蚀前还可能经过镀膜、剥离等操作，由于每项操作均会有一定的膜厚误差，因此，在进行刻蚀前的各片晶片的初始膜厚与理想膜厚会存在偏差，甚至是同一批晶片的各片晶片的初始膜厚都会不同。而在这种情况下，采用现有的将同一批晶片中的各片晶片按照同一刻蚀速率刻蚀相同的时间的方案，对同一批晶片进行刻蚀后，无法使各片晶片均能到目标膜厚的标准。
技术实现思路
本专利技术提供了一种刻蚀方法和装置，以解决现有的刻蚀方案中对同一批晶片进行刻蚀后，无法使各片晶片均能到目标膜厚的标准的问题。为了解决上述问题，本专利技术公开了一种刻蚀方法，包括：调用预先设置的工艺配方，其中，所述工艺配方中设置有对晶片进行刻蚀的工艺项以及对各工艺项的配置；判断当前执行的工艺项是否为调用的所述工艺配方中的刻蚀项；若否，则按照所述工艺配方中对当前工艺项的配置，对当前晶片进行所述当前工艺项所指示的操作；若是，则从预先缓存的刻蚀时间中获取所述当前晶片对应的刻蚀时间，按照所述工艺配方中对所述刻蚀项的配置以及获取的所述刻蚀时间，对所述当前晶片进行刻蚀。优选地，在所述调用预先设置的工艺配方步骤之前，所述方法还包括：接收待刻蚀的各片晶片对应的刻蚀时间；或者，根据待刻蚀的各片晶片的初始厚度、目标厚度以及刻蚀速率自动生成所述待刻蚀的各片晶片对应的刻蚀时间；将所述待刻蚀的各片晶片对应的刻蚀时间进行缓存。优选地，所述工艺配方中配置有最长刻蚀时间以及最短刻蚀时间，在所述接收待刻蚀的各片晶片对应的刻蚀时间的步骤之后，所述方法还包括：获取所述工艺配方中配置的所述最长刻蚀时间以及最短刻蚀时间；分别判断所述待刻蚀的各片晶片对应的刻蚀时间是否在所述最长刻蚀时间以及所述最短刻蚀时间之间；若否，则展示所述晶片的刻蚀时间不符合设定条件的提示信息。优选地，所述工艺配方中配置的各工艺项设置有用于标定工艺项是否为刻蚀项的标识；所述判断当前执行的工艺项是否为调用的所述工艺配方中的刻蚀项的步骤包括：判断当前执行的工艺项的标识是否为刻蚀项对应的标识；若是，则确定当前工艺项为刻蚀项；若否，则确定所述当前工艺项为非刻蚀项。优选地，所述根据待刻蚀的各片晶片的初始厚度、目标厚度以及刻蚀速率自动生成所述待刻蚀的各片晶片对应的刻蚀时间的步骤包括：通过以下公式生成所述待刻蚀的各片晶片对应的刻蚀时间：刻蚀时间＝(初始膜厚-目标膜厚)÷刻蚀速率。为了解决上述问题，本专利技术还公开了一种刻蚀装置，包括：调用模块，用于调用预先设置的工艺配方，其中，所述工艺配方中设置有对晶片进行刻蚀的工艺项以及对各工艺项的配置；判断模块，用于判断当前执行的工艺项是否为调用的所述工艺配方中的刻蚀项；第一执行模块，用于若所述判断模块的判断结果为否，则按照所述工艺配方中对当前工艺项的配置，对当前晶片进行所述当前工艺项所指示的操作；第二执行模块，用于若所述判断模块的判断结果为是，则从预先缓存的刻蚀时间中获取所述当前晶片对应的刻蚀时间，按照所述工艺配方中对所述刻蚀项的配置以及获取的所述刻蚀时间，对所述当前晶片进行刻蚀。优选地，所述刻蚀装置还包括：接收生成模块，用于在所述调用模块调用预先设置的工艺配方之前，接收待刻蚀的各片晶片对应的刻蚀时间；或者，根据待刻蚀的各片晶片的初始厚度、目标厚度以及刻蚀速率自动生成所述待刻蚀的各片晶片对应的刻蚀时间；缓存模块，用于将所述待刻蚀的各片晶片对应的刻蚀时间进行缓存。优选地，所述工艺配方中配置有最长刻蚀时间以及最短刻蚀时间，所述刻蚀装置还包括：获取模块，用于在所述接收生成模块接收待刻蚀的各片晶片对应的刻蚀时间之后，获取所述工艺配方中配置的所述最长刻蚀时间以及最短刻蚀时间；时间判断模块，用于分别判断所述待刻蚀的各片晶片对应的刻蚀时间是否在所述最长刻蚀时间以及所述最短刻蚀时间之间；展示模块，用于若所述时间判断模块的判断结果为否，则展示所述晶片的刻蚀时间不符合设定条件的提示信息。优选地，所述工艺配方中配置的各工艺项设置有用于标定工艺项是否为刻蚀项的标识；所述判断模块判断当前执行的工艺项是否为调用的所述工艺配方中的刻蚀项时：判断当前执行的工艺项的标识是否为刻蚀项对应的标识；若是，则确定当前工艺项为刻蚀项；若否，则确定所述当前工艺项为非刻蚀项。优选地，所述接收生成模块根据待刻蚀的各片晶片的初始厚度、目标厚度以及刻蚀速率自动生成所述待刻蚀的各片晶片对应的刻蚀时间时：通过以下公式生成所述待刻蚀的各片晶片对应的刻蚀时间：刻蚀时间＝(初始膜厚-目标膜厚)÷刻蚀速率。与现有技术相比，本专利技术具有以下优点：本专利技术提供的刻蚀方案，对晶片进行刻蚀的过程中，在执行工艺配方中的各工艺项时，会判断当前执行的工艺项是否为刻蚀项，如果判断出当前执行的工艺项为非刻蚀项，则继续按照工艺配方中对当前工艺项的配置，对当前晶片进行当前工艺项所指示的操作。