制造有机发光显示设备的方法及有机发光显示设备技术

公开了制造有机发光显示设备的方法以及有机发光显示设备，方法包括：形成间隔开的第一像素电极和第二像素电极；形成覆盖像素电极的绝缘层；将绝缘层图案化为覆盖第二像素电极并暴露第一像素电极的中心部分；在第一像素电极的暴露的部分和绝缘层上方形成第一中间层；在第一中间层上方形成第一上电极；在第一上电极上方形成第一光刻胶层；去除第一中间层和第一上电极的暴露的部分；去除第一光刻胶层；将绝缘层图案化为暴露第二像素电极的中心部分；在第二像素电极的暴露的部分和第一上电极上方形成第二中间层；在第二中间层上方形成第二上电极；在第二上电极上方形成第二光刻胶层；去除第二中间层和第二上电极的暴露的部分；以及去除第二光刻胶层。

【技术实现步骤摘要】
相关申请的交叉引用本申请要求于2015年10月23日提交的第10-2015-0148024号韩国专利申请的优先权及权益，该申请在此通过引用并入以用于所有目的，如同其已完全在本文中阐述。
示例性实施方式涉及制造有机发光显示设备的方法以及该有机发光显示设备。更具体地，示例性实施方式涉及在最小化包括发射层的发射部分损坏可能性的同时容易地制造有机发光显示设备的方法以及该有机发光显示设备。
技术介绍
有机发光显示设备包括具有中间层的有机发光装置以作为每个像素/子像素，其中，该中间层包括布置在像素电极与相对电极之间的发射层。这种有机发光显示设备通常通过电连接至像素电极的薄膜晶体管控制每个像素是否发射或者每个像素的发射程度。相对电极与多个像素/子像素整体地形成。具体地，必须针对每个像素/子像素将发射层图案化。然而，在传统有机发光显示设备中，需要复杂的工艺来针对每个像素/子像素图案化发射层等，否则发射层可能容易在图案化过程中被损坏。在该
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部分中公开的以上信息仅用于增强对本专利技术构思的
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的理解，并且因此该
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部分可包含不构成在本国中对于本领域普通技术人员已知的现有技术的信息。
技术实现思路
为了解决上述问题，示例性实施方式提供了在最小化对包括发射层的发射部分的损坏的同时制造有机发光显示设备的方法以及该有机发光显示设备。在下文的描述中将部分地陈述附加方面，并且该附加方面将通过本公开而部分地显而易见，或者可通过对本专利技术构思的实践而被学习。示例性实施方式公开了制造有机发光显示设备的方法，该方法包括：形成彼此间隔开的第一像素电极和第二像素电极；形成覆盖第一像素电极和第二像素电极的绝缘层；图案化绝缘层，绝缘层图案化为覆盖第二像素电极并且暴露第一像素电极的至少中心部分；在第一像素电极所暴露的中心部分和绝缘层上方形成第一中间层，第一中间层包括第一发射层；在第一中间层上方形成第一上电极，第一上电极形成为与至少第一像素电极对应；在第一上电极上方形成阻光的第一光刻胶层，阻光的第一光刻胶层形成为与第一像素电极对应而不与第二像素电极对应；去除第一中间层和第一上电极的暴露在第一光刻胶层外部的部分；去除第一光刻胶层；图案化绝缘层，绝缘层图案化为暴露第二像素电极的至少中心部分；在第二像素电极所暴露的中心部分和第一上电极上方形成第二中间层，第二中间层包括第二发射层；在第二中间层上方形成第二上电极，第二上电极形成为与至少第二像素电极对应；在第二上电极上方形成阻光的第二光刻胶层，阻光的第二光刻胶层形成为与第二像素电极对应而不与第一像素电极对应；去除第二中间层和第二上电极的暴露在第二光刻胶层外部的部分；以及去除第二光刻胶层。示例性实施方式也公开了有机发光显示设备，该有机发光显示设备包括：彼此间隔开的第一像素电极和第二像素电极；绝缘层，暴露第一像素电极和第二像素电极中的每个的至少中心部分的；第一中间层，位于第一像素电极上方并且包括第一发射层；第二中间层，位于第二像素电极上方并且包括第二发射层；第一上电极和第二上电极，分别与第一中间层和第二中间层对应并且彼此间隔开；填充层，覆盖第一上电极和第二上电极并且包括接触孔，该接触孔暴露第一上电极和第二上电极中的每个的一部分；以及公共电极，位于填充层上方并且通过接触孔接触第一上电极和第二上电极。前文的一般性描述和下文的详细描述是示例性的和解释性的并且旨在提供对权利要求所要求保护的主题的进一步解释。附图说明附图示出了本专利技术构思的示例性实施方式并且与描述一起用于解释本专利技术构思的原理，其中附图被包括以用于提供对本专利技术构思的进一步理解以及并入本说明书并构成本说明书的一部分。图1、图2、图3、图4、图5、图6、图7、图8、图9、图10、图11和图12是根据示例性实施方式的制造有机发光显示设备的方法的过程的示意性剖视图。图13、图14、图15、图16、图17、图18、图19和图20是根据另一个示例性实施方式的制造有机发光显示设备的方法的过程的示意性剖视图。具体实施方式在以下描述中，出于解释的目的陈述了许多具体细节以提供对各种示例性实施方式的全面理解。但是显而易见的是，各种示例性实施方式可在没有这些具体细节的情况下实践或者可使用一个或多个等同布置来实践。在其它情况下，以框图形式示出了公知的结构和装置以避免不必要地模糊各种示例性实施方式。在附图中，为清晰和描述性的目的，层、膜、面板、区域等的尺寸和相对尺寸可被夸大。另外，相同的附图标记表示相同的元件。当元件或层被称为在另一元件或层“上(on)”、“连接至(connectedto)”另一元件或层、或“联接至(coupledto)”另一元件或者层时，该元件或层可直接在该另一元件或层上、直接连接至该另一元件或层或直接联接至该另一元件或层，或者可存在中间元件或层。但是，当元件或层被称为“直接”在另一元件或层“上”、“直接连接至”另一元件或层或者“直接联接至”另一元件或层时，则不存在中间元件或层。出于本公开的目的，“X、Y和Z中的至少一个”和“选自由X、Y和Z构成的组中的至少一个”可被解释为仅X、仅Y、仅Z、或者X、Y和Z中两个或更多个的任意组合，诸如，例如，XYZ、XYY、YZ和ZZ。如在本文中使用的，用语“和/或”包括相关所列项目中的一个或多个的任一和全部组合。虽然用语第一、第二等可在本文中用于描述各种元件、部件、区域、层和/或区段，但是这些元件、部件、区域、层和/或区段不应被这些用语限制。这些用语用于将一个元件、部件、区域、层和/或区段与另一元件、部件、区域、层和/或区段区分开。因此，在不背离本公开的教导的情况下，以下讨论的第一元件、第一部件、第一区域、第一层和/或第一区段可称为第二元件、第二部件、第二区域、第二层和/或第二区段。诸如“在…之下(beneath)”、“在…下方(below)”、“下部(lower)”、“在…上方(above)”、“上部(upper)”等的空间相关用语可在本文中用于描述性的目的，并由此描述如附图中所示的一个元件或特征相对于另一元件或特征的关系。除包括附图中所描绘的定向外，空间相关用语意在包含设备在使用、操作、和/或制造中的设备的不同定向。例如，如果附图中的设备被反转，则描述为在其它元件或特征的“下方”或“之下”的元件可被定向为在该其它元件或特征的“上方”。因此，示例性用语“在…下方”可包含上方和下方两个定向。此外，设备可以是其它方式定向的(例如，旋转90度或处于其它定向)，并由此，本文中所使用的空间相关描述语被相应地解释。本文中所使用的用辞是出于描述特定实施方式的目的而不意在限制。除非上下文中明确地另有所指，否则如本文中所使用的单数形式“一个(a)”、“一个(an)”和“所述(the)”意在也包括复数形式。此外，当被用在本说明书中时，用语“包括(comprise)”、“包括有(comprising)”、“包含(include)”和/或“包含有(including)”说明所陈述的特征、整体、步骤、操作、元件、部件和/或它们的组的存在，而不排除一个或多个其它特征、整体、步骤、操作、元件、部件和/或它们的组的存在或附加。在本文中参照剖视图对多种示例性实施方式进行了描述，其中剖视图是理想化的示例性实施方式和/或中间本文档来自技高网...