如果判断出当前执行的工艺项为刻蚀项时，则从缓存的刻蚀时间中获取与当前晶片对应的刻蚀时间，然后依据获取的刻蚀时间以及工艺配方中配置的刻蚀速率对当前晶片进行刻蚀。其中，预先在刻蚀装置中缓存待刻蚀的各片晶片对应的刻蚀时间是能够使各片晶片经刻蚀后分别达到目标膜厚的刻蚀时间，刻蚀时间可以根据各片晶片在刻蚀前的真实膜厚、目标膜厚以及工艺配方中配置的刻蚀速率得到。可见，通过本专利技术提供的刻蚀方案，按照缓存的与各片晶片对应的刻蚀时间对晶片进行刻蚀，可以使同一批晶片刻蚀后的膜厚均达到目标膜厚的标准。附图说明图1是根据本专利技术实施例一的一种刻蚀方法的步骤流程图；图2是根据本专利技术实施例二的一种刻蚀方法的步骤流程图；图3是根据本专利技术实施例三的一种刻蚀方法的步骤流程图；图4是根据本专利技术实施例四的一种刻蚀装置的结构框图；图5是根据本专利技术实施例五的一种刻蚀装置的结构框图。具体实施方式为使本专利技术的上述目的、特征和优点能够更加明显易懂，下面结合附图和具体实施方式对本专利技术作进一步详细的说明。参照图1，示出了本专利技术实施例一的一种刻蚀方法的步骤流程图。本实施例的刻蚀方法包括以下步骤：步骤S102：调用预先设置的工艺配方。本实施例中，刻蚀机在对晶片进行刻蚀时，首先调用预先设置在刻蚀机中的工艺配方，依据该工艺配方中配置的工艺项即工艺步骤对晶片进行刻蚀操作。其中，工艺配方中设置有对晶片进行刻蚀的工艺项以及对各工艺项的配置。工艺项即工艺步骤包括：刻蚀项以及非刻蚀项例如：抽真空项、配气项、退火项等，相本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种刻蚀方法，其特征在于，包括：调用预先设置的工艺配方，其中，所述工艺配方中设置有对晶片进行刻蚀的工艺项以及对各工艺项的配置；判断当前执行的工艺项是否为调用的所述工艺配方中的刻蚀项；若否，则按照所述工艺配方中对当前工艺项的配置，对当前晶片进行所述当前工艺项所指示的操作；若是，则从预先缓存的刻蚀时间中获取所述当前晶片对应的刻蚀时间，按照所述工艺配方中对所述刻蚀项的配置以及获取的所述刻蚀时间，对所述当前晶片进行刻蚀。

【技术特征摘要】
1.一种刻蚀方法，其特征在于，包括：调用预先设置的工艺配方，其中，所述工艺配方中设置有对晶片进行刻蚀的工艺项以及对各工艺项的配置；判断当前执行的工艺项是否为调用的所述工艺配方中的刻蚀项；若否，则按照所述工艺配方中对当前工艺项的配置，对当前晶片进行所述当前工艺项所指示的操作；若是，则从预先缓存的刻蚀时间中获取所述当前晶片对应的刻蚀时间，按照所述工艺配方中对所述刻蚀项的配置以及获取的所述刻蚀时间，对所述当前晶片进行刻蚀。2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述调用预先设置的工艺配方步骤之前，所述方法还包括：接收待刻蚀的各片晶片对应的刻蚀时间；或者，根据待刻蚀的各片晶片的初始厚度、目标厚度以及刻蚀速率自动生成所述待刻蚀的各片晶片对应的刻蚀时间；将所述待刻蚀的各片晶片对应的刻蚀时间进行缓存。3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述工艺配方中配置有最长刻蚀时间以及最短刻蚀时间，在所述接收待刻蚀的各片晶片对应的刻蚀时间的步骤之后，所述方法还包括：获取所述工艺配方中配置的所述最长刻蚀时间以及最短刻蚀时间；分别判断所述待刻蚀的各片晶片对应的刻蚀时间是否在所述最长刻蚀时间以及所述最短刻蚀时间之间；若否，则展示所述晶片的刻蚀时间不符合设定条件的提示信息。4.根据权利要求1-3任一项所述的方法，其特征在于，所述工艺配方中配置的各工艺项设置有用于标定工艺项是否为刻蚀项的标识；所述判断当前执行的工艺项是否为调用的所述工艺配方中的刻蚀项的步骤包括：判断当前执行的工艺项的标识是否为刻蚀项对应的标识；若是，则确定当前工艺项为刻蚀项；若否，则确定所述当前工艺项为非刻蚀项。5.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述根据待刻蚀的各片晶片的初始厚度、目标厚度以及刻蚀速率自动生成所述待刻蚀的各片晶片对应的刻蚀时间的步骤包括：通过以下公式生成所述待刻蚀的各片晶片对应的刻蚀时间：刻蚀时间＝(初始膜厚-目标膜厚)÷刻蚀速率。6.一种刻蚀装置，其特征在于，包括：调用模块，用于调用预先设置的工艺配方，其中，所述工艺配方中设置有对晶片进行刻蚀的工艺...

【专利技术属性】
技术研发人员：梁小祎，
申请(专利权)人：北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司，
类型：发明
国别省市：北京;11