【技术保护点】
制造有机发光显示设备的方法，所述方法包括：形成彼此间隔开的第一像素电极和第二像素电极；形成覆盖所述第一像素电极和所述第二像素电极的绝缘层；图案化所述绝缘层，所述绝缘层图案化为覆盖所述第二像素电极并且暴露所述第一像素电极的至少中心部分；在所述第一像素电极的所暴露的中心部分和所述绝缘层上方形成第一中间层，所述第一中间层包括第一发射层；在所述第一中间层上方形成第一上电极，所述第一上电极形成为与至少所述第一像素电极对应；在所述第一上电极上方形成阻光的第一光刻胶层，所述阻光的第一光刻胶层形成为与所述第一像素电极对应而不与所述第二像素电极对应；去除所述第一中间层和所述第一上电极的暴露在所述第一光刻胶层外部的部分；去除所述第一光刻胶层；图案化所述绝缘层，所述绝缘层图案化为暴露所述第二像素电极的至少中心部分；在所述第二像素电极的所暴露的中心部分和所述第一上电极上方形成第二中间层，所述第二中间层包括第二发射层；在所述第二中间层上方形成第二上电极，所述第二上电极形成为与至少所述第二像素电极对应；在所述第二上电极上方形成阻光的第二光刻胶层，所述阻光的第二光刻胶层形成为与所述第二像素电极对应而不与所述第一像素电极对应；去除所述第二中间层和所述第二上电极的暴露在所述第二光刻胶层外部的部分；以及去除所述第二光刻胶层。...

【技术特征摘要】
2015.10.23 KR 10-2015-01480241.制造有机发光显示设备的方法，所述方法包括：形成彼此间隔开的第一像素电极和第二像素电极；形成覆盖所述第一像素电极和所述第二像素电极的绝缘层；图案化所述绝缘层，所述绝缘层图案化为覆盖所述第二像素电极并且暴露所述第一像素电极的至少中心部分；在所述第一像素电极的所暴露的中心部分和所述绝缘层上方形成第一中间层，所述第一中间层包括第一发射层；在所述第一中间层上方形成第一上电极，所述第一上电极形成为与至少所述第一像素电极对应；在所述第一上电极上方形成阻光的第一光刻胶层，所述阻光的第一光刻胶层形成为与所述第一像素电极对应而不与所述第二像素电极对应；去除所述第一中间层和所述第一上电极的暴露在所述第一光刻胶层外部的部分；去除所述第一光刻胶层；图案化所述绝缘层，所述绝缘层图案化为暴露所述第二像素电极的至少中心部分；在所述第二像素电极的所暴露的中心部分和所述第一上电极上方形成第二中间层，所述第二中间层包括第二发射层；在所述第二中间层上方形成第二上电极，所述第二上电极形成为与至少所述第二像素电极对应；在所述第二上电极上方形成阻光的第二光刻胶层，所述阻光的第二光刻胶层形成为与所述第二像素电极对应而不与所述第一像素电极对应；去除所述第二中间层和所述第二上电极的暴露在所述第二光刻胶层外部的部分；以及去除所述第二光刻胶层。2.根据权利要求1所述的方法，在所述去除所述第一光刻胶层与所述暴露所述第二像素电极的至少所述中心部分之间，还包括形成与所述第一像素电极对应的第一保护层，所述第一保护层形成为覆盖所述第一中间层和所述第一上电极。3.根据权利要求2所述的方法，其中，所述形成所述第一保护层包括将所述第一保护层形成为覆盖所述第一上电极的上表面、所述第一上电极的侧表面和所述第一中间层的侧表面。4.根据权利要求2所述的方法，在所述去除所述第二光刻胶层之后，还包括形成与所述第二像素电极对应的第二保护层，所述第二保护层形成为覆盖所述第二中间层和所述第二上电极。5.根据权利要求4所述的方法，其中，所述形成所述第二保护层包括将所述第二保护层形成为覆盖所述第二中间层和所述第二上电极的上表面和侧表面。6.根据权利要求5所述的方法，其中，所述形成所述第二保护层包括将所述第二保护层形成为与所述第一保护层相接触。7.根据权利要求4所述的方法，还包括：形成覆盖所述第一保护层和所述第二保护层的填充层；在所述填充层、所述第一保护层和所述第二保护层中形成接触孔，所述接触孔形成为暴露所述第一上电极和所述第二上电极中的每个的至少一部分；以及在所述填充层上方形成公共电极，所述公共电极形成为通过所述接触孔接触所述第一上电极和所述第二上电极。8.根据权利要求1所述的方法，还包括，在所述形成所述第一上电极与所述形成所述第一光刻胶层之间，在所述第一上电极上方形成第一保护层，其中：所述形成所述第一光刻胶层包括在所述第一保护层上方形成所述第一光刻胶层；以及所述去除所述第一中间层和所述第一上电极的暴露在所述第一光刻胶层外部的所述部分包括去除所述第一中间层、所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：金曰濬，金莲洪，金正贤，金锺允，李成殷，崔炚永，
申请(专利权)人：三星显示有限公司，
类型：发明
国别省市：韩国;KR